为什么超低阻抗SiC FET受欢迎？

功率半导体开关通常在用于电路设计时，能够在不增加开关损耗的情况下减小电流传导期间的损耗，这是其一大优势。在各种电路保护应用中，器件需要连续传送电流，较低的传导态损耗有利于使系统保持较高的效率，并将产生的废热降至最低。如果在这些应用中需要放心地使用这些功率开关，必须满足各种类型的耐用性标准。

在本文中，我们将讨论最先进的低阻抗功率半导体开关，介绍其关键特性和应用优势。这些开是由UnitedSiC开发，采用堆叠式共源共栅(cascode)技术，其中将一个特殊设计，阻抗低于1mΩ的硅低压MOSFET堆叠在一个阻抗低于10mΩ的650～1200V常开型碳化硅(SiC) JFET之上。所形成的复合器件被称为SiC FET，可以像标准硅器件一样进行驱动，但是与硅IGBT、硅MOSFET和SiC MOSFET相比，具有许多优势。

什么是堆叠式共源共栅?

与包括SiC MOSFET、硅MOSFET和GaN HEMT在内的其他可用功率晶体管相比，常开型SiC JFET的单位芯片面积具有更低的导通阻抗。如图1a所示，当低压MOSFET堆叠在JFET上时，为了实现图1b的共源共栅架构，就形成了低阻抗常关断型开关，称为堆叠式共源共栅，其阻抗是低压MOSFET和SiC JFET阻抗之和，根据所选择的MOSFET和JFET的不同，其阻抗可能比JFET阻抗高5～20%。

显示了8.6mΩ，1200V堆叠芯片UF3SC12009Z的尺寸。由于在组装之前将低压MOSFET预堆叠在JFET上，因此该复合器件与标准组装管芯连接和引线键合设备兼容。而且，很有意义的是，该器件适合用于电源模块，并且还可通过TO247-4L封装提供(器件名称UF3SC12009K4S)。