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美光即将量产25nm工艺NAND
时间：2010-03-26 10:08:41
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[导读]在半导体内存行业，美国美光科技（MicronTechnology）的地位在不断提高。该公司2010年2月宣布收购第一大NOR闪存厂商瑞士恒忆（NumonyxB.V.）。除DRAM、NAND闪存外，该公司今后还将涉足NOR闪存、MCP（Multi-chipPacka
在半导体内存行业，美国美光科技（MicronTechnology）的地位在不断提高。该公司2010年2月宣布收购第一大NOR闪存厂商瑞士恒忆（NumonyxB.V.）。除DRAM、NAND闪存外，该公司今后还将涉足NOR闪存、MCP（Multi-chipPackage，多芯片封装）乃至相变内存（PCM），变身为业内的“全能选手（All-aroundPlayer）”。在半导体内存业务方面，该公司一直保持着微细化领跑者的优势。该公司与英特尔合作开发的NAND闪存目前已开始样品供货25nm工艺产品（参阅本站报道）。本站记者就NAND闪存业务战略采访了美光科技NAND产品部门战略市场营销总监KevinKilbuck。（采访人：大下淳一）
——在NAND闪存微细化竞争中贵公司一直在采取攻势。能否谈谈具体情况？
与英特尔合资成立的NAND闪存制造公司（IMFlashTechnologies）后，我们第一个量产的是70nm工艺产品。在该工艺领域，我们处于微细化的最后尾。之后，我们跳过6Xnm工艺向50nm工艺推进微细化，进入了中间一级梯队。接着，又跳过4Xnm工艺向34nm工艺推进，从而迈进了微细化的前列。为了在更加微细化的工艺上也能够保持领先地位，我们还将在2010年6月之前量产25nm工艺产品。届时将量产基于2bit/单元多值技术的64Gbit产品。一般而言，在工艺上跨级推进微细化通常伴有风险，但我们仍然甘冒这个风险。
——在3bit/单元以上的“超多值技术”方面，贵公司的量产进程一直落后于其他公司。原因是什么？
我们将超多值技术视为微细化步幅减缓时的一种“保险”。换句话说，当微细化开发因某种原因而停滞时，这种大容量化技术才发挥替代作用。事实上，早在2009年10～12月时我们就已能够量产34nm工艺的3bit/单元产品了。不过，我们在25nm工艺的微细化开发上进展顺利，因此目前优先考虑的是尽快量产25nm产品。这样，便放弃了量产34nm工艺3bit/单元产品的想法。而在25nm工艺方面，我们打算在2010年内量产3bit/单元产品。因为要使25nm以后的工艺实现量产，还需要等待很长一段时间。
——贵公司25nm以后的工艺何时能够实现量产？另外，这一工艺将采用什么样的单元技术？
估计要等到2011年下半年～2012年初。除了现有的浮游栅技术之外，目前我们还在研究电荷捕获技术等多项单元技术。对于电荷捕获技术这样的新技术，要确定其生命力能够延续到的工艺程度，这十分重要。
——尽管贵公司是微细化的领跑者，但在可谓NAND闪存主战场的便携音乐播放器及智能电话等领域，贵公司的应用业绩却似乎一直落后于其他公司。
我们寄望于今后的发展。相信这一状况会彻底改变。为了借助新一代便携终端架构在Design-in方面胜出，我们正在推进与芯片组装厂商等的合作。此外，我们还将提供“EZ-NAND”等解决方案，以降低NAND闪存的运行控制芯片（控制器）给终端（主机）造成的负荷。
——按金额计算，贵公司在NAND闪存市场上的份额目前在10％左右。今后计划提高到什么程度？
最低也要达到15～20％。与我们的合资业务伙伴，也就是英特尔进行合计的话，目前份额已经达到了约15％。在收购恒忆之后，估计业务规模会进一步扩大。
——IMFlashTechnologies公司的旗舰工厂即新加坡工厂的启动进程缓慢。该工厂何时开始量产？
新加坡工厂的投资问题，的确是我们尚未落实的重大事项。虽然清洁室的建设已于2009年完工，但即使马上安装制造设备，早快也要到2011年才能开始量产。我们将根据市场的动向，在确信需求呈扩大趋势时，再着手向该工厂进行设备投资。
——在NAND闪存微细化竞争中贵公司一直在采取攻势。能否谈谈具体情况？
与英特尔合资成立的NAND闪存制造公司（IMFlashTechnologies）后，我们第一个量产的是70nm工艺产品。在该工艺领域，我们处于微细化的最后尾。之后，我们跳过6Xnm工艺向50nm工艺推进微细化，进入了中间一级梯队。接着，又跳过4Xnm工艺向34nm工艺推进，从而迈进了微细化的前列。为了在更加微细化的工艺上也能够保持领先地位，我们还将在2010年6月之前量产25nm工艺产品。届时将量产基于2bit/单元多值技术的64Gbit产品。一般而言，在工艺上跨级推进微细化通常伴有风险，但我们仍然甘冒这个风险。
——在3bit/单元以上的“超多值技术”方面，贵公司的量产进程一直落后于其他公司。原因是什么？
我们将超多值技术视为微细化步幅减缓时的一种“保险”。换句话说，当微细化开发因某种原因而停滞时，这种大容量化技术才发挥替代作用。事实上，早在2009年10～12月时我们就已能够量产34nm工艺的3bit/单元产品了。不过，我们在25nm工艺的微细化开发上进展顺利，因此目前优先考虑的是尽快量产25nm产品。这样，便放弃了量产34nm工艺3bit/单元产品的想法。而在25nm工艺方面，我们打算在2010年内量产3bit/单元产品。因为要使25nm以后的工艺实现量产，还需要等待很长一段时间。
——贵公司25nm以后的工艺何时能够实现量产？另外，这一工艺将采用什么样的单元技术？
估计要等到2011年下半年～2012年初。除了现有的浮游栅技术之外，目前我们还在研究电荷捕获技术等多项单元技术。对于电荷捕获技术这样的新技术，要确定其生命力能够延续到的工艺程度，这十分重要。
——尽管贵公司是微细化的领跑者，但在可谓NAND闪存主战场的便携音乐播放器及智能电话等领域，贵公司的应用业绩却似乎一直落后于其他公司。
我们寄望于今后的发展。相信这一状况会彻底改变。为了借助新一代便携终端架构在Design-in方面胜出，我们正在推进与芯片组装厂商等的合作。此外，我们还将提供“EZ-NAND”等解决方案，以降低NAND闪存的运行控制芯片（控制器）给终端（主机）造成的负荷。
——按金额计算，贵公司在NAND闪存市场上的份额目前在10％左右。今后计划提高到什么程度？
最低也要达到15～20％。与我们的合资业务伙伴，也就是英特尔进行合计的话，目前份额已经达到了约15％。在收购恒忆之后，估计业务规模会进一步扩大。
——IMFlashTechnologies公司的旗舰工厂即新加坡工厂的启动进程缓慢。该工厂何时开始量产？
新加坡工厂的投资问题，的确是我们尚未落实的重大事项。虽然清洁室的建设已于2009年完工，但即使马上安装制造设备，早快也要到2011年才能开始量产。我们将根据市场的动向，在确信需求呈扩大趋势时，再着手向该工厂进行设备投资。
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