CMOS

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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件，是组成CMOS数字集成电路的基本单元。

CMOS型555电路内部电路

CMOS型555电路内部电路

基础实用电路
2013-01-11

555电路 CMOS
通讯晶片测试放缓，京元电/矽格上月营收降

测试厂京元电 (2449)、矽格 (6257)双双公布12月营收，时逢电子业传统淡季，再加上季底通讯晶片客户需求有放缓迹象，导致京元电与矽格的12月营收均较11月有所下滑，但都比前年同期成长；累计2012全年，受惠于行动通讯

模拟
2013-01-08

通讯晶片测试机 CMOS
中科院宣布成功开发22nm MOSFET

中国科学院微电子研究所(IMECAS)宣布在22奈米CMOS 制程上取得进展，成功制造出高K金属闸MOSFET 。中科院指出，中国本土设计与制造的22nm元件展现出更高性能与低功耗。根据中科院微电子研究所积体电路先导工艺研发？？

消费电子
2012-12-30

元件 MOSFET 中科院 CMOS
DI CON盛会3月登陆北京

由世界著名的Microwave Journal及其中文版《微波杂志》主办的EDI CON(电子设计创新会议)将于2013年3月12~14日首次登陆北京，在北京国际会议中心隆重举行。 EDI CON是为开发当今的通信、计算、RFID、无线、导航、

消费电子
2012-12-29

半导体电子设计高速数字设计 CMOS
京元电明年资本支出增3成

测试大厂京元电子（2449）昨（24）日召开董事会，决议明年资本支出将拉高到49.89亿元，较今年的38亿元增加约31％，主要将用来购置机器设备，以及兴建苗栗铜锣科学园区新厂。京元电董事长李金恭对明年景气看法乐观，库

模拟
2012-12-25

影像传感器芯片测试驱动IC CMOS
中芯国际背照式成像传感技术取得突破

中芯国际宣布在背照式CMOS成像传感技术研发领域取得突破性进展，首款背照式CMOS成像传感测试芯片一次流片即获得成功，在低照度下同样获得高质量的清晰图像。这标志着中芯国际自主开发的背照式CMOS成像传感芯片全套晶

模拟
2012-12-24

中芯国际晶圆代工传感技术 CMOS
阅读秘书／FinFET

3D鳍式晶体管（FinFET）是新的互补式金氧半导体（CMOS）晶体管技术。相较于传统晶体管若要控制电流通过闸门，只能选择在闸门的一侧来控制，属于平面式的结构；3D FinFET的闸门，是类似鱼鳍般的三面立体式的设计，能大

模拟
2012-12-22

晶体管闸门 FINFET CMOS
中芯国际背照式CMOS成像传感技术研发取得突破进展

中芯国际集成电路制造有限公司("中芯国际")，昨日宣布在背照式CMOS成像传感技术研发领域取得突破性进展，首款背照式 CMOS 成像传感测试芯片一次流片即获得成功，在低照度下同样获得高质量的清晰图像。这标志着中芯国

工业控制
2012-12-21

中芯国际晶圆代工传感技术 CMOS
中芯国际背照式成像传感技术取得突破

上海2012年12月20日电 /美通社/ -- 中芯国际集成电路制造有限公司( http://www.smics.com )（"中芯国际"，纽约证交所代码：SMI，香港联交所代码：981），中国规模最大、技术最先进的集成电路代工厂，今天宣布在背照式

模拟
2012-12-21

中芯国际晶圆代工传感技术 CMOS
英特尔展望微细化极限和后CMOS

英特尔在“IEDM 2012”上展望了使CMOS晶体管的微细化持续至极限水平所需要的要素技术、相关课题以及后CMOS器件技术（论文编号：8.1）。要想使CMOS晶体管的微细化能够持续发展至极限水平，抑制短沟效应、导入高迁移率

