功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花时间执行数个供货商所使用的成本缩减策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板,以及更低成本的塑料封装。对于电源设计人员来说,理解
尽管我们现在看似生活在一个非常文明的时代,但是无奈依然还是有一些“不文明”的人存在,很不幸,我们经常会看到女性朋友遭受攻击,酿成悲剧,这一情况在印度特别的明显。那么我们的女性朋友能怎么办?出门随身带一个狼牙棒,一个哨子,还是说防狼喷雾,或者电击器?
《无线电源手册》第二版是全新增订本,旨在帮助工程师如何发挥氮化镓功率晶体管的卓越性能以设计出面向无线电源传送系统的高效放大器。宜普电源转换公司宣布推出《无线电源
Ampleon公司宣布,北京建广资产有限公司成功收购恩智浦半导体的RF电源业务后,建立Ampleon公司的全球业务运作。Ampleon公司负责整体射频(RF)电源业务活动,包括LDMOS和GaN RF电源产品的销售和支持,立即生效。Ample
Ampleon公司宣布,北京建广资产有限公司成功收购恩智浦半导体的RF电源业务后,建立Ampleon公司的全球业务运作。Ampleon公司负责整体射频(RF)电源业务活动,包括LDMOS和GaN RF电源产品的销售和支持,立即生效。Ampleon公司在世界各地的16个工程技术、销售和制造设施拥有1,250名员工,公司总部位于荷兰奈梅亨,凭借50多年的产品创新和卓越工程实力而建立。
据DIGITIMES网站报道,丰田首款量产型燃料电池汽车Mirai 的上市,使得燃料电池汽车受到广泛关注。尽管燃料电池汽车的性能已经适于商业化生产,汽车产业仍然致力于解决大规
21ic讯,TDK 集团最近推出了一款新型爱普科斯 (EPCOS) N59 铁氧体磁材,其具有高频低损耗的特性。该磁材专门为电源及变频器(配备基于 GaN 的快速切换功率半导体)应用而开发,优化后的频率范围为 700 kHz 至 2 MHz。
1997年,日亚化学成功研发世界首个发光波长为371 nm的GaN基紫外发光LED。2003年,美国SETi公司开发出波长为280 nm的A1GaN基深紫外LED。2014年10月24日,诺贝尔物理学奖获得者之一天野浩在记者见面会上介绍了自己正在
美国公司Soraa计划在纽约锡拉丘兹开设一家半导体制造工厂。该公司将与纽约州达成合作,共同新建一家先进的氮化镓基板(GaN on GaN)LED制造工厂。据悉,新工厂将雇用数百名工人。 在与纽约州立大学纳米科学与工程学院的
随着LED技术不断发展,其发光波长已经由可见光波段拓展到深紫外波段,其技术逐渐成熟和成本下降将使得紫外LED应用更加广泛,甚至可能超越目前的蓝光LED。从深紫外LED的发光
2015中国LED供应链大会在马鞍山召开。本次大会以“推动联合、促进创新”为主题,来自行业主管部门领导、协学会专家、企业高层的百余人围绕一系列产业热点问题进行
根据IDC最新研究结果显示,截至2020年,全球将有295亿个装置被连结,进而创造高达1.7兆美金的物联网市场规模。其中,透过串接人、流程、事(装置)与资料就能创造6,780亿美金的市场商机。 IDC亚太区行动化与物联网研究
功率氮化镓 (GaN) 器件是电源设计人员工具箱内令人激动的新成员。特别是对于那些想要深入研究GaN的较高开关频率如何能够导致更高频率和更高功率密度的开发人员更是如此。 RF GaN是一项已大批量生产的经验证技术,由于其相对于硅材料所具有的优势,这项技术用于蜂窝基站和数款军用/航空航天系统中的功率放大器。在这篇文章中,我们将比较GaN FET与硅FET二者的退化机制,并讨论波形监视的必要性。
移动设备、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo,Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布推出一系列创新产品,旨在加速高速有线电视 (CATV) DOCSIS 3.
EPC2037增强型氮化镓功率晶体管(100 V、1 A、550 mΩ)由一个数字驱动器直接驱动,于采用D类及E类放大器拓扑的无线充电应用中可以实现高频开关及特别优越的性能。
随着人们对于环境保护问题变得越来越重视,汽车的电气化工作也被逐渐提上了日程。由于电动汽车在实际应用过程中不仅具有税收方面的优势,而且其还具有零排放零污染等特点。
随着人们对于环境保护问题变得越来越重视,汽车的电气化工作也被逐渐提上了日程。由于电动汽车在实际应用过程中不仅具有税收方面的优势,而且其还具有零排放零污染等特点。
21ic讯 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo, Inc.(纳斯达克代码:QRVO)日前宣布推出一款极具成本效益的高性能 Ka 波段 3W GaN 功率放大器,用于传输高速互联网数据的商用 VSAT 卫
21ic讯 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo, Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布,已成功地将专有的碳化硅(SiC)基QGaN25氮化镓(GaN)工艺技术扩展用于在6英寸晶圆上生产单片微波集
设计和建造隔离,降压DC/DC转换器在可实现标准的5伏输出使用硅MOSFET但具有有限的性能宽输入电压范围和高输出电流,特别是在低负荷和高输入电压。更重要的是,硅成熟,从宽