日前,我们从官方获悉,比亚迪IGBT项目在长沙正式动工。据悉,该项目总投资10亿元,将建成年产25万片8英寸新能源汽车电子芯片生产线,投产后可满足年装车50万辆新能源汽车的产能需求。 IGBT(Ins
变频器凝露的危害 自然条件下的空气,是由少量尘埃、水汽以及绝干空气所组成。空气所能够容纳的水汽与环境温度成正比,即环境温度越高,空气就能够容纳更多数量的水汽。而所谓的露点温度,是
点击上方蓝字关注我们请私信我们添加白名单如果您喜欢本篇文章,欢迎转载!电动机的大功率驱动系统是工业自动化和机器人系统的关键组件,因为它们消耗的电能超过一半。这些驱动系统在实现节能方面具有核心作用。自动化的步伐不断加快,使电机驱动系统成为未来行业的核心。在更大功率下提高能效和可靠性...
2018年12月,比亚迪全资子公司比亚迪微电子发布了全新一代车规级IGBT标杆性产品—;—;比亚迪IGBT 4.0。别看IGBT芯片只有“指甲盖大小”,它却让中国半导体行业“芯”痛良久。 IGBT(I
IPM是一种混合集成电路,它将大功率开关元件和驱动电路、保护电路、检测电路等集成在同一个模块内,这种功率集成电路特别适应逆变器高频化发展方向的需要。其产品外形及内部结构如图1-15所示。
更大的环境污染率和政府严格的车辆能效法规正在推动交通领域的新技术投资
(文章来源:汽车科学岛) IGBT_insulated gate bipolar transisitor,释义为绝缘栅双极晶体管;在电驱领域所谓的IGBT芯片一般指模块,其概念与结构特点
点击上方蓝字关注我们请私信我们添加白名单如果您喜欢本篇文章,欢迎转载!推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),继续扩充用于工业电机驱动应用的产品阵容,以进一步帮助客户解决他们的具体设计挑战。电机驱动系统正随着工业自动化及机械人激...
3 月 5 日讯,计划建设集成电路制造生产线的长沙比亚迪 IGBT 项目正式启动建设,该项目致力于解决新能源汽车电子核心功率器件“卡脖子”问题。 据了解,比亚迪近年来一直致力于微电子领域
老司机手把手教你快速拆卸变频器IGBT模块 工欲善其事,必先利其器。怎样才能拆一个IGBT模块只用十分钟呢? 最好用的就是一把大功率烙铁加空压机,烙铁融化后用气枪一吹就干净了,如
由于世界各国不断关注节能问题,使节能型消费类产品的需求持续上升,尤其是电冰箱、洗衣机和空调等白家电产品。除了节能,白家电设计的挑战包括尺寸、散热、可靠性、噪声及外观设计等。如今,在白家电设计中具
你知道什么是IGBT后极高频机吗?本文主要讲了有关IGBT后极高频机的性能指标、使用说明、频率及脉宽调节、电池电压、机内温度等内容,下面来学习学习吧。
什么是高效能IGBT?它有什么作用?IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)是电源应用中相当常见的器件,可用于交流电的电机控制输出。由安森美半导体(ON Semiconductor)所推出的TO247-4L IGBT将可为相关应用提供更高的效能与更佳的成本效益,究竟它是如何办到的?让我们来进一步深入了解。
什么是IGBT?它有什么作用?IGBT是电力电子装置的CPU,在电力电子变流和控制中起着举足轻重的作用。变频器中,IGBT模块更为重要。但是,IGBT模块会经常出现爆炸的情况。下面,小编就结合案例具体分析一下。
波老师那个年代上大学都是自己攒机装电脑,买CPU先问主频多少Hz?后来买手机也是,先看几个核,再看主频。。。所以估计大家都也差不多,都烙下病根儿了。 可是IGBT是个功率器件,它的开关频率上限并不是一个确定的值。我一般都是这么回答这个问题的: 首先,
什么是电流互感器?它的作用是什么?互感器是供电系统的重要设备,其故障最初都伴随着局部或整体的温度异常,红外热像仪可简便、安全、实时、直观地检测和诊断设备故障,确保设备安全和长期运行。
什么是IGBT?它的工作原理是什么?IGBT是元器件家族的成员之一,有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。那么,IGBT是如何完成开关过程的?
中国上海,2020年3月10日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出“TLP5231”,这是一款面向中大电流绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和MOSFET的预驱动光耦,适用于工业逆变器和光伏(PV)的功率调节系统。
新的门极驱动器基于Power Integrations广泛使用的SCALE-2芯片组设计而成,非常适合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性应用。
当前,碳化硅基功率器件面临着严峻的挑战,现有的碳化硅基肖特基二极管,MOSFET等器件并不能有效地满足实际应用需要,对IGBT器件的需求日益迫切,必须突破碳化硅基IGBT研究中的瓶颈问题,增加器件耐压强度