作者:宜普电源转换公司(EPC)Michael A. de Rooij博士及张远哲博士面向不同种类的家电,eGaN FET技术在推动无线充电市场的发展扮演着重要的角色 这里展示出由无线充电推动
作者:John Ardizzoni,美国ADI公司 自我年青时代使用7个晶体管的对讲机和AM收音机以来,我们已走过了很长的路。单一功能的设备已不能满足要求,现在便携式电子产品已兼
日前,德州仪器 (TI) 宣布针对智能电话及其它便携式电子产品应用推出四款具备集成型 FET 的 28V、1.5A 线性充电管理 IC - bq2407x系列。bq2407x 系列锂离子电池充电器即便
由于工程师们都在竭尽所能地获得其电源的最高效率,时序优化正变得越来越重要。在开关期间,存在两个过渡阶段:低压侧开关开启和高压侧开关开启。低压侧开启开关至关重要,
由于工程师们都在竭尽所能地获得其电源的最高效率,时序优化正变得越来越重要。在开关期间,存在两个过渡阶段:低压侧开关开启和高压侧开关开启。低压侧开启开关至关重要,
本文来研究如何对反向转换器的FET关断电压进行缓冲。 图1显示了反向转换器功率级和一次侧MOSFET电压波形。该转换器将能量存储于一个变压器主绕组电感中并在MOSFET关闭时
工程师们一般都把RF低噪声放大器设计视为畏途。要在稳定高增益情况下获得低噪声系数可能极具挑战性,甚至使人畏惧。不过,采用最新的GaAs(砷化镓)异质结FET,可以设计出有高
隔离型砖式转换器被广泛应用于电信系统,为网络设备供电,这些转换器可以提供各种标准尺寸及输入/输出电压范围。它们的模块性、功率密度、可靠性和多功能性简化了隔离式电源
本文提出了一种独特但简单的栅极脉冲驱动电路,为快速开关 HPA 提供了另一种方法,同时消除了与漏极开关有关的电路。实测切换时间小于 200 ns,相对于 1 μs 的目标还有一些裕量。其他特性包括:解决器件间差异的偏置编程能力,保护 HPA 免受栅极电压增加影响的栅极箝位,以及用于优化脉冲上升时间的过冲补偿。
全球增强型氮化镓晶体管领袖厂商、致力于开发创新的硅基功率场效应晶体管(eGaN FET)及集成电路的宜普电源转换公司(EPC)宣布推出全新的EPC2045(7 mΩ、100 V)及EPC2047(10 mΩ、200 V)晶体管,在提升产品性能之同时也可以降低成本。而EPC2046(25 mΩ、200 V)比等效MOSFET小型化12倍!
具备前所未有的灵活性和电源保护适用于先进的工业电池应用21ic电源网讯 近日,德州仪器(TI)推出了首款面向高功率锂离子电池应用的单芯片100V高压侧 FET 驱动器。该驱动器可
宜普电源转换公司宣布推出EPC2040功率晶体管,它是一种超小型、具备快速开关性能的氮化镓功率晶体管,面向高速终端应用,可实现优越的分辨率、更快速的响应时间及更高准确度。此外,由于在整个工作温度范围内,器件具有高准确度门限,因此当镭射受热,可确保系统的稳定性。例如该晶体管在LiDAR技术所采用的脉冲式镭射驱动器是理想的器件。LiDAR技术是全自动驾驶汽车的导航系统及扩增实景平台的重要技术。EPC2040的优越性能在这些系统中可以实现更高准确度及分辨率。
功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花时间执行数个供货商所使用的成本缩减策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板,以及更低成本的塑料封装。对于电源设计人员来说,理解
在双十一这堪称春运的节日里,即使增加成倍的快递员也无法承担运送如此量度的包裹,所以往往这个这个时候,我们收到快递的时间比平时晚,甚至是晚上几倍。
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(108~109Ω
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(108~109Ω
EPC2037增强型氮化镓功率晶体管(100 V、1 A、550 mΩ)由一个数字驱动器直接驱动,于采用D类及E类放大器拓扑的无线充电应用中可以实现高频开关及特别优越的性能。
当地时间12日下午1时,诺贝尔奖评选委员会在瑞典斯德哥尔摩的瑞典皇家科学院揭晓了2015年诺贝尔经济学奖得主。美国经济学家安格斯·迪顿(Angus Deaton)荣获该奖项,表彰其在消费、贫穷与福利方面的研究贡献。至
导读:美国半导体研究联盟(SRC)旗下拥有“纳米电子研究创新联盟”(Nanoelectronics Research Initiative;NRI)以及“半导体先进技术研发网络”(Semiconductor Technology Advanced Research Ne
设计和建造隔离,降压DC/DC转换器在可实现标准的5伏输出使用硅MOSFET但具有有限的性能宽输入电压范围和高输出电流,特别是在低负荷和高输入电压。更重要的是,硅成熟,从宽