模拟
2012-12-17

英特尔 BORDER CMOS器件 CMOS
Avago推出28nm CMOS 100G以太网/OTN物理层产品

21ic讯 Avago Technologies今天宣布推出支持以太网和光传送网(Optical Transport Networking, OTN)的新Vortex Gearbox™系列物理层(PHY)产品，器件采用Avago经验证的28nm CMOS SerDes串行/解串器技术，符合IEE

通信技术
2012-12-13

以太网 OTN AVAGO CMOS
东芝推出新系列CMOS多功能门逻辑集成电路

21ic讯东芝公司推出了新系列的CMOS多功能门逻辑器件，支持5V系统，并采用了小型封装，适用于移动电话、智能手机、平板电脑、数码相机和数码摄像机等移动设备。多功能门逻辑集成电路让用户能够根据输入信号的处理状态

模拟
2012-12-12

集成电路东芝封装 CMOS
中科院微电子所在22纳米CMOS技术研发上取得突破性进展

近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在22纳米CMOS关键技术先导研发上取得突破性进展，在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进的高K/金属栅模块的22纳米栅长MOSFET，器件性能良好，达到国内领先

消费电子
2012-12-11

金属微电子中科院 CMOS
什么是三维微电子机械系统（3D MEMS）？

微机电 (MEMS) 技术在电子产品中的地位愈来愈重要，不论是在汽车、工业、医疗或军事上需要用到此类精密的元器件，在信息、通讯和消费性电子等大众的市场，也可以看到快速增长的MEMS应用。 MEMS本质上是一种把微型机

工业控制
2012-12-07

组件微电子机械系统 MEMS CMOS
各厂商争打组合拳助推MEMS市场

MEMS是将微电子和机械结合在一起的一种技术，它的出现已有几十年，但其真正发展是从二十世纪九十年代开始。而最近几年间，MEMS的发展可用“迅猛”来形容。市场调研公司Yole Developpement的研究报告指出，2012年全球

消费电子
2012-12-07

意法半导体三轴加速度计 MEMS CMOS
解析ADC不同类型数字输出及挑战 — 全方位学习模数转换器(ADC)

ADC不同类型数字输出深解在当今的模数转换器(ADC)领域，ADC制造商主要采用三类数字输出。这三种输出分别是：互补金属氧化物半导体(CMOS)、低压差分信号(LVDS)和电流模式逻辑(CML)。每类输出均基于采样速率、分辨率、

模拟
2012-12-06

集成模数转换器 ADC CMOS
专家观点：可显著提升行动晶片效能的FD-SOI制程

随着智慧型手机功能最近不断升级演化，消费者的期望值日益攀升；速度更快的多核心高时脉频率CPU、令人震撼的3D图形、高解析多媒体和高速宽频，现已成为高阶手机的标准配置。同时，消费者还期望手机纤薄轻盈，电池续航

模拟
2012-12-06

晶片泄漏电流 HP CMOS
新芯投6亿美元扩产将成国内最大高端芯片基地

（楚天都市报）昨日，武汉新芯对其扩产调整项目进行第二次环评公示。环评书显示，武汉新芯拟投资6.35亿美元，将其12英寸集成电路生产线项目产能扩大一倍。 2006年，湖北省、武汉市、东湖高新区三级政府出资，成立武

模拟
2012-12-05

中芯国际芯片集成电路芯片 CMOS
新日本无线推出最超低功耗CMOS运放NJU77000系列产品

新日本无线株式会社(总部:东京都中央区　代表取缔役社长　小仓　良) 现已开发了具有超低功耗的单电路CMOS运放系列NJU77000/001*1及NJU77000A/001A*2 共4款产品，并已经开始提供样片了。该运放的消耗电流只有 0.29m

模拟
2012-12-04

无线超低功耗运放 CMOS
忘记各种电脑密码怎么办？解决方法

对于电脑的加密应该是很多朋友都知道，但是平时有时候工作繁忙，事情一多，电脑里面的密码就忘记了，这下电脑也打不开了，别着急，这种情况下，你就好好看看我们的文章，学习学习解密的方法，轻松解决密码难题！下面

智能硬件
2012-12-03

Windows 电脑 CMOS

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CMOS

CMOS型555电路内部电路

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