中国上海,2025年7月8日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,与中国知名OEM厂商奇瑞汽车股份有限公司(以下简称“奇瑞”)于2025年6月5日在奇瑞总部共同举办的“奇瑞-罗姆供应链技术共创交流日”圆满落幕。奇瑞汽车股份有限公司执行副总裁 高新华博士、罗姆高级执行官 阪井 正树等多位高层领导出席本次活动。双方技术专家及供应链核心伙伴齐聚一堂,共话汽车电子前沿技术,致力于为未来智慧出行注入强劲创新动力。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
在新能源汽车产业蓬勃发展的浪潮中,功率器件作为核心 “大脑”,其重要性不言而喻。回顾过往,IGBT 主导了新能源汽车的上半场,而如今,SiC 正加速上车,开启新的发展周期。
【2025年6月18日, 德国慕尼黑讯】随着纯电动汽车(BEV)和插电式混合动力电动汽车(PHEV)销量的快速增长,电动汽车市场的发展在不断加速。预计到 2030 年,电动汽车的生产比例将实现两位数增长,从2024年的20%增长至45%左右 [1]。为满足对高压汽车IGBT芯片日益增长的需求,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出新一代产品,包括为400 V和800 V系统设计的 EDT3(第三代电力传动系统)芯片,以及为 800 V 系统量身定制的RC-IGBT 芯片。这些产品能够提高电力传动系统的性能,尤其适用于汽车应用。
IGBT常采用的一体式封装设计,其中不仅集成了IGBT芯片,还包含了二极管芯片
IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点。
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【2025年3月31日, 中国上海讯】三十载精“芯”“质”造,阔步新征程。日前,英飞凌无锡工厂迎来了在华运营三十周年的里程碑。历经三十年的深耕发展,无锡工厂已成为英飞凌全球最大的IGBT生产基地之一,生产的产品广泛应用于当前快速发展的电动汽车、新能源、消费电子、工业等多个领域,助力产业向智能化、绿色化方向发展。
TDK株式会社(东京证券交易所代码:6762)新近推出爱普科斯 (EPCOS) EP9系列变压器(订购代码:B82804E)。相比于专为IGBT及FET栅极驱动电路而设计现有E10EM系列表面贴装变压器,新系列元件尺寸更为紧凑,且优异性能可满足500 V系统电压的严苛汽车及工业应用要求,同时具备绝缘性能好、耦合电容超低和耐热性强的特点。该新系列产品迎合了TDK积极推动绿色转型,迈向更加电气化和可持续未来的理念。
制造商和消费者都在试图摆脱对化石燃料能源的依赖,电气化方案也因此广受青睐。这对于保护环境、限制污染以及减缓破坏性的全球变暖趋势具有重要意义。电动汽车 (EV) 在全球日益普及,众多企业纷纷入场,试图将商用和农业车辆 (CAV) 改造成由电力驱动。
在电力电子系统中,特别是使用IGBT或MOSFET等功率元件时,死区时间非常重要。它确保在一个功率元件关闭后,另一个元件才能开启,从而避免同时导通导致的短路风险。
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2024年11月26日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌的HybridPACK™ Drive G2模块。HybridPACK Drive G2模块基于HybridPACK Drive G1,在相同的紧凑尺寸下提供更高的功率密度。HybridPACK Drive G2模块是一款高效率的汽车功率模块,适用于电动汽车 (EV) 以及混合动力电动汽车 (HEV) 的牵引逆变器。
绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)作为现代电力电子领域中的核心器件,以其高电压、大电流、高频率等特性,广泛应用于变频器、开关电源、轨道交通、电动汽车及新能源等领域。然而,随着IGBT向高功率和高集成度方向发展,其发热问题日益突出,对散热系统的要求也越来越高。
DC-DC转换器是一种机电设备或电路,用于根据电路要求将直流电压从一个电平转换到另一个电平。作为电力转换器家族的一部分,DC-DC转换器可用于小电压应用,如电池,或高电压应用,如高压电力传输。
该系列产品支持多种拓扑结构、电流和电压范围
面向空调、家电和工厂自动化等工业电机驱动装置和充电站、储能系统、电源等能源应用的功率控制
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