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Xilinx宣布与TSMC开展7nm工艺合作

四代先进工艺技术和3D IC以及第四代FinFET技术合作21ic讯赛灵思公司宣布其与台积公司( TSMC)已经就7nm工艺和3D IC技术开展合作，共同打造其下一代All Programmable FPGA、MPSoC和3D IC。该技术代表着两家公司在先进

电子设计自动化
2015-05-29

3d 7nm finfet 赛灵思
Synopsys占九成FinFET投片，Cadence趋于弱势

新思科技(Synopsys)近日宣布其 Galaxy Design Platform 已支援全球九成的 FinFET 晶片设计量产投片(production tapeout)，目前已有超过20家业界领导厂商运用这个平台，成功

嵌入式硬件
2015-04-21

synopsys 嵌入式开发 finfet
Mentor软件可用于TSMC 10nm FinFET 技术早期设计开发

21ic讯 Mentor Graphics公司宣布，TSMC和Mentor Graphics已经达到在 10nm EDA认证合作的第一个里程碑。 Calibre® 实体验证和可制造性设计 (DFM) 平台以及 Analog FastSPICE™ (AFS™) 电路验证平台(

电子设计自动化
2015-04-20

mentor finfet
Synopsys占九成FinFET投片

新思科技(Synopsys)近日宣布其 Galaxy Design Platform 已支援全球九成的 FinFET 晶片设计量产投片(production tapeout)，目前已有超过20家业界领导厂商运用这个平台，成功完成超过100件FinFET投片。包括格罗方德半

电子设计自动化
2015-03-17

synopsys finfet
应用材料公司推出革命性的针对FinFET晶体管和3D NAND器件的电子束量测设备

21ic讯全球领先的半导体、平板显示和太阳能光伏行业精密材料工程解决方案供应商应用材料公司，在加利福尼亚州圣何塞举行的国际光学工程学会(SPIE)先进光刻技术大会上，推出了业界首款在线3D扫描电子线宽量测系统，成

测试测量
2015-03-02

晶体管应用材料 nand 电子束量测 3d finfet
创意电子与Credo共同合作，投入 16 纳米 FinFET+ 芯片开发

弹性客制化 IC 领导厂商 (Flexible ASIC LeaderTM) 创意电子 (GUC) 与全球高速串联解串器 (High-speed SerDes) 创新技术的领导者 Credo，于今日宣布，双方运用台积电 (TSMC) 的 16纳米 FinFET+ 制程技术，共同合作开发高性能网络芯片设计解决方案。

半导体
2015-01-12

16nm 制程技术 finfet
三星14nm工艺芯片开始批量生产

目前手机处理器的发展已经到了一个不上不下的关口，ARM的Cortex-A53、Cortex-A57均已经不算新架构，也有相关产品在售。没有革新的情况下，加大性能的代价就是功耗提升。除了工艺升级之外，笔者已经想不到有什么方法能

半导体
2014-12-16

三星芯片 SoC FINFET
半导体制程进展：明年进入3D设计FinFET制程

近日消息，据digitimes报道，移动装置如智能手机、平板电脑等应用领域，对于半导体芯片的需求走到超低功耗，制程技术从28纳米制程，到20纳米制程，将于2015年进入第一代3D设计架构的FinFET制程，也就是14/16纳米世代

模拟
2014-11-06

半导体台积电 FINFET 3D设计
台积电:明年量产16nm FinFET

继与海思16nm合作之后，台积电16nm更近了。近日消息，台积电联合CEO魏哲家(CC Wei)宣布，将在2015年第二季度或者第三季度初批量投产下一代工艺16nm FinFET，将成为仅次于Intel 14nm的最先进制造技术。根据今天发布的

模拟
2014-10-17

Intel 台积电 CE FINFET
台积电加快16纳米和10纳米制程技术的步伐

台积16纳米提前明年Q2量产台积电提前试产16纳米制程，并加速相关产能建置脚步。设备商透露，台积电16纳米产能预定明年第1季拉升至每月5万片，量产时程可望推进至明年第2季，比预定时间提前一季，将承接苹果下世代处

