世界晶圆代工业进入21世纪以来尽管有所起伏,但自2010年达到约300亿美元的规模以后,将迈向连年上升的态势,2011年增长6.4%,近320亿美元,预计今年将加速成长15%,达约365亿美元,并期望2018年可成长到630亿美元,2
十种方法:解决电脑出现的无法启动故障
可植入、可消化、可互动、可互操作以及支持因特网,这些医疗设备现在及未来独特的需求都要求合适的IC工艺技术与封装。本文将对医疗半导体器件采用的双极性(bipolar)与CMOS工艺进行比较,并将对需要重点注意的部分封装
如今主板的集成度越来越高,维修主板的难度也越来越大,往往需要借助专门的数字检测设备才能完成。不过,有些主板常见故障并不需要专门的检测设备,你自己即可动手解决,下面是一些最典型的主板故障维修实例,希望大
高清网络高速球是在传统模拟高速球的基础上发展而来,在其基础上,增加高清一体化机芯、视音频编码模块、网络接入模块,即可构成一个基本的网络型高速球,实现高清影音数据和控制数据通过网络这一介质进行可靠传输。
基于单片机CMOS汽车电子调节器引言汽车电子化程度现已成为国际衡量汽车先进水平的重要标准,也正是由于这个原因推动和刺激当前汽车电子这一行业不断向前发展,各国都竞相发展,不断应用高新技术,提高汽车电气化性能
在晶圆代工领域一直居于台积电(TSMC)之后的联电(UMC),可望藉由率先采用FinFET制程技术,领先其竞争对手一步。尽管十年前,台积电是最初发起FinFET构想的主要企业之一。但依照联电与IBM签署的授权协议,最快在2014年
在晶圆代工领域一直居于台积电(TSMC)之后的联电(UMC),可望藉由率先采用 FinFET 制程技术,领先其竞争对手一步。 尽管十年前,台积电是最初发起 FinFET 构想的主要企业之一。但依照联电与 IBM 签署的授权协议,最快
主板常见故障分析及维修24例
3 仿真分析及具体设计结果3.1 仿真分析在亚微米的ESD结构的设计中,一种常见的具体的ESD瞬态检测电压如图2 VDD-VSS间的电压钳位结构。其原理如下:主要利用结构中的RC延迟作用,一般T=RC被设计为100ns-1000ns之间,而
1 引言ESD(Electric Static Discharge)保护结构的有效设计是CMOS集成电路可靠性设计的重要任务之一,其ESD结构与工艺技术、特征尺寸密切相关,随着IC工艺技术的进一步发展,特征尺寸越来越小,管子的栅氧层厚度越来越
手机摄像头最早出现在日系的手机上,诺基亚7650是最早把手机摄像头带到全世界面前的产品。早期手机摄像头只是玩具,记录生活都是不够格的,外出旅游数码相机还是必须要带的。但是随着技术的发展,和摩尔定律的必然
手机摄像头最早出现在日系的手机上,诺基亚7650是最早把手机摄像头带到全世界面前的产品。早期手机摄像头只是玩具,记录生活都是不够格的,外出旅游数码相机还是必须要带的。但是随着技术的发展,和摩尔定律的必然
相对于CCD传感器的精细与昂贵,CMOS很好的解决了成本以及高清图像的处理问题。因此,CMOS在网络监控的大规模应用也就变得不足为奇了。不过,难道"未来之星"的出现,就真的意味着CCD传感器的退休吗?难道在未来的网络监
近年来,随着社会信息化程度不断提高,信息交换量呈爆炸性增长,光纤通信干线系统以其高速、大容量的优点被广泛应用于电信网、计算机网络。2.5 Gb/s超高速光纤通信系统已经投入使用。作为光纤通信系统中光接收机的关
市调机构Yole Developpement稍早前发布了一份针对3DIC与矽穿孔 ( TSV )的调查报告,指出过去一年来,所有使用TSV封装的3DIC或3D-WLCSP平台(包括CMOS影像感测器、环境光感测器、功率放大器、射频和惯性MEMS元件)等
市调机构Yole Developpement稍早前发布了一份针对3DIC与矽穿孔 ( TSV )的调查报告,指出过去一年来,所有使用TSV封装的3DIC或3D-WLCSP平台(包括CMOS影像感测器、环境光感测器、功率放大器、射频和惯性MEMS元件)等
市调机构YoleDeveloppement稍早前发布了一份针对3DIC与矽穿孔(TSV)的调查报告,指出过去一年来,所有使用TSV封装的3DIC或3D-WLCSP平台(包括CMOS影像感测器、环境光感测器、功率放大器、射频和惯性MEMS元件)等产品产值
在晶圆代工领域一直居于台积电 ( TSMC )之后的联电 ( UMC ),可望藉由率先采用FinFET制程技术,领先其竞争对手一步。 尽管十年前,台积电是最初发起FinFET 构想的主要企业之一。但依照联电与IBM 签署的授权协议,最
图像传感器包括CCD与CMOS两种。其中,CCD是“电荷耦合器件”(Charge Coupled Device)的简称,CMOS是“互补金属氧化物半导体”(Complementary Metal Oxide Semiconductor)的简称。CCD是1970年美国