LSI的基本元件CMOS晶体管长期以来一直被指存在微细化极限,但目前来看似乎还远未走到终点。全球最大代工厂商台积电(TSMC)于今年夏季动工建设的新工厂打算支持直至7nm工艺的量产。台积电是半导体行业中唯一一家具体
据国外媒体报道,英特尔证实它与美光闪存公司合作开发的25nm闪存已经开始量产,并开始向消费者供货。IMFT(Intel-Micron Flash Technologies,英特尔美光闪存技术公司)于今年一月在DailyTech展示了25nm芯片样本,二
据国外媒体报道,英特尔证实它与美光闪存公司合作开发的25nm闪存已经开始量产,并开始向消费者供货。IMFT(Intel-MicronFlashTechnologies,英特尔美光闪存技术公司)于今年一月在DailyTech展示了25nm芯片样本,二月
半导体逻辑非挥发性内存(NVM)硅智财(IP)领域的领导厂商Kilopass Technology Inc.宣布,该公司的XPM嵌入式一次性可编程(OTP)非挥发性内存技术率先在台积电40nm及45nm低功率制程技术中完成台积电IP-9000 Level 4
意法半导体发布55纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)制造工艺。意法半导体的新一代车用微控制器(MCU)芯片将采用这项先进技术。目前,意法半导体正在位于法国Crolles的世界一流的300mm晶圆厂进行这项技术的升级换代工作
意法半导体发布55纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)制造工艺。意法半导体的新一代车用微控制器(MCU)芯片将采用这项先进技术。目前,意法半导体正在位于法国Crolles的世界一流的300mm晶圆厂进行这项技术的升级换代工作
意法半导体发布55纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)制造工艺。意法半导体的新一代车用微控制器(MCU)芯片将采用这项先进技术。目前,意法半导体正在位于法国Crolles的世界一流的300mm晶圆厂进行这项技术的升级换代工作
在半导体内存行业,美国美光科技(MicronTechnology)的地位在不断提高。该公司2010年2月宣布收购第一大NOR闪存厂商瑞士恒忆(NumonyxB.V.)。除DRAM、NAND闪存外,该公司今后还将涉足NOR闪存、MCP(Multi-chipPacka
Intel、美光合资公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布,25nm新工艺 NAND闪存芯片将从第二季度起开始销售,预计今年晚些时候就可以看到相关U盘、记忆卡、固态硬盘等各种产品。IMFT 25nm NAND闪存于今年初宣
三星电子有限公司和全球可编程逻辑解决方案领导厂商赛灵思公司共同宣布,赛灵思 Spartan-6 FPGA 系列已取得三星电子旗下晶圆代工厂三星代工(Samsung Foundry)的 45nm 工艺技术的全面生产认证。这种先进的工艺节点技
半导体特征尺寸正在向22/15nm的等级不断缩小,传统的平面型晶体管还能满足要求吗?有关这个问题,业界已经讨论了很久。现在,决定半导体制造技术发展方向的历史拐点即将到来,尽管IBM和Intel两大阵营在发展方式上会有
美国应用材料公司(Applied Materials)发布了能够以ms为单位进行退火的激光退火装置“Applied Vantage Astra”。主要在形成45nm工艺以后逻辑LSI的镍硅(NiSi)接触时使用。台湾台积电(Taiwan Semiconductor Manufa
刚刚从与台积电的专利官司漩涡中脱身,大陆芯片厂商中芯国际旗下两座深圳芯片厂便于日前举行了完工庆典,这两间工厂分别具备200mm(8英寸)以及300mm(12英寸)生产能力.中芯公司新任CEO王宁国还参加了于11月19日举办的这
“中芯国际第一个45nm产品今年12月试产。”中芯国际总裁兼执行长张汝京在10月23日上海举办的第九届技术研讨会上透露,“中芯深圳的200mm生产厂今年年底将建设好,明年第一季度设备进场,安装调试,第二季度开始试产。
坦白说,我在几年前一点也不推崇60GHz无线通信技术。这项技术存在着严重的信号衰减问题,其设计也具有相当程度的不确定性,所以我当时认为超宽带(UWB)无线技术应该能轻易打败这项技术,成功上市。 即使60GHz技术在理
坦白说,我在几年前一点也不推崇60GHz无线通信技术。这项技术存在着严重的信号衰减问题,其设计也具有相当程度的不确定性,所以我当时认为超宽带(UWB)无线技术应该能轻易打败这项技术,成功上市。 即使60GHz技术在理