单片机
2014-10-13

台积电晶圆厂制程技术 FINFET
Cadence为台积电16纳米FinFET+ 制程推出一系列IP组合

令设计者受益于先进制程的更高性能、更低功耗以及更小设计面积Cadence设计系统公司今日宣布为台积电16纳米FinFET+ 制程推出一系列IP组合。 Cadence所提供的丰富IP组合能使系统和芯片公司在16纳米FF+的先进制程上相比

厂商动态
2014-10-08

台积电 IP CADENCE FINFET
Cadence数字与定制/模拟工具通过台积电16FF+制程的认证

双方在10纳米FinFET工艺上的合作可使客户即刻启动设计Cadence设计系统公司今日宣布，其数字和定制/模拟分析工具已通过台积电公司16FF+制程的V0.9设计参考手册(Design Rule Manual，DRM) 与SPICE认证，相比于原16纳

厂商动态
2014-10-08

模拟台积电 CADENCE FINFET
台积电采用Cadence的16纳米FinFET单元库特性分析解决方案

Virtuoso Liberate特性分析解决方案搭配Spectre电路模拟器倍增16纳米FinFET单元库的特性分析速度亮点：• 输出单元库符合台积电对16纳米FinFET STA关联性的严格的精度目标• Cadence的16纳米FinFET v1.0单元

半导体
2014-10-08

台积电特性分析 CADENCE FINFET
台积电以16nm制程取得压倒性胜利

日前，全球首颗以16纳米鳍式场效晶体管(FinFET)的ARM架构网络芯片成果产出，这是由台积电帮助海思半导体双方合作后的成果。根据设备厂透露，这个成果表明了台积电的16纳米技术在面对英特尔以及三星的强力压力下，已

汽车电子
2014-09-29

晶体管英特尔台积电 FINFET
Mentor Graphics工具通过台积电16nm FinFET+工艺制程认证

21ic讯—2014年9月25日,Mentor Graphics公司宣布，基于台积电(TSMC)的SPICE仿真工具认证程序，Analog FastSPICE (AFS™)平台(包括AFS Mega及Eldo®)通过了16nm FinFET+V0.9工艺制程认证。V1.0的认证正在

模拟
2014-09-29

台积电 FINFET MENTOR GRAPHICS
Mentor Graphics工具通过TSMC16nm FinFET+工艺制程认证

21ic讯 Mentor Graphics公司(NASDAQ：MENT)今日宣布，基于台积电(TSMC)的SPICE仿真工具认证程序，Analog FastSPICE (AFS™)平台(包括AFS Mega及Eldo®)通过了16nm FinFET+V0.9工艺制程认证。V1.0的认证正在

模拟
2014-09-28

FINFET TSMC MENTOR GRAPHICS
Sidense采用16nm工艺成功演示1T-OTP的读写能力

和20纳米标准晶体管比较，3D 16纳米 FinFET具有更高性能、更低动态功耗，更小晶体管体积等优点。近日，Sidense公司就采用16纳米CMOS FinFET工艺技术制造的测试芯片，成功演示了1T-OTP位单元架构的读写能力。Sidense

电子设计自动化
2014-09-10

读写 IDE SE FINFET
三星迎向FinFET时代11月量产14纳米AP样品

三星电子(Samsung Electronics)将于11月推出先进代工制程14纳米鳍式场效电晶体(FinFET)样品，而此次应用14纳米制程的应用处理器(AP)试制品，也传出将先提供给高通(Qualcomm)、苹果(Apple)、超微(AMD)等主要客户。据韩

模拟
2014-08-15

三星晶圆代工台积电 FINFET
整体16/14纳米FinFET设备订单恐延一季

Needham&Co.半导体设备分析师EdwinMok27日针对晶圆代工领域提出了透彻分析，认为相关的半导体设备订单有望在今(2014)年下半年攀高，但16/14奈米FinFET(鳍式场效电晶体)订单却将递延一季。barron`s.com报导，Mok发表研

半导体
2014-07-04

晶圆代工台积电半导体设备 FINFET
14nm！三星联合GF为苹果造A9

近日消息，三星电子、GlobalFoundries已经合伙拿下了高通、苹果的未来芯片订单，为他们服务的工艺将是下代14nm FinFET，相关代工服务将从2015年初开始。今年四月份，三星电子宣布与GlobalFoundries达成战略合作，将自

模拟
2014-07-02

三星苹果台积电 FINFET

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