晶体管
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用双晶体管实现低噪声化的测量用高速前置放大器
电路的功能差动放大器的噪声特性由输入级决定，在本电路中，该级采用PMI公司生产的低噪声双晶体管，使噪声特性得以改善。这是一种较完善的差动输入前置放大器。因为本电路采用双极晶体管，所以宜用作信号源电阻低的传
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工艺尺寸降为1/10 存储器或将迎来一场新革命
惠普近日宣称，其在制造一种新的微型器件方面取得重大进展，这种微型器件能够更加缩小电脑芯片的大小，因而有望取代三极管，成为电脑芯片新的构件。这种器件结构简单，即使在没有电流的情况下也能够存储信息，因此可
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意法半导体（ST）发布突破性功率封装，扩大 MDmesh™ V MOSFET晶体管的功率密度优势
意法半导体推出一款先进的高性能功率封装，这项新技术将会提高意法半导体最新的MDmesh™ V功率MOSFET技术的功率密度。 在一个尺寸仅为8x8mm的无引脚封装外壳内，全新1mm高的贴装封装可容纳工业标准的TO-220大小
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高频特性得到改善的功率MOSFET放大器
电路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其转换速度比单级晶体管快，适合在高频条件下工作。本电路使用了决定转换速度的激励器，而且还在输出级采用了MOSFET，使高频特性得以改善。输出功率取决于电源电压和负载。
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塑料晶体管诞生
普林斯顿大学的研究人员表示，通过将有机导体，半导体和绝缘体喷墨打印到一层昂贵的聚合物基板上可生成全塑晶体管，这种全塑晶体管可以大幅降低有机太阳能电池的价格。Yueh-Lin (Lynn) Loo教授针对其
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塑料晶体管诞生
普林斯顿大学的研究人员表示，通过将有机导体，半导体和绝缘体喷墨打印到一层昂贵的聚合物基板上可生成全塑晶体管，这种全塑晶体管可以大幅降低有机太阳能电池的价格。Yueh-Lin (Lynn) Loo教授针对其全塑晶体
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意法半导体（ST）发布突破性功率封装，扩大 MDmesh™ V MOSFET晶体管的功率密度优势
意法半导体推出一款先进的高性能功率封装，这项新技术将会提高意法半导体最新的MDmesh™ V功率MOSFET技术的功率密度。 在一个尺寸仅为8x8mm的无引脚封装外壳内，全新1mm高的贴装封装可容纳工业标准的TO-220大小
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台积电：摩尔定律将在10年后失效
台积电研发副总裁蒋尚义日前在一次大会演讲中表示，按台积电现有芯片技术水平，摩尔定律将在10年后失效。 以下是演讲内容概要： 按台积电现有芯片技术，摩尔定律将在10年后失效
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台积电研发副总裁：摩尔定律或10年后失效
（编译/向北）北京时间4月28日消息，据国外媒体报道，台积电研发副总裁蒋尚义日前在一次大会演讲中表示，按台积电现有芯片技术水平，摩尔定律将在10年后失效。 以下是演讲内容概要： 按台积电现有芯片技术，摩尔
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ANADIGICS庆祝25年科技创新辉煌路
ANADIGICS公司日前在纳斯达克股票市场敲响收市钟声，庆祝其在移动通信行业走过的25年辉煌之路。ANADIGICS成立于1985年，是高性能射频集成电路(RFIC)设计技术的标杆企业。25年来，通过将其在射频技术中的设计专长、通
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适用消费电子的三电平H桥输出D类放大器
音频功率放大器无所不在，有音乐响起的地方就会有音频放大器的身影，一代代的电子工程师在这个领域辛勤耕耘撒播智慧。音频放大器是要以一定的音量和功率在扬声器或耳机上真实、高效的重现声音信号。真实和高效
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三点式振荡电路设计
三点式振荡电路是指谐振回路的三个引出端点分别与三极管的三个电极相连接。1）三点式振荡电路相们条件判断准则 图5.3-3为三点式振荡电路的一般形式。可证明，三点式振荡电路满足相位条件的判断准则是：凡与晶体管发射
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晶体管低频放大器
各种类型低频放大器，主要特点是，工作频率范围宽，放大信号的中心频率从几十赫至几百千赫；这类放大器通常处于低频多级放大器的前几级，故称前置放大器，它的输入信号幅度很小，约几到几十毫伏或甚至更小，所以属于
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三点式振荡电路设计
三点式振荡电路是指谐振回路的三个引出端点分别与三极管的三个电极相连接。1）三点式振荡电路相们条件判断准则 图5.3-3为三点式振荡电路的一般形式。可证明，三点式振荡电路满足相位条件的判断准则是：凡与晶体管发射
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TSMC：跳过22纳米，直接进入20纳米工艺
台积电(TSMC)前不久在美国加州圣荷西市举行的技术研讨会中，宣布将跳过22纳米工艺直接发展20纳米工艺。该公司表示，此系基于“为客户创造价值”而作的决定，提供客户一个更可行的先进工艺选择。 台积电此次技术研讨
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张忠谋：全球半导体市场连好5年
4月15日早间消息，据台湾媒体报道，台湾晶圆代工龙头台积电昨(14)日在美国举行年度技术论坛，董事长张忠谋表示，今明两年全球半导体市场均将健康成长，2011至2014年呈温和成长，年复合成长率达4.2%。张忠谋还称，半导
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台积电宣布直接使用20nm工艺，将在平板式晶体管上首先采用
台湾台积电（TSMC）在美国加利福尼亚州圣何塞举行的“TSMC 2010 Technology Symposium”上，宣布将跳过22nm工艺节点，直接转向20nm节点。据称，直接转向20nm工艺节点的背景，是因为确立了图形（Patterning）技术及布
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台积电发展20奈米制程，2012年下半导入生产
台积电(2330)于美西时间13日在加州圣荷西市举行技术研讨会，会中宣布将跳过22奈米制程，直接发展20奈米制程，预计于2012年下半开始导入生产。 此次技术研讨会有1500位客户及合作厂商代表参与，台积公司研究发展资深副
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纳米管RFID更好的条形码
塑料RFID标签将是第一款使用了打印的纳米管晶体管的产品。无线射频识别(RFID)标签使得缴纳通行费和公共交通费变得轻而易举。但是由硅制成的标签还是太贵，无法替代无处不在的条形码通过远程扫描仍在篮子里的货物那样
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隧道二极管与晶体管的组合使用
国产的隧道二极管全都是锗材料做成的，其峰值电压约为0.25伏左右，若这种锗的遂道二极管要与硅晶体管并联使用时，则遂道二极管BG2要串接反向二极管BG1（同了图5（a），反向二极管是一种变种的隧道二极管，其峰点电流
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