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[导读]台湾台积电(TSMC)在美国加利福尼亚州圣何塞举行的“TSMC 2010 Technology Symposium”上,宣布将跳过22nm工艺节点,直接转向20nm节点。据称,直接转向20nm工艺节点的背景,是因为确立了图形(Patterning)技术及布

台湾台积电(TSMC)在美国加利福尼亚州圣何塞举行的“TSMC 2010 Technology Symposium”上,宣布将跳过22nm工艺节点,直接转向20nm节点。据称,直接转向20nm工艺节点的背景,是因为确立了图形(Patterning)技术及布局设计方法等。

宣布这一消息的台积电研究资深发展副总裁蒋尚义还透露,2012年下半年将开始20nm工艺的风险性量产。并且,此次该公司还表示,20nm工艺将优先用于平板晶体管,而非FinFET之类的三维晶体管。似乎还对工艺细节作了改进。

台积电称,将对诸如高介电率(high-k)材料、金属栅极、应变硅、铜布线及低介电率(low-k)层间布线绝缘膜等采用新技术。另外,蒋尚义还表示,“台积电已验证,在FinFET及高迁移率元件等其他晶体管上采用20nm工艺的可能性也很高”。(记者:小岛 郁太郎)


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