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英特尔14nm FinFET大幅提升Altera下一代竞争力

Patrick DorseyAltera公司产品营销资深总监14nm FinFET 工艺的杀手锏级应用纵观过去五代的发展，制程微缩在高端器件上平均可提供20%的性能提升。通过下一代高端Stratix 10系列将同时在工艺和架构上实现创新。Altera将

21ic专访
2013-09-24

Altera 英特尔 FINFET FPGA
FinFET创新技术为半导体制造产业带来新变革

FinFET称为鳍式场效晶体管，由于晶体管的形状与鱼鳍的相似性而得到该命名。这是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。FinFET是对场效晶体管的一项创新设计，变革了传统晶体管结构，其控制电流通过的闸门被设计成类

电子设计自动化
2013-09-24

晶体管半导体制造电晶体 FINFET
FinFET技术对移动设备的作用日益重要

FinFET称为鳍式场效晶体管，由于晶体管的形状与鱼鳍的相似性而得到该命名。这是一种新的互补式金氧半导体（CMOS）晶体管。FinFET是对场效晶体管的一项创新设计，变革了传统晶体管结构，其控制电流通过的闸门被设计成

消费电子
2013-09-24

晶体管移动设备电晶体 FINFET
FinFET新技术对半导体制造产业的影响

FinFET称为鳍式场效晶体管，由于晶体管的形状与鱼鳍的相似性而得到该命名。这是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。FinFET是对场效晶体管的一项创新设计，变革了传统晶体管结构，其控制电流通过的闸门被设计成类

消费电子
2013-09-24

晶体管半导体制造电晶体 FINFET
台积电开放创新平台新推三套经验证参考流程

晶圆代工大厂台积电(TSMC)日前宣布，在开放创新平台(Open Innovation Platform，OIP)架构下成功推出三套全新经过矽晶验证的参考流程，协助客户实现 16FinFET 系统单晶片(SoC)与三维晶片堆叠封装设计，电子设计自动化

模拟
2013-09-24

晶片电路台积电 FINFET
FinFET新技术对半导体制造产业的影响

FinFET称为鳍式场效晶体管，由于晶体管的形状与鱼鳍的相似性而得到该命名。这是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。FinFET是对场效晶体管的一项创新设计，变革了传统晶体管结构，其控制电流通过的闸门被设计成类

模拟
2013-09-23

晶体管半导体制造电晶体 FINFET
台积电16nm OIP 3套参考流程确立

台积电宣布16奈米OIP3套全新参考设计流程确立。台积电17日宣布，在开放创新平台(OIP)架构下成功推出3套全新经过矽晶验证的参考流程，协助客户实现16FinFET系统单晶片(SoC)与三维晶片堆叠封装设计;同时更可提供客户即

消费电子
2013-09-23

晶片台积电 IP FINFET
FinFET新技术对半导体制造产业的影响

FinFET称为鳍式场效晶体管，由于晶体管的形状与鱼鳍的相似性而得到该命名。这是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。FinFET是对场效晶体管的一项创新设计，变革了传统晶体管结构，其控制电流通过的闸门被设计成类

电子设计自动化
2013-09-23

晶体管半导体制造电晶体 FINFET
大和证:台积电吃苹果明年首季才进补

iPhone5S推出后燃起外资圈对台积电吃下苹果订单的热情，日商大和证券指出，台积电供货苹果的量，需等到明年首季才会放大，预估明年将出货16.5万片20纳米晶圆给苹果，惟台积电股价已涨至105元短线满足点，将转为区间盘

模拟
2013-09-23

苹果台积电 IPHONE5S FINFET
FinFET新技术对半导体制造产业的影响

FinFET称为鳍式场效晶体管，由于晶体管的形状与鱼鳍的相似性而得到该命名。这是一种新的互补式金氧半导体（CMOS）晶体管。FinFET是对场效晶体管的一项创新设计，变革了传统晶体管结构，其控制电流通过的闸门被设计成

模拟
2013-09-23

晶体管半导体制造电晶体 FINFET
TSMC和Synopsys携手将定制设计扩展到16纳米节点

21ic讯亮点：• Laker定制设计解决方案已经通过TSMC 16-nm FinFET制程的设计规则手册(DRM)第0.5版认证• Laker支持TSMC 16-nm v0.5 iPDK的功能包括：复杂的FinFET桥接规则、双重图形曝光(double-pattern)、

