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Qorvo 新增GaN功率放大器
什么是GaN功率放大器?它有什么作用?2019年6月20日 —— 移动应用、基础设施与国防应用中核心技术与 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.(纳斯达克代码：QRVO)今日宣布，发布两款全新的氮化镓(GaN)功率放大器(PA)系列产品--- QPA2212和QPA1022，它们适合国际Ka频段的卫星通信应用与X频段的相控阵雷达应用。这些解决方案提供的功率、线性度和效率可达到行业最高水平，且体积更小，因此这两款器件既能提高系统性能，又能降低成本。
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SiC和GaN用于功率转换的前景分析
相信很多人都听说过半导体，那么你知道碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体在功率应用方面(特别是在电源市场中)比硅半导体具有优势。但是，使用这些宽带半导体(宽禁带)的设计人员面临着现实生活中的挑战。
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电路中的碳化硅
什么是SiC?它的作用是什么?SiC材料在能源解决方案中的应用正在汽车和工业市场中加速发展。制作碳化硅(SiC)晶圆比制作硅晶圆要复杂得多，并且随着对SiC器件需求的增加，制造碳化硅(SiC)器件的公司不得不确定SiC晶圆的来源。
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评估板贸泽开售
此高速子板结合了GaN Systems的两个650 V氮化镓 (GaN) E-HEMT和安森美半导体的NCP51820栅极驱动器，可为现有或新的离线电源转换设计提供高性价比半桥解决方案。
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小尺寸650V GaN HEMT 设计解决方案，GaN Systems GS-EVB-HB-66508B-ON1评估板在贸泽开售
2020年3月16日 – 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1评估板。此高速子板结合了GaN Systems的两个650 V氮化镓 (GaN) E-HEMT和安森美半导体的NCP51820栅极驱动器，可为现有或新的离线电源转换设计提供高性价比半桥解决方案。
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氮化镓(GaN)接替硅，能给电源设计带来什么变化？
在所有电力电子应用中，功率密度是关键指标之一，这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限，设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓(GaN)来提供方案。
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GaN才是高能效、高频电源设计的首选
GaN器件与硅器件是在同一工厂用相同的制造程序生产出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每个晶片可以生产更多的器件，从而降低了每个晶片的成本。
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Qorvo宽带 GaN 功率放大器面市
Qorvo今天推出的这款功率放大器是专为通信应用和测试仪表应用而设计，拥有多项性能突破：它能够在 2-20 GHz 的频率范围提供业界领先的 10 瓦 RF 功率以及 13dB 大信号增益和 20-35% 的功率附加效率。
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宜普电源转换公司(EPC)将于APEC 2020展览会展示氮化镓(GaN)技术推动了多个行业的功率传输转型
EPC公司将于是次展览会展出多个演示品，为工程师阐释具备行业领先性能的氮化镓器件如何推动多个行业的功率传输转型，包括运算、通信及电动汽车等行业。
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台积电宣布与意法半导体合作加速市场采用氮化镓产品
2月21日消息，台积电昨日宣布，与意法半导体合作加速市场采用氮化镓产品。意法半导体预计今年晚些时候将首批样品交给其主要客户。 台积电 台积电与意法半导体将合作加速氮化镓（Gallium Nitrid
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Qorvo®推出业内最高性能的宽带 GaN 功率放大器
GaN 技术助力通信系统实现了性能突破
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Nexperia与Ricardo合作开发基于GaN的EV逆变器设计
领先的汽车咨询公司在技术演示器中采用Nexperia已获AEC-Q101认证的GaN FET器件
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GaN在军事中的应用
雷达，电子战（EW）和通信系统越来越多地利用氮化镓（GaN）技术来满足对高性能，高功率和长寿命周期的严格要求。与此同时，产量上升会导致价格下降，也使GaN可以跨越多个市场。
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GaN克服得了5G基站耗电巨大？
进入2020年，将是移动通讯的巨大机遇期，移动通信领域正在发生巨大变化：第五代蜂窝网络技术(也称为5G)服务在陆续推出。消费者目前已经开始体验5G技术的优势，它不仅能够凭
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5G基站耗电巨大
因此，可以明确地看到为什么5G对电力需求如此之高。一些5G网络提供商在搭建网络和提供服务时对于MIMO苦不堪言，甚至在讨论是否可以将基站的收发器数量降低为32T32R以节省功率，但这样会极大地限制网络容量。
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高效发光的GaN Micro LED
随着科学技术的发展，LED技术也在不断发展，为我们的生活带来各种便利，为我们提供各种各样生活信息，造福着我们人类。产业技术综合研究所和东北大学于2019年7月宣布，他们开发了一种在电流密度较低情况下也能保持发光效率的GaN(氮化镓)Micro LED。他们试做的GaN Micro LED尺寸仅为6μm见方，如果把这款GaN Micro LED以较高的密度排列的话，就可以获得高效率、高分辨率的Micro LED显示屏。
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基于GaN器件技术的LED
繁华的城市离不开LED灯的装饰，相信大家都见过LED，它的身影已经出现在了我们的生活的各个地方，也照亮着我们的生活。只有想不到的，没有做不到的，LED领域*近都有哪些新技术值得关注?GaN Micro LED年复合增长率将达43.5%。氮化镓(GaN)化合物半导体曾经被推广到LED芯片当作衬底，尽管LED已属成熟市场，但这些技术在功率电子和LED照明仍具备很大增长空间。
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氮化镓功率器件解析
随着社会的不断进步，技术的不断发展，科技产品也日新月异，产品都需要功率器件，好的功率器件需要更好的设计者来设计，功率器件对电子产品是功不可没的。分立、逻辑和 MOSFET 器件的专业制造商Nexperia，推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。
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GaN Systems和安森美共同发布半桥评估板
采用GaN Systems的650 V，30 A GaN E-HEMT和安森美半导体的NCP51820高速栅极驱动器，共同组成了一套高速半桥GaN系统评估板。该套件采用25mm x 25mm的布局
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LED中的氮化镓技术
现在大街上随处可见的LED显示屏，还有装饰用的LED彩灯以及LED车灯，处处可见LED灯的身影，LED已经融入到生活中的每一个角落。氮化镓技术(GaN)在LED应用中早已不是什么新鲜事儿，最早GaN的开发初衷就是为LED而生，之后的科研人员才开始基于GaN的高频特性，陆续在射频、功率等领域进行探索。
