CMOS

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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件，是组成CMOS数字集成电路的基本单元。

两相步进电动机驱动系统电路

两相步进电动机驱动系统电路

电机控制电路
2013-05-18

步进电动机驱动系统系统电路 CMOS
单片机开发板是什么?

单片机开发板是什么呢?简单来说，它是指集成了许多单片的外围器件,如LED 灯,数码管,按键,行列式按键,步进电机,伺服电机,液晶显示等等用来学习,实验,开发等使用的板子，是一种实验设备(单片机编程)。单片机开发板是在

单片机
2013-05-17

集成低功耗单片机开发板 CMOS
什么是TTL电平、CMOS电平？区别？

什么是ttl电平TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑"1"，0V等价于逻辑"0"，这被称做TTL(晶体管-晶体管逻辑电平)信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技

模拟
2013-05-17

数据传输 COM TTL电平 CMOS
数字隔离器高压可靠性测量

工艺流程和设备的详细展示用于表征我们数字隔离器的长期可靠性，以及他们如何在关键的安全能力方面超越光电耦合器。对于初次使用，设计人员可以在现有电路中使用引脚兼容的基于CMOS的隔离器替换光电耦合器，该基于CM

测试测量
2013-05-17

高压光电耦合器数字隔离器 CMOS
Aptina与LFoundry携手规划CMOS成像未来

Aptina宣布与LFoundry建立牢固的战略合作关系，LFoundry在收购Micron的半导体制造工厂后将继续在意大利阿韦扎诺生产CMOS图像传感器。LFoundry带来了丰富的特种设备代工经验与客户至上的坚定理念，以此来巩固阿韦扎诺

电子设计自动化
2013-05-15

APTINA FOUNDRY MICRON CMOS
CMOS电平和TTL电平

CMOS电平和TTL电平：CMOS逻辑电平范围比较大，范围在3～15V，比如4000系列(4011与非门)，当5V供电时，输出高电平在4.6以上，低电平在0.05V以下;输入在3.5V以上为高电平，1.5V以下为低电平。而对于TTL芯片，供电范围在

模拟
2013-05-08

逻辑电平 MDASH TTL电平 CMOS
CMOS-IC电路

CMOS-IC电路金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由 MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为 CM

模拟
2013-04-26

MDASH JEDEC IC电路 CMOS
一种应用于D类音频放大器的CMOS振荡器的设计

摘要：文中介绍了一种应用于低D类音频功放的CMOS振荡器结构设计，用于对音频信号的调制。振荡器采用内部正反馈的迟滞比较器设计，大大降低了电源电压和环境温度时CMOS振荡器振荡频率的影响。理论分析及仿真结果表明，

模拟
2013-04-23

振荡器 BSP D类音频放大器 CMOS
简单的三相无刷步进电动机驱动电路

简单的三相无刷步进电动机驱动电路

电机控制电路
2013-04-21

计数器驱动电路步进电动机 CMOS
了解高速ADC的数字输出选择

要点1.高端仪表促进了更快的ADC速度和更多的通道数与密度，设计者必须评估转换器的输出格式，以及基本的转换性能。2.主要的输出选项是CMOS(互补金属氧化物半导体)、LVDS(低

电源-LED驱动
2013-04-17

转换器 ADC 高速AD CMOS
TTL电平,CMOS电平,232/485电平，OC门,OD门基础知识

1.RS232电平或者说串口电平，有的甚至说计算机电平，所有的这些说法，指得都是计算机9针串口 (RS232)的电平，采用负逻辑，-15v ~ -3v 代表1+3v ~ +15v 代表02.RS485电平和 RS422电平由于两者均采用差分传输(平衡传输

模拟
2013-04-17

基础知识 VI TTL电平 CMOS
TTL与COMS电平,特性,比较及注意事项

1.CMOS电平：'1'逻辑电平电压接近于电源电压，'0'逻辑电平接近于0V。噪声容限很大2.TTL电平：输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高

模拟
2013-04-15

电平 TTL COM CMOS
TLC5615的特点是什么？

试说明TLC5615的特点。答:10位CMOS电压输出;5 V单电源工作;与微处理器3线串行接口(SPI);最大输出电压是基准电压的2倍;输出电压具有和基准电压相同的极性;建立时间12.5μs;内部上电复位;低功耗，最高为l.75 mW;引脚

单片机
2013-04-09

输出电压基准电压 TLC5615 CMOS
一种采用CMOS 0．18μm制造的带EBG结构小型化的片上天线

摘要：采用标准0．18μm CMOS工艺设计制造了一种带EBG(电磁带隙)结构的小型化片上天线。该片上天线由一根长1．6 nm的偶极子天线以及一对一维的尺寸为240μm×340μm EBG结构构成。分别对该EBG结构以及片上

测试测量
2013-03-25

天线仿真 BSP CMOS
CMOS和TTL电路简单介绍

1，TTL电平：输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。2，CMOS电平：1逻辑电平电压接近

模拟
2013-03-20

电路 TTL COM CMOS
富士通半导体推出CMOS转换器解决方案系列之首款28nm ADC产品

21ic讯富士通半导体(上海)有限公司日前宣布，高速数据转换器的市场领军供应商富士通半导体欧洲(FSEU)在高速ADC上取得最新突破，这将使得在世界范围内大规模部署单波长100Gbps的光传输系统成为可能。结合富士通在混合

通信技术
2013-03-18

半导体富士通 ADC CMOS
意法半导体通过CMP提供130纳米H9A模拟CMOS制程

21ic讯意法半导体(STMicroelectronics)与CMP(Circuits Multi Projets®)携手宣布即日起通过CMP向大学、研究实验室和设计企业提供意法半导体的H9A CMOS制程(130纳米光刻技术节点)，该样片试制服务可提供大量模

模拟
2013-03-15

微电子意法半导体模拟CMOS CMOS
东芝扩充CMOS-LDO稳压器集成电路阵容

21ic讯东芝公司(Toshiba Corporation)已经凭借300mA单输出"TCR3DF系列"扩充了其专为移动设备打造的CMOS-LDO稳压器集成电路的阵容。"TCR3DF系列"具有低压差、低输出噪音和高速负载瞬态响应等特性。该系列的样品将于

模拟
2013-03-15

东芝稳压器 LDO CMOS
佳能研发出以35mm CMOS为基础的超高感度传感器

尽管各厂现有的全片幅旗舰机在低光的表现都有着相当恐怖的表现，但在录像时由于受制于快门速度的限制，所以现有感光组件的低光能力，还是很难表现出几近黑暗下的拍摄场合 -- 事实上，若是想要在低光下拍摄凝结的照片

工业控制
2013-03-12

传感器佳能组件 CMOS
Aptina与LFoundry合作规划CMOS成像传感器未来

Aptina日前宣布与LFoundry建立牢固的战略合作关系，LFoundry在收购Micron的半导体制造工厂后将继续在意大利阿韦扎诺生产CMOS图像传感器。LFoundry带来了丰富的特种设备代工经验与客户至上的坚定理念，以此来巩固阿韦

工业控制
2013-03-11

传感器 APTINA FOUNDRY CMOS

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