[导读]法国CEA-LETI公司、法国萨瓦大学(Universite de Savoie)及意法半导体(STMicroelectronics)共同分析了在带有65nm工艺CMOS电路的硅晶圆上形成TSV(硅贯通孔)时,TSV对CMOS电路特性的影响(演讲编号:35.1)。以利
法国CEA-LETI公司、法国萨瓦大学(Universite de Savoie)及意法半导体(STMicroelectronics)共同分析了在带有65nm工艺CMOS电路的硅晶圆上形成TSV(硅贯通孔)时,TSV对CMOS电路特性的影响(演讲编号:35.1)。以利用单一MOSFET以及101个逆变器电路构成的环形振荡器电路为对象,调查了形成TSV时所带来的热机械性(Thermo-Mechanical)影响和电气性影响。此为首次在实验水平上查明了TSV与MOSFET间的电气性耦合(电容耦合)作用。
在集成有CMOS电路的Si晶圆上形成TSV时,有两点可能会对CMOS电路的特性造成影响。(1)在以形成TSV为目的的硅晶圆薄化及退火处理,以及将膨胀系数与硅不同的铜填入贯通孔的工序中,MOSFET受到某种热机械性应力,(2)TSV与MOSFET之间发生某种电气性耦合。此次研究小组利用将形成有65nm工艺CMOS电路的硅晶圆基板减薄至15μm,并在该基板上以1万个/mm2的密度形成宽4μm、深15μm的TSV的器件,调查了上述两项影响。
结果表明,上述(1)方面虽然会使pMOS的载流子迁移率发生最大5%左右的变化,但通过TSV与MOSFET之间保持3μm以上的距离,便可避免这一影响。研究小组表示,只要确保这一距离,环形振荡器电路的特性就不会受到影响。
而在(2)方面,将TSV与MOSFET的距离设定为5μm时,两者间的电容耦合使nMOS的导通电流以尖峰脉冲状发生了1%的变化。这一结果与模拟值充分吻合。不过,该电容耦合也未给环形振荡器电路的特性造成影响。(记者:大下 淳一)
形成了利用TSV的三维层叠构造(点击放大)
电容耦合对MOSFET特性的影响(点击放大)
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