易于使用的在线功率设计工具可以帮助工程师找出理想的SiC FET设计解决方案
业界首批750V器件为高增长电源应用设定性能基准
作为第三代半导体，SiC凭借着多方面更优异的性能正在向更多应用领域扩展，但不容回避，成本、易用性方面，传统的SiC器件在某些方面仍然稍逊于硅器件，这也让碳化硅器件取代硅器件的发展之路面临挑战。
新产品在碳化硅(SiC)浪涌电流稳健性方面树立新的基准
领先的碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC宣布与益登科技签署代理协议，益登科技是总部位于台湾的半导体产品主要分销商和解决方案供应商。
2020年5月28日，新泽西州普林斯顿：领先的碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC，现已任命刘鲁伟为亚洲销售副总裁。
2020年2月3日，美国新泽西州普林斯顿---美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布推出采用流行的扁平型DFN 8x8表面贴装封装、同时具有业界最低RDS(on)的SiC FET器件UF3SC065030D8和UF3SC065040D8，这些650V SiC FET能够取代已有的标准硅器件，使工程师可以采用比分立设计方法具有更高效率和更高功率密度的解决方案来构建开关电路。
2019年12月9日，美国新泽西州普林斯顿--新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布将推出四种新型SiC FET，其RDS(ON)值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，适用于电动汽车(EV)逆变器、高功率DC/DC转换器、大电流电池充电器和固态断路器等高功率应用。
2019年7月24日，美国新泽西州普林斯顿---新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布，在公司快速发展的650V SiC FET硬开关UF3C FAST产品系列中新增两种TO220-3L封装选项。
