恩智浦第四代高效率低饱和压降晶体管亮相IIC China
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恩智浦半导体（NXP Semiconductors）最新推出的第四代低VCEsat (BISS-4)晶体管的前8种产品在IIC展会上吸引了很多观众的关注。
之所以将这些晶体管称为突破性小信号(BISS)晶体管，是因为它们为减少打开导通电阻确立了新的基准，使开关时间减到绝对最小值。
据恩智浦半导体技术市场经理高德勇介绍：“此前恩智浦已经成功推出了三代晶体管产品系列。目前市场对晶体管的需求朝着两个方向发展，即超低饱和压降（VCEsat）及高速开关。恩智浦全新推出的第四代晶体管BISS-4正满足了这一需求。第四代产品分成两种优化的分支：超低VCEsat 分支的晶体管在1 A时实现了50 mV的超低饱和电压；高速开关晶体管使开关和存储时间降低到125 ns，特别适合用于马达驱动。”
高德勇表示：“采用了低电阻基底技术的BISS-4为要求更高性能和降低开关损耗的应用提供了理想选择，它们的电压范围为20 V - 60 V，采用小型SMD封装SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。”
恩智浦半导体在10年前推出了BISS晶体管家族，目前第一代产品仍有在市场上有相当多的应用，不过，便携产品已经对能耗越来越敏感。以手机等消费类应用为例，由于市场对饱和压降的指标已经有的更高的要求，BISS-4的饱和压降最低达37mV，比前一代产品的84mV有了显著的降低，可有效延迟手机的待机时间。
此外，BISS-4提供了高电路效率、低功率损耗，产生的热量要小于相同封装的标准晶体管。这些新产品的DC集电极电流为4.3 A (峰值 ICM 8 A)，采用小型SOT23封装，其性能是采用SOT23的上一代低VCEsat 晶体管的两倍。新的BISS-4晶体管是为大批量消费者应用、通信应用、计算应用和汽车应用中的负荷开关、开关式电源(SMPS)和电源管理功能设计的。
据高德勇介绍：“在2010年第一季度末即将推出的SMD封装的其它类型SOT89、SOT223和SO-8是中功率的晶体管产品，将扩大新的低VCEsat (BISS)晶体管系列，满足更多应用的需求。
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