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研究显示：0.1%的用户消耗了过半LTE数据流量[图]

北京时间1月24日消息（艾斯）根据网络技术公司Arieso的一份最新研究报告显示，全球0.1%的LTE用户消耗了整个LTE下行数据的超过一半。这份研究报告表明，一小部分高带宽消费者正消耗着全球绝大多数的数据流量，甚至比

通信技术
2014-01-24

LTE 数据流 3G GAN
Soraa推出世界首款高显色230V LED GU10灯

美国公司Soraa近日发布了世界首款高显色、高光输出、230V线电压LEDGU10灯。该公司已率先发布了独有的10º版本(这是卤素灯或其他LED厂商所不具备的)，以及一个25º的版本，其峰值光密度比卤素灯和所有其他LED

半导体
2014-01-24

LED 光谱 VI GAN
HIS系统未来的发展方向在哪里？

目前，HIS系统在医院管理中的应用越来越广泛，其作用也越来越大，但随着医院各种设备联网和大数据时代，以及医院业务的内生需求，对HIS提出了新的要求。我们不禁在问，我国HIS系统的未来的发展方向究竟在哪里？医院C

消费电子
2014-01-22

进程数据中心数据挖掘 GAN
Molex在中国成都开设全新高科技全球模具中心

为了更好地满足全球电子行业对创新型可靠精密互连解决方案的需求，Molex公司在其位于中国成都高新技术开发区(Chengdu Hi-Tech Development Zone)的运营场所开设了全新的全球模具中心，扩大公司的全球模具能力。该2

厂商动态
2014-01-20

模具 MOLEX DEVELOPMENT GAN
Molex在中国成都开设全新高科技全球模具中心

2014年1月17日，为了更好地满足全球电子行业对创新型可靠精密互连解决方案的需求，Molex公司在其位于中国成都高新技术开发区(Chengdu Hi-Tech Development Zone)的运营场所开设了全新的全球模具中心，扩大公司的全球

消费电子
2014-01-20

模具 MOLEX DEVELOPMENT GAN
黑莓宣布向德国一软件公司售出1000部手机

黑莓发布声明，该公司与一家德国软件公司达成购买1000部BB10智能手机的协议。而在过去的鼎盛时期，黑莓每小时的手机销量近7000部。近来黑莓境况艰难，它不得不时刻提醒人们它仍然在开门营业。自10月以来，该公司不断

通信技术
2014-01-17

软件黑莓 GAN
黑莓宣布刚售出1000部手机

1月17日消息，据外国媒体报道，黑莓发布声明，该公司与一家德国软件公司达成购买1000部黑莓10智能手机的协议。而在过去的鼎盛时期，黑莓每小时的手机销量近7000部。近来黑莓境况艰难，它不得不时刻提醒人们它仍然在开

通信技术
2014-01-17

软件黑莓 GAN
诺基亚控告HTC侵犯其专利案件遭德国法院否决

与其他科技公司一样，诺基亚这段时间以来一直忙着诉讼案件。在欧洲，诺基亚之前在英国已经赢得了禁售HTC手机的诉讼案件。但是，尽管赢得了这次与HTC的专利诉讼案，HTC One及One mini并没有被禁售。但是，诺基亚现在在

通信技术
2014-01-10

诺基亚手机软件 HTC GAN
新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈

与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功

半导体
2014-01-10

元件功率半导体 SIC GAN
如何使用氮化镓第四章：在高频降压转换器的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）

我们在之前章节谈论了使用氮化镓场效应晶体管在驱动器及版图方面的考虑因素从而提高性能。本章我们会探讨在高频降压转换器使用最优版图并在1 MHz频率开关时可实现高于96%效

功率器件
2014-01-09

降压转换器氮化镓 FET GAN
新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈

SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后

半导体
2014-01-08

元件功率半导体 SIC GAN
芯片级拆解：全面剖析新型LED灯泡设计的艺术

时下，LED照明技术正掀起产业革命旋风。LED照明灯泡厂商正致力于快速提高性能和降低LED灯泡价格。去年，普通家庭款式的LED灯泡，如A19LED灯泡售价在20美金至60美金之间，当时已具有非常高的性价比。今年，高端的LED灯

显示光电
2014-01-06

芯片级 LED芯片 LED灯泡 GAN
新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈

与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功

半导体
2014-01-04

元件功率半导体 SIC GAN
新一代功率半导体加速导入元器件厂商拼杀

与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功

消费电子
2014-01-03

功率半导体元器件 SIC GAN
新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈

与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功

消费电子
2014-01-03

元件功率半导体 SIC GAN
新一代功率半导体：元件开发竞争激烈，亚洲企业纷纷涉足

与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功

电子设计自动化
2014-01-03

元件功率半导体 SIC GAN
新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈

与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功

电子设计自动化
2014-01-03

元件功率半导体 SIC GAN
新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈

SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后

模拟
2014-01-02

元件功率半导体 SIC GAN
汽车共享业正从快速扩张步入盈利时代

[摘要] 清洁技术市场调研与咨询公司Navigant Research预计，2013年初到年末，全球加入汽车共享的成员已从230万增加到1200万。　　随着消费者对开车燃油成本逐年上升愈加失望，以及购车欲望的下降，汽车共享

汽车电子
2014-01-02

汽车 IPC VI GAN
元件开发竞争激烈亚洲企业纷纷涉足

与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功

电子设计自动化
2013-12-31

元件功率半导体基板 GAN

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GAN

研究显示：0.1%的用户消耗了过半LTE数据流量[图]

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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈

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