安森美半导体公司(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON和格芯(GLOBALFOUNDRIES)宣布就安森美半导体收购GLOBALFOUNDRIES位于纽约东菲什基尔(East Fishkill, New York)的300 mm晶圆厂达成最终协议。此次收购总代价为4.3亿美元,其中1亿美元已在签署最终协议时支付,其余3.3亿美元将在2022年年底支付,之后,安森美半导体将获得该晶圆厂的全面运营控制权,该厂的员工将转为安森美半导体的员工。此交易的完成取决于监管机构的批准及其它惯例成交
安森美半导体,在德国纽伦堡欧洲PCIM 2019展会推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相关的隔离型大电流IGBT门极驱动器隔离型大电流IGBT门极驱动器。
中国,2019年4月30日——意法半导体的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代沟栅场截止(TFS)技术,可提高PFC转换器、电焊机、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器等中高速应用设计的能效和性能。该系列还包括符合
意法半导体的STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWER™IGBT两款产品能够在软开关电路中实现最佳的导通和开关性能,提高谐振转换器在16kHz-60kHz开关频率范围内的能效。
新型TI栅极驱动器提供先进的监控和保护功能,同时还能提升汽车和工业应用中的总体系统效率
TrendForce预估,2019年中国功率半导体市场规模将达到2,907亿元人民币,较2018年成长12.17%,维持双位数的成长表现。
一、IGBT的简单介绍 绝缘栅双极型晶体管(简称“IGBT”)是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融和了这两种器件的优
电压型逆变电源的辅助开关电源其双管反激式开关电源能高效地提供多路直流输出,电路元件全部由分立式元件构成,抗干扰能力强,工作稳定可靠,因而能满足电压型逆变器等对电
本文论述了IGBT的过流保护、过压保护与过热保护相关问题,并从实际应用中总结出各种保护方法,这些方法实用性强,保护效果好,是IGBT保护电路设计必备知识。 IGBT(
1. 引言 在UPS中使用的功率器件有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅和IGBT,IGBT 既有功率MOSFET 易于驱动,控制简单、开关频率高的优点,又有功率晶体管的导通
发展逆变器技术是太阳能应用提出的要求,本文介绍了太阳能逆变器的原理及架构,着重介绍了IGBT和MOSFET技术,实现智能控制是发展太阳能逆变器技术的关键。 一、太阳
·随着IGBT升级换代,变频器性能不断提高,体积不断减小。 ·三菱电机在功率半导体领域的一个很大的优势就是贴近系统用户。 日本从上世纪80年代开始使用工业用的
1.引言 在UPS中使用的功率器件有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅和IGBT,IGBT既有功率MOSFET易于驱动,控制简单、开关频率高的优点,又有功率晶体管的导通电压
IGBT技术进步主要体现在两个方面:通过采用和改进沟槽栅来优化垂直方向载流子浓度,以及利用“场终止”概念(也有称为“软穿通”或“轻穿通”)降低晶圆n衬底的厚度。
“比亚迪有技术‘鱼池’,里面有各种各样的技术,市场需要时,我们就捞一条出来,电动车、轨道交通都是‘鱼池’里的大鱼。”王传福曾多次在公开场合介绍比亚迪的技术积累。日前,比亚迪董事长王传福在接受媒体采访时
全球对于节能和绿色能源的需求使得马达变频驱动在工业应用领域不断增长,甚至还扩展到民用产品和汽车领域。因此在过去几年,市场对变频器的需求量和相应的产量一直在持续增
提起如今迅速崛起的新能源汽车,尤其是对于纯电动车,大部分对它的关注点都集中在电池及续航里程上,但他们却不知道,电动车上还有个指甲大小的部件与电池同样重要。今晚,比亚迪在宁波举办的“核心技术解析会之IG
比亚迪于宁波威斯汀酒店举办比亚迪核心技术解析会之IGBT电动中国芯,发布全新一代车规级IGBT标杆性产品—;—;比亚迪IGBT 4.0。IGBT(Insulated Gate Bipolar Tran
不过,国外早在上世纪80年代便开启了对IGBT的研究生产,要在产品上追上国外先进水平,显然需要更多时间。因此,中途比亚迪的IGBT芯片又历经8年,多次迭代,其间,比亚迪还与上海先进半导体在2015年达