这次引起关注的主要原因是网上流传的一个消息,据业内权威人士透露,我国计划把大力支持发展第三代半导体产业,写入正在制定的“十四五”规划。
碳化硅(SiC),与氮化镓(GaN)、金刚石、氧化锌(ZnO)等一起,属于第三代半导体。碳化硅等第三代半导体具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能。
近期,以碳化硅、氮化镓、金刚石为代表的第三代半导体概念异军突起。机构人士指出,第三代半导体的火爆,一方面受国家政策面影响:另外有消息称,中国正在规划将大力支持发展第三代半导体产业写入“十四五”规划之中;而更重要的是当前国内的人工智能、5G等产业的技术和应用发展向好,支撑了板块内相关细分行业的业绩。
2018年12月6日,中国创新创业大赛国际第三代半导体专业赛(以下简称为“大赛”)
厦门芯光润泽科技有限公司自主研发的国内首条碳化硅智能功率模块(SiC IPM)生产线,于9月18日正式投产。据报道,两个月来,该生产线投产稳定,每月生产规模可达30万颗,每年可达360万颗。
第三代半导体材料主要包括氮化镓(Gallium Nitride, GaN)、碳化硅(Silicon Carbide, SiC)、氧化锌(Zinc Oxide, ZnO)、氮化铝(Aluminum Nitride, AlN)和金刚石等
近日,由东莞多家行业企业、新型研发机构及国内行业领军单位组建的广东省“宽禁带半导体材料、功率器件及应用技术创新中心”正式在松山湖成立。这也是广东省首个第三代半导体制造业创新中心。
材料、信息、能源构筑的当代文明社会,缺一不可。半导体不仅具有极其丰富的物理内涵,而且其性能可以置于不断发展的精密工艺控制之下,可谓是“最有料”的材料。在不久的将来,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料的应用,无论是在军用领域还是在民用市场,都是世界各国争夺的战略阵地。
“到2030年,第三代半导体产业力争全产业链进入世界先进行业,部分核心关键技术国际引领,核心环节有1至3家世界龙头企业,国产化率超过70%。”这是日前在京举办的第三代半导体战略发布会上,第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲所描述的我国半导体产业未来的发展前景。
“到2030年,第三代半导体产业力争全产业链进入世界先进行业,部分核心关键技术国际引领,核心环节有1至3家世界龙头企业,国产化率超过70%。”这是日前在京举办的第三代半导体战略发布会上,第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲所描述的我国半导体产业未来的发展前景。
继“集成电路产业”带动中国在半导体行业的投资热潮后,三代半导体如今逐步进入人们的视线。今天我(作者)就以一个在三代半导体行业浸淫近15载的江湖中人角度给大家聊一聊,三代半导体产业在中国乃至世界的发展,以及这个行业的特点。