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功率半导体的IGBT拖尾与窄脉冲边界
电机逆变器把开关频率提高后，既可能增加IGBT的拖尾损耗，也可能使小电压指令难以执行。功率半导体选型与调制参数应分别满足电荷清除和最小有效脉宽的约束，不能只追求更细的定时分辨率。
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功率器件关断：IGBT尾流与过压的取舍
IGBT关断时，降低栅极电阻可以缩短电压上升过程，却不能把芯片中的存储载流子瞬间清空。功率器件的尾电流与寄生过压来自不同阶段，调参前必须先识别能量落在哪里。
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意法半导体发布更小巧的智能功率模块，适用于工业电机驱动、空调、热泵和家电
2026年9月22日，中国——意法半导体发布全新系列的小型低损耗塑封智能功率模块 (SLLIMM)。该模块采用直接覆铜基板(DBC)，拥有一个新的紧凑的封装外廓，适用于工业驱动装置、空调、热泵和家电。这款省空间的模块在18.8mm × 32.8mm封装内集成一个完整的 600V 三相 IGBT 逆变桥，比现有 DBC封装IGBT智能功率模块缩减面积超 30%。
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拆解电动汽车电机控制器
电动汽车(EV)高度依赖高效的功率转换。电机控制模块(即EV逆变器/控制器)是高压电池包与电动牵引电机之间的“大脑”和“肌肉”。本文将详细拆解电动汽车电机控制器的整体结构、硬件组件及其工作原理，包括直流-交流(DC-AC)变换、SPWM调制以及再生制动能量回收。
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搭建一个用于IGBT的简易测试电路
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种关键的功率半导体器件，广泛应用于现代电力电子、电动汽车(EV)、感应加热和变频驱动系统中。在本教程中，我们将基于IGBT的结构优势，解析其工作原理，并逐步构建一个简单的演示电路，帮助您理解如何通过栅极信号驱动和控制高功率负载。
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SiC模块的核心额定参数解析
作为第三代宽禁带半导体的核心器件，SiC碳化硅功率模块正在快速重构新能源汽车、光伏储能、工业传动等领域的电力电子系统设计逻辑。和传统硅基IGBT模块相比，SiC模块的材料特性、封装结构、性能边界都存在本质差异，很多工程师在从硅基器件转向SiC器件设计时，很容易沿用过去积累的IGBT使用经验，忽略SiC模块的特殊参数定义和特性边界，最终导致器件性能无法充分发挥，甚至出现异常损坏的情况。
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ROHM开发出实现业界超低损耗的650V耐压IGBT
中国上海，2026年6月25日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出650V耐压第4代IGBT*1，新产品非常适用于车载电动压缩机、HV加热器以及工业设备用变频器等应用。作为支持车载应用的650V级产品，实现了业界超低导通损耗VCE(sat)=1.55V，同时具备出色的短路耐受能力*²，符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*³。
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详解MOS管与IGBT的区别
在电力电子领域，功率半导体是电能变换与控制的核心元件，小到手机快充、电脑电源，大到新能源汽车、光伏逆变器、高铁牵引系统，都离不开这类器件的支撑。其中MOS管(金属-氧化物半导体场效应晶体管)和IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是应用最广泛的两类全控型功率器件，二者外观相似、功能相近，却在结构、性能和适用场景上有着本质区别，选错器件往往会直接导致设备效率下降、成本升高甚至可靠性故障。
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绝缘栅双极型晶体管堪称电力电子装备的"心脏"
IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT双极型三极管与MOS绝缘栅场效应管复合而成的全控型电压驱动式功率半导体器件，堪称电力电子装备的"心脏"。
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英飞凌推出面向电动汽车逆变器的全新EiceDRIVER™栅极驱动，在降低物料清单成本的同时提升功率级利用率
【2026年6月17日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出了专为纯电动汽车(BEV)牵引逆变器设计的全新增强型隔离式栅极驱动IC产品系列：EiceDRIVER™ 1EDI3040AS和1EDI3041AS。该系列同时支持IGBT和碳化硅(SiC)MOSFET，相比市面上常见的解决方案，可让特定功率级释放出更多可用性能，并将丰富的功能集成于单个栅极驱动IC之中。这有助于整车厂(OEM)和一级供应商(Tier-1)减少所需的外部元件数量并降低逆变器控制电子设备的物料清单(BOM)成本。
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特种电源之IGBT串联感应加热电源的应用与发展
