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2006年MOS电路产能激增，明年IC价格上涨将被抑制
据市场调研公司IC Insights的预测，2006年全球MOS集成电路的工厂产能将增长1,150万个等价200mm晶圆，仅比2000年创下的最大增幅低20万个。预计2006年总体MOS工厂产能将达到9,520万个200mm等价晶圆，比2005年8,370万个
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Mosaid起诉Micron等三家芯片厂商侵权
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Vishay 新型双高压 Trench MOS
整流器在30A、125℃时具有0.70V的业界低正向压降（每脚） 可从以下网址下载JPEG图像(<500K)： http://www.vishaypr.com/photopost/showphoto.php?photo=258 宾夕法尼亚、MALVERN—2006年5月19日—日前，VishayIntert
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DRAM价格操纵案又有新进展，为平风波三巨头将作亿元赔付
据日前在三星电子(Samsung Electronics Co. Ltd.)、Hynix Semiconductor Inc.和英飞凌科技(Infineon Technologies AG)之间发生的DRAM价格操纵案件律师透露，三星电子、Hynix和英飞凌同意支付总额1.6亿美元的罚金，以
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员工长篇记实：天堂向左，华硕往右
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日立与瑞萨开发MOS相位转换存储器单元
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绝对隐私：华为员工待遇全面揭秘
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绝对隐私：华为员工待遇全面揭秘
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Atmel BCDMOS 自动防故障系统
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ChipMos辅助韩国Hynix半导体完成内存测试
Hynix Semiconductor Inc. has chosen Hsinchu, Taiwan-based ChipMos Technologies Ltd.’s ThaiLin Semiconductor Corp. subsidiary to provide testing services for its DDR SDRAM products, ChipMos reported t
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中芯国际将收购摩托罗拉芯片制造工厂
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