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Intel有望2013年引入14nm工艺 5nm工艺七年后驾到
在本届IDF上，Intel高管MarkBohr对他们的14nm工艺进程进行了介绍，并阐述了公司近年来工作制程的发展。据悉，Intel有望在2013年晚些时候引入14nm工艺——P1272，以满足下一代Broadwell大批量生产。事实上，
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Intel最早3年后上10nm 7年后5nm上位
Intel最早3年后上10nm 7年后5nm上位
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Intel最早3年后上10nm 7年后5nm上位
在本届IDF2012秋季大会上，Intel高管Mark Bohr向与会的记着和专家们重点阐述了Intel在过去几年以及未来几年在制成工艺上的总结和展望。从公布的PPT来看，Intel明年将会上 14nm，2015年以后，Intel将会陆续引入10nm、
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单色光LED的种类、发展历史及应用
1、单色光LED的种类以及单色光LED的发展历史本文主要针对单色光LED的种类、发展历史及应用进行简要介绍。单色光LED最早应用半导体P-N结发光原理制成的LED光源问世于20世纪60年代初。当时所用的材料是GaAsP，发红光(&
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单色光LED的种类、发展历史及应用
1、单色光LED的种类以及单色光LED的发展历史本文主要针对单色光LED的种类、发展历史及应用进行简要介绍。单色光LED最早应用半导体P-N结发光原理制成的LED光源问世于20世纪60年代初。当时所用的材料是GaAsP，发红光(&
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富士通半导体交付55nm创新方案
解本土IC设计之“渴”近来中国IC市场的最重磅新闻要属大小“M”——台湾联发科(MTK)和晨星半导体(MStar)宣布合并。“M兄弟”的联手对已跨入“1亿美元俱乐部”的少
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富士通半导体交付55nm创新方案
富士通半导体交付55nm创新方案 解本土IC设计之“渴” 近来中国IC市场的最重磅新闻要属大小“M”——台湾联发科(MTK)和晨星半导体(MStar)宣布合并。“M兄弟”的联手对已跨入“1亿美元俱乐部”的少数刚崛起的大陆
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富士通半导体交付55nm创新方案，解本土IC设计之“渴”
近来中国IC市场的最重磅新闻要属大小“M”——台湾联发科(MTK)和晨星半导体（MStar）宣布合并。“M兄弟”的联手对已跨入“1亿美元俱乐部”的少数刚崛起的大陆本土IC设计公司
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如何提高G652D光纤宏弯损耗测试效率
光纤宏弯损耗测试，在国家标准GB/T9771.3-2008中描述为：光纤以30mm半径松绕100圈，在1625nm测得的宏弯损耗应不超过0.1dB。而注2中描述：为了保证弯曲损耗易于测量和测量准确度，可用1圈或几圈小半径环光纤代替100圈
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英特尔开始7nm和5nm制程工艺研究
英特尔制程工艺路线图。北京时间5月17日消息，英特尔(微博)CEO保罗·欧德宁(Paul Otellini)表示，英特尔已开始对7纳米和5纳米制程技术的研究。此外，英特尔目前计划在美国俄勒冈、亚利桑那和爱尔兰的工厂中部
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Intel已开始研发7nm及5nm工艺
IntelCEOPaulOtellini近日对投资者透露，半导体巨头已经开始了7nm、5nm工艺的研发工作，这也是Intel第一次官方披露后10nm时代的远景规划。他说：“我们的研究和开发是相当深远的，我是说(未来)十年。”按照路线图，2
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Intel已开始研发7nm、5nm制程
Intel CEO Paul Otellini近日对投资者透露，半导体巨头已经开始了7nm、5nm工艺的研发工作，这也是Intel第一次官方披露后10nm时代的远景规划。他说：“我们的研究和开发是相当深远的，我是说(未来)十年。”按照路线图
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Intel已开始研发7nm、5nm工艺
Intel CEO Paul Otellini近日对投资者透露，半导体巨头已经开始了7nm、5nm工艺的研发工作，这也是Intel第一次官方披露后10nm时代的远景规划。他说：“我们的研究和开发是相当深远的，我是说(未来)十年。”
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Intel已开始研发7nm及5nm工艺
Intel CEO Paul Otellini近日对投资者透露，半导体巨头已经开始了7nm、5nm工艺的研发工作，这也是Intel第一次官方披露后10nm时代的远景规划。他说：“我们的研究和开发是相当深远的，我是说(未来)十年。”
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Intel已开始研发7nm、5nm工艺
Intel已开始研发7nm、5nm工艺
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中芯国际：2013年中28nm工艺基本完成
问：贵公司的工艺计划是什么？ 答：在先进制程方面，中芯也有人也在自问：我们是不是不再搞先进工艺？这是不对的。先进工艺我们还要搞，28nm正在做，准备在2013年第二季度末、第三季度初就把28nm工艺基本完成。然后
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台积电：10年内微缩至5nm没问题
摩尔定律(Moore"sLaw)极限浮现与18吋晶圆世代来临，将是半导体产业两项大革命，全球半导体厂都在思索未来趋势，台积电技术长孙元成20日指出，摩尔定律未必走不下去，只要与3DIC技术相辅相成，朝省电、体积小等特性钻
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光纤宏弯损耗测试方法介绍
光纤宏弯损耗测试，在国家标准GB/T9771.3-2008中描述为：光纤以30mm半径松绕100圈，在1625nm测得的宏弯损耗应不超过0.1dB。 而注2中描述：为了保证弯曲损耗易于测量和测量准确度，可用1圈或几圈小半径环光纤代替
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延迟和错误率令固态硬盘前景蒙上阴影
加州大学和微软的研究发现，随着芯片尺寸缩小，NAND Flash记忆体会出现显著的性能退化。当电路尺寸从今天的25nm缩小到6.5nm，SSD的延迟会增加一倍。加州大学的研究生Laura Grupp说，他们测试了7家SSD供应商的45种不同
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力旺加速布局65/55nm制程 攻高阶CE市场
力旺电子(eMemory)日前宣布，其单次可程序(one time programmable, OTP)内存技术已于一线晶圆代工厂65纳米制程平台通过可靠度验证，进入量产阶段；另外，多次可程序(multiple times programmable, MTP)内存技术则同步
