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揭晓IGBT的开关频率上限
IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点。
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可控硅和igbt有什么区别？选择可控硅模块需要考虑什么
在这篇文章中，小编将对可控硅的相关内容和情况加以介绍以帮助大家增进对它的了解程度，和小编一起来阅读以下内容吧。
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三十载精“芯”“质”造，英飞凌无锡打造绿色智能工厂典范
【2025年3月31日, 中国上海讯】三十载精“芯”“质”造，阔步新征程。日前，英飞凌无锡工厂迎来了在华运营三十周年的里程碑。历经三十年的深耕发展，无锡工厂已成为英飞凌全球最大的IGBT生产基地之一，生产的产品广泛应用于当前快速发展的电动汽车、新能源、消费电子、工业等多个领域，助力产业向智能化、绿色化方向发展。
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TDK针对500 V系统推出更紧凑的栅极驱动变压器
TDK株式会社(东京证券交易所代码：6762)新近推出爱普科斯 (EPCOS) EP9系列变压器(订购代码：B82804E)。相比于专为IGBT及FET栅极驱动电路而设计现有E10EM系列表面贴装变压器，新系列元件尺寸更为紧凑，且优异性能可满足500 V系统电压的严苛汽车及工业应用要求，同时具备绝缘性能好、耦合电容超低和耐热性强的特点。该新系列产品迎合了TDK积极推动绿色转型，迈向更加电气化和可持续未来的理念。
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IGBT 模块在颇具挑战性的逆变器应用中提供更高能效
制造商和消费者都在试图摆脱对化石燃料能源的依赖，电气化方案也因此广受青睐。这对于保护环境、限制污染以及减缓破坏性的全球变暖趋势具有重要意义。电动汽车 (EV) 在全球日益普及，众多企业纷纷入场，试图将商用和农业车辆 (CAV) 改造成由电力驱动。
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在电力电子系统中，IGBT或MOSFET的死区介绍
在电力电子系统中，特别是使用IGBT或MOSFET等功率元件时，死区时间非常重要。它确保在一个功率元件关闭后，另一个元件才能开启，从而避免同时导通导致的短路风险。
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IGBT的工作原理是什么？IGBT两类短路保护了解吗
在下述的内容中，小编将会对IGBT的相关消息予以报道，如果IGBT是您想要了解的焦点之一，不妨和小编共同阅读这篇文章哦。
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IGBT常用的过流保护措施有哪些？IGBT开关特性解读
一直以来，IGBT都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在，小编将为大家带来IGBT的相关介绍，详细内容请看下文。
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贸泽电子开售能为电动汽车牵引逆变器提供可扩展性能的英飞凌HybridPACK Drive G2模块
2024年11月26日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌的HybridPACK™ Drive G2模块。HybridPACK Drive G2模块基于HybridPACK Drive G1，在相同的紧凑尺寸下提供更高的功率密度。HybridPACK Drive G2模块是一款高效率的汽车功率模块，适用于电动汽车 (EV) 以及混合动力电动汽车 (HEV) 的牵引逆变器。
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IGBT的发热功率及散热系统探讨
绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)作为现代电力电子领域中的核心器件，以其高电压、大电流、高频率等特性，广泛应用于变频器、开关电源、轨道交通、电动汽车及新能源等领域。然而，随着IGBT向高功率和高集成度方向发展，其发热问题日益突出，对散热系统的要求也越来越高。
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电动汽车的DC-DC转换器类型
DC-DC转换器是一种机电设备或电路，用于根据电路要求将直流电压从一个电平转换到另一个电平。作为电力转换器家族的一部分，DC-DC转换器可用于小电压应用，如电池，或高电压应用，如高压电力传输。
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Microchip推出广泛的IGBT 7 功率器件组合，专为可持续发展、电动出行和数据中心应用而优化设计
该系列产品支持多种拓扑结构、电流和电压范围
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意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能
面向空调、家电和工厂自动化等工业电机驱动装置和充电站、储能系统、电源等能源应用的功率控制
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IGBT控制信号了解吗？电流对IGBT的关断有什么影响？
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电压对关断有什么影响？IGBT吸收电路如何优化
以下内容中，小编将对IGBT的相关内容进行着重介绍和阐述，希望本文能帮您增进对IGBT的了解，和小编一起来看看吧。
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IGBT吸收电容是什么？IGBT关断机理详解！
本文中，小编将对IGBT予以介绍，如果你想对它的详细情况有所认识，或者想要增进对它的了解程度，不妨请看以下内容哦。
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IGBT如何改善寄生电容，适合高频操作
在导通特性方面，IGBT的导通损耗由器件导通时的压降造成，其参数为Vce(sat)，随温度变化较小。而SiC MOSFET的导通特性表现得更像一个电阻输出特性，具有更小的导通损耗，特别是在电流较小的情况下2。
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基于SIC的MOS、硅MOS和IGBT的特性对比
高频工作，可以减小电源系统中电容以及电感或变压器的体积，降低电源成本，让电源实现小型化，美观化。从而实现电源的升级换代。
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IGBT膝电压是什么？IGBT开通延迟过程详解
在这篇文章中，小编将为大家带来IGBT的相关报道。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣，不妨继续往下阅读哦。
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IGBT工作原理是什么？IGBT正向耐压、反向耐压了解吗
今天，小编将在这篇文章中为大家带来IGBT的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对它具备清晰的认识，主要内容如下。
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