台湾台积电(TSMC)在美国加利福尼亚州圣何塞举行的“TSMC 2010 Technology Symposium”上,宣布将跳过22nm工艺节点,直接转向20nm节点。据称,直接转向20nm工艺节点的背景,是因为确立了图形(Patterning)技术及布
台积电(2330)于美西时间13日在加州圣荷西市举行技术研讨会,会中宣布将跳过22奈米制程,直接发展20奈米制程,预计于2012年下半开始导入生产。 此次技术研讨会有1500位客户及合作厂商代表参与,台积公司研究发展资深副
塑料RFID标签将是第一款使用了打印的纳米管晶体管的产品。无线射频识别(RFID)标签使得缴纳通行费和公共交通费变得轻而易举。但是由硅制成的标签还是太贵,无法替代无处不在的条形码通过远程扫描仍在篮子里的货物那样
国产的隧道二极管全都是锗材料做成的,其峰值电压约为0.25伏左右,若这种锗的遂道二极管要与硅晶体管并联使用时,则遂道二极管BG2要串接反向二极管BG1(同了图5(a),反向二极管是一种变种的隧道二极管,其峰点电流
半导体业间的兼并不可避免似乎己被广泛地接受,如近期由日立和三菱半导体部组成的瑞萨,又与NEC合并组成新的瑞萨及AMD兼并ATI等。本文认为兼并发生在各个方面, 未来可能更会加剧。但是Mentor的市场分析师Merlyr Brun
一则30秒的汽车广告需要750帧长度,按照20套英特尔5500处理器满负荷运算,从头扫到尾至少需要58个小时,如果换成5600系列CPU,只需40个小时,效率提升35%。”上海幻维数码创意科技IT系统部总监沈吟天告诉记者,这3
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爱发科在730mm×920mm的大尺寸底板整个表面上制成了多个In-Ga-Zn-O(IGZO)透明非结晶氧化物半导体TFT(IGZO-TFT),并获得了出色的晶体管特性。该底板由多个硅底板构成,尺寸与第4代玻璃底板相当。爱发科今后还计划
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)最新推出的第四代低VCEsat (BISS-4)晶体管的前8种产品在IIC展会上吸引了很多观众的关注。之所以将这些晶体管称为突破性小信号(BISS)晶体管,是因为它们为减少打开导通电阻确立了新
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据国外媒体报道,周五IBM研究中心公布石墨烯薄片(graphene)研究成果,其晶体管射频最高可达100GHz。 石墨烯作为一种特殊形态的石墨,主要由一层蜂窝状格网结构的碳原子构成,可用于提高传导速度。 IBM的该篇研究报告
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国际电子商情讯 中国现在的高端应用中存在很多的安全隐患,在诸如金融领域、国家安全数据库管理等方面的核心应用不得不使用国外的产品,而这些应用又不能脱离互联网,一颗芯片由几百万个甚至几亿个晶体管构成,可以说
1对于理想开关的需求功率 MOSFET 可作为高频率脉冲宽度调变 (PWM) 应用中的电气开关,例如稳压器及/或控制电源应用之中负载电流的开关。作为负载开关使用时,由于切换时间通常较长,因此装置的成本、尺寸及导通电阻
下一代的半导体组件可能是利用碳而非硅材料,美国宾州大学的研究人员声称,已成功制造出可生产纯碳半导体组件的4寸(100mm)石墨烯(graphene)晶圆。 宾州大学光电材料中心(EOC)的研究人员指出,他们所开发的制程能生产