据国外媒体报道,谷歌和英飞凌正在联合开发一种足够小的芯片,这种芯片可内置于手表或腕带中用来探测手势和识别人脸。 英飞凌表示,它已开发出一种雷达传感器半导体,目前
金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)制程再进化。英飞凌(Infineon)日前成为全球首家以12寸薄晶圆技术制造车用功率MOSFET的厂商,该公司推出的首款OptiMOS 5 40V产品系列能
21ic讯,近日,英飞凌在全球率先采用300毫米薄晶圆生产汽车功率场效应管。第一个产品系列OptiMOS™ 5 40V针对二氧化碳减排应用进行了优化。产品在英飞凌位于奥地利菲
英飞凌科技股份公司发布用于检测转动方向和速度的垂直双霍尔传感器TLE4966V,标志着英飞凌在传感器产品创新领域又迈出重要一步。 TLE4966V是世界上第一款将内部霍尔探头方
21ic电源网讯 英飞凌科技股份公司推出全新的CoolMOS™ C7系列超结(SJ)MOSFET家族。该600 V系列相比CoolMOS™ CP可减少50%的开关损耗,在PFC、TTF和其他硬切换拓
英飞凌科技股份公司宣布,为Watchdata Technologies最新推出的“Sharkey”智能穿戴设备提供增强型NFC安全元件。作为智能腕表或腕带,“Sharkey”带来
21ic讯 英飞凌科技股份公司宣布推出其3D磁性传感器TLV493D-A1B6,该传感器采用小巧的6脚TSOP封装,能以极低的功耗实现高度精确的三维感测。通过检测x、y和z方向的磁场,该传感器能够可靠地感测三维、线性和旋转运动。
21ic讯 近日,英飞凌宣布推出其3D磁性传感器TLV493D-A1B6,该传感器采用小巧的6脚TSOP封装,能以极低的功耗实现高度精确的三维感测。通过检测x、y和z方向的磁场,该传感器能够可靠地感测三维、线性和旋转运动。所采
英飞凌科技股份公司今天宣布收购LS Power Semitech Co., Ltd.所有已发行股份,这是一家英飞凌和韩国LS工业系统公司于2009年成立的合资公司。此次战略收购将扩大英飞凌在不断增长的智能功率模块(IPM)市场领域的业务足
21ic讯 英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)今天宣布,该公司凭借2014年提供具有杰出产品质量的CAN收发器荣获丰田汽车Hirose工厂颁发的“卓越质量奖”。英飞凌日本汽车电子业务负责人Natsuki T
2015年5月4日,英飞凌科技股份公司宣布,该公司凭借2014年提供具有杰出产品质量的CAN收发器荣获丰田汽车Hirose工厂颁发的“卓越质量奖”。英飞凌日本汽车电子业务
为了顺应从继电器向功能强大的半导体解决方案发展的趋势,英飞凌科技股份公司推出了HITFET™+带有保护低边开关产品家族。HITFET+(高集成度温度保护MOSFET)低边开关具备
21ic讯 泛亚汽车技术中心与英飞凌科技(中国)有限公司宣布成立汽车电子联合实验室。此次合作将聚焦汽车电子技术前沿,加强双方在车身电子、新能源汽车、主动安全及底盘电子等
21ic讯 英飞凌科技股份公司今日宣布推出集成片上EtherCAT®(用于控制和自动化技术的以太网)节点的全新XMC4800系列32位微控制器。具备出色实时能力的XMC4800系列器件,将推动联网工业自动化与工业4.0应用的发展。
随着字化以及生产联网的逐步普及,对工业工业自动化安全的要求也越来越高。恶意软件造成的损失、不正确的固件升级以及假冒组件可能造成严重的后果甚至导致整条生产线停机,带来严重损失。英飞凌和弗劳恩霍夫协会应用
2015年4月15日,德国慕尼黑和汉诺威——数字化以及生产联网程度的大幅提升导致工业自动化安全标准较之以往大大攀升。恶意软件带来的数字化威胁、不正确的固件升级以及假冒组件可导致整条生产线停机,带来
英飞凌科技股份公司今日推出了OptiMOS™ 5 25V和30V产品家族,它们是采用标准分立式封装的新一代功率MOSFET。同时,英飞凌还发布了名为Power Block的新型功率模组和集
英飞凌科技股份公司今日宣布扩充其硅基氮化镓(GaN)技术和产品组合。目前,英飞凌提供专为要求超高能效的高性能设备而优化的增强模式和级联模式GaN平台,包括服务器、电信设备、移动电源等开关电源应用以及诸如Class
2015年3月6日,德国慕尼黑和西班牙巴塞罗那讯——英飞凌科技股份公司宣布,其为新款高端智能手机三星Galaxy S6和S6 Edge提供了嵌入式安全元件(eSE)芯片。英飞凌
21ic讯 英飞凌科技股份公司发布了一款适用于移动和可穿戴设备以及物联网(IoT)设备的+/-5厘米超高分辨率微型MEMS(微机电系统)压力传感器。DPS310是一款低功率数字式大气压力传感器,可促进开发新的增强型导航、定位、