电子设计自动化
2013-09-22

节点 TSMC SYNOPSYS FINFET
FinFET点燃晶圆代工厂战火主流厂商加速导入

半导体业界已发展出运用FinFET的半导体制造技术，对制程流程、设备、电子设计自动化、IP与设计方法产生极大变化。特别是IDM业者与晶圆代工厂正竞相加码研发以FinFET生产应用处理器的技术，促使市场竞争态势急速升温。

消费电子
2013-09-22

晶片晶圆代工应用处理器 FINFET
台积电宣布16奈米OIP 3套全新参考设计流程确立

台积电宣布16奈米OIP 3套全新参考设计流程确立。台积电17日宣布，在开放创新平台（OIP）架构下成功推出3套全新经过矽晶验证的参考流程，协助客户实现16FinFET系统单晶片（SoC）与三维晶片堆叠封装设计；同时更可提供

消费电子
2013-09-22

台积电 IP FINFET
台积电16nm OIP 3套参考流程确立

台积电宣布16奈米OIP3套全新参考设计流程确立。台积电17日宣布，在开放创新平台(OIP)架构下成功推出3套全新经过矽晶验证的参考流程，协助客户实现16FinFET系统单晶片(SoC)与三维晶片堆叠封装设计;同时更可提供客户即

电子设计自动化
2013-09-22

晶片台积电 IP FINFET
FinFET引爆投资热　半导体业启动新一轮竞赛

半导体业界已发展出运用FinFET的半导体制造技术，对制程流程、设备、电子设计自动化、IP与设计方法产生极大变化。特别是IDM业者与晶圆代工厂正竞相加码研发以FinFET生产应用处理器的技术，促使市场竞争态势急速升温。

半导体
2013-09-19

晶片应用处理器 FINFET
台积电16纳米跨大步

台积电（2330）16纳米制程打集体战再迈大步，昨（17）日宣布为16纳米FinFET（鳍式场效晶体管）等先进制程架构的开放创新平台（OIP）提供三套制程设计，协助客户快速导入这项新制程。台积电研究发展副总经理侯永清指

模拟
2013-09-18

晶体管台积电 DM FINFET
台积电推16纳米鳍式参考设计

晶圆代工龙头台积电（2330）昨（17）日宣布，在开放创新平台（OIP）架构下成功推出三套全新经过矽晶验证的参考流程，协助客户实现16纳米鳍式场效晶体管（FinFET）制程系统单芯片与三维芯片（3D IC）堆叠封装设计，电

模拟
2013-09-18

晶体管台积电 FINFET
台积电16nm OIP 3套参考流程确立

台积电今天宣布16奈米OIP 3套全新参考设计流程确立。(图：台积电提供) 台积电(2330-TW)(TSM-US)今(17)日宣布，在开放创新平台（OIP）架构下成功推出3套全新经过矽晶验证的参考流程，协助客户实现16FinFET系统单

模拟
2013-09-17

晶片台积电 IP FINFET
中国半导体产业如何再上台阶？

“工艺是基础，设计是龙头。工艺研发模式、产品设计思路都将发生根本性变化，设计必须与工艺紧密结合。”日前在上海举行的“第六届中国IC设计公司成就奖”颁奖典礼上，中国半导体行业协会IC设计分会理事长魏少军教授

模拟
2013-09-16

半导体产业中国半导体 IC设计 FINFET
FinFET引爆投资热　半导体业启动新一轮竞赛

半导体业界已发展出运用FinFET的半导体制造技术，对制程流程、设备、电子设计自动化、IP与设计方法产生极大变化。特别是IDM业者与晶圆代工厂正竞相加码研发以FinFET生产应用处理器的技术，促使市场竞争态势急速升温。

模拟
2013-09-16

晶片应用处理器 FINFET

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FINFET

英特尔14nm FinFET大幅提升Altera下一代竞争力

FinFET创新技术为半导体制造产业带来新变革

FinFET技术对移动设备的作用日益重要

FinFET新技术对半导体制造产业的影响

台积电开放创新平台新推三套经验证参考流程

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台积电16nm OIP 3套参考流程确立

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台积电宣布16奈米OIP 3套全新参考设计流程确立

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FinFET引爆投资热　半导体业启动新一轮竞赛

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台积电推16纳米鳍式参考设计

台积电16nm OIP 3套参考流程确立

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