被视为产学携手雄踞世界舞台的产学大联盟计划审议结果昨(23)日出炉,台积电及中钢两支团队获得青睐。国科会与经济部昨(23)日召开指导委员会共同审议「补助前瞻技术产学合作计划」(简称产学大联盟),历经3个月的审议,
天龙光电7月11日晚间公告称,公司控股子公司江苏中晟全资子公司中晟光电设备(上海)有限公司的首台大规模生产型 LED MOCVD 设备 ProMaxy?已于2013年6月在江苏汉莱科技有限公司顺利通过生产评估验收。 在关键的性能指标
以后数据存储无论个人用户,抑或不同规模的企业政府机关等,都可更加轻松地进行。来自斯威本科技大学(Swinburne University of Technology)的研究团队负责人Min Gu教授最新开发出了一种全新的数据存储方式,可将1PB(
夷施 昨天,中芯国际(00981.HK)宣布,与中芯北京、北京工业发展投资管理及中关村发展集团成立合资公司,主要从事测试、开发、设计、制造、封装及销售集成电路,将专注45纳米及更先进的晶圆技术,目标是产能达到每
三星电子近日宣布,正在开发全球首款采用45nm工艺的嵌入式闪存eFlash,并且已经成功在智能卡测试芯片上部署了新工艺,为量产和商用打下了坚实基础。三星宣称,基于其45nm e
三星电子近日宣布,正在开发全球首款采用45nm工艺的嵌入式闪存eFlash,并且已经成功在智能卡测试芯片上部署了新工艺,为量产和商用打下了坚实基础。三星宣称,基于其45nm eFlash的智能卡电路具备极高的可靠性、耐久性
Globalfoundries宣布将公司的55奈米(nm)低功率强化(LPe)制程技术平台持续向上提升,推出具备 ARM 新一代记忆体和逻辑 IP 解决方案的 55nm LPe 1V 。55nm LPe 1V 是唯一支援 ARM 1.0/1.2V 实体 IP 资料库的先进制程节
GLOBALFOUNDRIES今日宣布将公司的55纳米(nm)低功耗强化型(LPe)制程技术平台进行了最新技术强化,推出具备ARM公司合格的下一代存储器和逻辑IP解决方案的55nmLPe1V。“55nmLPe1V”是业内首个且唯一支持ARM1.0
GLOBALFOUNDRIES 宣布将公司的 55 奈米 (nm) 低功率强化 (LPe) 制程技术平台持续向上提升,推出具备 ARM 合格的新一代记忆体和逻辑 IP 解决方案的 55nm LPe 1V。55nm LPe 1V 是业界首创唯一支援 ARM 1.0/1.2V 实体 I
GLOBALFOUNDRIES今日宣布将公司的55 纳米(nm) 低功耗强化型 (LPe)制程技术平台进行了最新技术强化, 推出具备ARM公司合格的下一代存储器和逻辑IP解决方案的 55nm LPe 1V 。“55nm LPe 1V”是业内首个且唯一
AMD近日调整价格表,降低了几款产品的标价,同时新增加了一款“Athlon II X 280”。 一看序列就知道,它其实还是45nm K10.5架构的产物。在老一代产品纷纷退役的今天,还冒出来这么个型号似乎有点“不识
美光今天宣布推出新一代企业级固态硬盘“P400m”,和上代P400e一样采用自家产的25nm MLC闪存颗粒,不过读写速度有了明显提升。P400m还是2.5寸标准规格和7.0毫米超薄厚度,重量不超过125克,容量依然有100G
IBM将公布3D芯片细节回顶部 【PConline 资讯】根据最新消息,IBM透露了其3D芯片的一些技术细节,45nm制程工艺的处理器和内存组成立体结构,作为服务器的核心,CPU的技术一备受瞩目,最近由于晶体管尺寸接近物理极限
晶圆代工业者在45奈米及以下制程营收比重节节攀高。IC Insights预估,台积电今年将有37%的营收来自45奈米及以下产品,较去年占比增加11%,格罗方德营收比重更高达65%,而联电也将从原本的6%,上升至11%。整体而言,4
在本届IDF2012秋季大会上,Intel高管Mark Bohr公布Intel明年将会上 14nm,2015年以后,Intel将会陆续引入10nm、7nm和5nm工艺。Intel 首先将会在2014年引入14nm工艺——P1272。P1272之前被传言称为16nm,但事实证明P1
在本届IDF2012秋季大会上,Intel高管Mark Bohr公布Intel明年将会上 14nm,2015年以后,Intel将会陆续引入10nm、7nm和5nm工艺。Intel 首先将会在2014年引入14nm工艺——P1272。P1272之前被传言称为16nm,但事实证明P1
在本届IDF上,Intel高管MarkBohr对他们的14nm工艺进程进行了介绍,并阐述了公司近年来工作制程的发展。据悉,Intel有望在2013年晚些时候引入14nm工艺——P1272,以满足下一代Broadwell大批量生产。事实上,
Intel最早3年后上10nm 7年后5nm上位
在本届IDF2012秋季大会上,Intel高管Mark Bohr向与会的记着和专家们重点阐述了Intel在过去几年以及未来几年在制成工艺上的总结和展望。从公布的PPT来看,Intel明年将会上 14nm,2015年以后,Intel将会陆续引入10nm、
1、单色光LED的种类以及单色光LED的发展历史本文主要针对单色光LED的种类、发展历史及应用进行简要介绍。单色光LED最早应用半导体P-N结发光原理制成的LED光源问世于20世纪60年代初。当时所用的材料是GaAsP,发红光(&