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将电磁感应加热应用的IGBT功率损耗降至最低
近年来，人们使用的电器产品数量不断增多，致使每个家庭内的总能耗稳步上升，不仅大多数西方国家是这样，新兴国家亦是如此。与这些能耗相关的成本也已经增加，因为燃料资源
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透过IGBT热计算来优化电源设计
多数半导体组件结温的计算过程很多人都知道。通常情况下，外壳或接脚温度已知。量测裸片的功率耗散，并乘以裸片至封装的热阻(用theta或θ表示)，以计算外壳至结点的温
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智能IGBT门驱动耦合器接口ACPL-339J
简介ACPL-339J是一种先进的智能IGBT门驱动耦合器接口，支持1.0A双输出，易于使用。ACPL-339J 经独特设计支持具有灵活电流额定值的MOSFET的电流缓冲器，使得系统设计师能够更加轻松地通过互换MOSFET缓冲器和功率IGB
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Vishay的新款NTC热敏电阻管芯为用户提供与IGBT相同的安装方式
高稳定性器件采用金、银金属层，支持导线键合、焊接和纳米银膏烧结21ic电源网讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布两个新的无引线NTC热敏电阻裸片---NTCC300E
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英飞凌推出新型低饱和压降VCE(sat) IGBT
英飞凌科技股份公司近日推出新型低饱和压降VCE(sat) IGBT。此类IGBT 专门针对 50Hz 至20kHz 的低开关频率范围进行了优化。这个范围的开关频率常见于不间断电源 (UPS) 以及
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Vishay 推出采用Punch Through(PT)和Field Stop(FS)技术的新Trench IGBT平台
600V和650V IGBT具有低 VCE(ON) 、快速和软开关特性，可用于电机驱动、UPS、太阳能电池和焊接逆变器21ic电源网讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布采用Punch
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意法半导体(ST)推出全新M系列IGBT 有效提升太阳能及工业电源的能效和可靠性
21ic电源网讯 意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)推出全新M系列1200V IGBT，以先进的沟栅式场截止技术 (trench-gate field-stop) 为特色，有效提升太阳能逆变器 (sol
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IR为混合动力汽车和电动车推出坚固耐用的600V 车用IGBT产品
21ic电源网讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日发布600V车用IGBT产品AUIRGP66524D0和 AUIRGF66524D0，针对混合动力汽车和电动车中的小型辅助电机驱
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充放电型IGBT关断缓冲吸收电路
为了使IGBT关断时的过电压能得能更有效的抑制并减小IGBT的关断损耗，通常都需给IGBT主电路设置关断缓冲吸收电路。
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英飞凌推出额定电流高达 120A 的新型 TO-247PLUS 封装
21ic电源网讯 英飞凌科技股份有限公司针对大功率应用扩大分立式 IGBT 产品组合，推出新型 TO-247PLUS 封装，可满足额定电流高达 120A 的 IGBT封装，并在相同的体积和引脚内
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首批国产8英寸IGBT芯片宣布调试达标
日前，中国南车株洲所发布声明称，装有中国首批自主研发8英寸IGBT芯片的模块在昆明地铁车辆段完成段内调试，并稳定运行一万公里，各项参数指标均达到国际领先的水准。这意味着，由中国南车株洲所下属公司南车时代电
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IR 推出1200V Gen8 IGBT系列 提升工业应用的基准效率和耐用性
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新一代绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT平台适用于符合行业标准的TO-247封装，并
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Littelfuse推出额定值高达1700V和450A的模块 扩充其IGBT产品
标准和定制解决方案可满足严苛要求Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。 IGBT功率模块提供广泛
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4.5kV IGBT/二极管芯片组在高压直流输电领域的应用
制造商已经为高压直流 (HVDC) 应用开发出新的 4.5kV 绝缘栅双极晶体管 (IGBT)/ 二极管芯片组并对其性能进行了优化 。这种芯片组的特点是导通电压损耗非常低、具备大电流高电压快速开通行为和高鲁棒性的短路行为。在
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21ic新闻大爆炸：西班牙智能电表惊现漏洞
1、西班牙智能电表惊现漏洞 可导致大面积停电近来，研究人员发现西班牙所使用的智能电表中存在安全漏洞，此次西班牙电表中发现的安全漏洞可能允许黑客进行计费欺诈甚至关闭整个电路系统，造成大面积停电事件发生。原
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IR推出650V器件以扩充超高速沟道IGBT系列
适合工业用电机、焊接、太阳能、感应加热和不间断电源应用21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出多款坚固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以扩充绝缘栅
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国家智能电网项目首次采用国产高压大功率IGBT芯片
集成电路(俗称“芯片”)的研发应用，我国与发达国家存在较大差距。在电力领域，进口芯片一直处于垄断强势地位，长期以来，我国输变电设备与配用电设备中的核心芯片进口产品分别占到95%和80%，芯片已经成为
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MOSFET选择策略详解
在70年代晚期推出MOSFET之前，晶闸管和双极结型晶体管(BJT)是仅有的功率开关。BJT是电流控制器件，而MOSFET是电压控制器件。在80年代，IGBT面市，它仍然是一种电压控制
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日益壮大的ROHM最新功率元器件产品阵容
前言全球知名半导体制造商ROHM利用多年来在消费电子领域积累的技术优势，正在积极推进面向工业设备领域的产品阵容扩充。在支撑“节能、创能、蓄能”技术的半导体
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IR第八代IGBT技术平台和IR3847 SupIRBuck荣获 “2014中国年度电子成就奖”
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布旗下第八代 (Gen8) 1200V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术平台和IR3847 SupIRBuck大电流集成式稳压器荣膺业界闻名的&