在工业制造、航空航天、新能源等高端领域，特种电源作为核心动力支撑，其性能直接决定了终端设备的运行精度与效率。感应加热电源作为特种电源的重要分支，凭借非接触加热、高效节能、温控精准等优势，广泛应用于金属熔炼、热处理、焊接等关键工艺。随着工业对高功率、高频化加热需求的提升，绝缘栅双极型晶体管(IGBT)串联技术的应用，有效突破了单管IGBT的功率与耐压限制，推动感应加热电源向大功率、小型化、高效化方向升级，成为特种电源领域的研究与应用热点。
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IGBT的基本结构与工作原理
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为电力电子领域的核心器件，融合了MOSFET的电压驱动特性与双极型晶体管的低导通压降优势，在变频调速、新能源发电、轨道交通等领域得到广泛应用。其开关过程的动态特性直接决定了系统的效率、可靠性与电磁兼容性，深入理解这一过程是优化电路设计的关键。
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氮化镓“攻入”汽车主驱深水区：VisIC如何用D型技术颠覆SiC的行业共识？
在第三代半导体的版图中，行业似乎早已形成了一种“默契共识”——碳化硅（SiC）主导电动汽车高压主驱，氮化镓（GaN）则局限于消费快充与车载OBC等辅助电源领域——牵引逆变器，是SiC的绝对专属领地。然而，VisIC的GaN将会改写这一格局，在80-350kW的大功率主驱逆变器中，氮化镓不仅能做高压，而且在效率、可靠性与系统成本上，正展现出超越碳化硅的巨大潜力。
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IGBT基础知识：器件结构、损耗计算、并联设计、可靠性
绝缘栅双极晶体管 (IGBT)是电力电子领域广泛应用的半导体器件，融合了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和双极结型晶体管(BJT)的优点，兼具高输入阻抗和低导通电压降的特点。尽管SiC和GaN等宽禁带半导体的应用愈发广泛，但在这些新技术兴起前，IGBT已凭借高效、高可靠性的优势，成为许多高功率应用的理想选择，至今仍适配多种应用场景。
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一文教你MOS管和IGBT的区别
在电力电子领域，MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)与IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为两大核心功率器件，各自在电路中扮演着不可替代的角色。
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一文深入详解IGBT开关过程
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为现代电力电子系统的核心器件，凭借其高输入阻抗、低导通损耗和快速开关能力，广泛应用于新能源汽车、工业变频、可再生能源等领域。其开关过程直接决定了系统的效率、稳定性和可靠性。
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长距离出行需求下的功率器件革命
在全球新能源汽车产业向 “长续航、快充电、高效率” 转型的浪潮中，功率半导体作为电能转换的核心部件，直接决定车辆续航里程与能源利用效率。传统硅基 IGBT 器件因导通损耗高、耐高温性差等局限，已难以满足超长距离电动汽车(续航目标 600km+)的技术需求。碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体材料，凭借其卓越的电学特性，成为破解长距离出行痛点的关键技术，其有效实施正在重塑电动汽车功率系统的设计逻辑。
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功率循环测试：赋能车用 IGBT 性能跃升的关键引擎
在新能源汽车向高续航、高功率、高安全性迈进的过程中，车用 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为电力电子系统的 “心脏”，其性能直接决定了整车的动力输出、能源效率与运行可靠性。然而，车用 IGBT 长期处于高低温交替、电流冲击频繁的严苛工况下，极易出现封装老化、热疲劳失效等问题。在此背景下，功率循环测试作为模拟实际工况、暴露潜在缺陷、优化产品设计的核心手段，正成为推动车用 IGBT 性能持续提升的关键支撑。
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光电耦合器在隔离 IGBT 模块中的应用
在现代电力电子技术领域，绝缘栅双极型晶体管(IGBT)凭借其卓越的性能，如高耐压、大电流处理能力、低导通电阻以及良好的开关速度，被广泛应用于众多高功率应用场景，像工业逆变器、电机驱动系统、开关电源、不间断电源(UPS)等。在这些应用中，IGBT 模块的可靠运行至关重要，而光电耦合器作为 IGBT 驱动电路中的关键组成部分，发挥着不可或缺的作用。
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IGBT 晶圆在 1200V 光伏逆变器领域中的应用
在全球积极推动清洁能源转型的大背景下，太阳能作为一种可持续且丰富的能源，其在能源结构中的占比日益提升。光伏逆变器作为光伏发电系统的核心部件，承担着将光伏电池板产生的直流电转换为交流电并接入电网的关键任务。IGBT(绝缘栅双极型晶体管)晶圆在 1200V 光伏逆变器领域发挥着举足轻重的作用，对逆变器的性能、效率和可靠性有着深远影响。深入剖析 IGBT 晶圆在这一领域的应用，对于推动光伏产业的高效发展意义重大。
