Vishay 新型双高压 Trench MOS
时间：2006-05-26 08:35:26
[导读]整流器在30A、125℃时具有0.70V的业界低正向压降（每脚） 可从以下网址下载JPEG图像(<500K)： http://www.vishaypr.com/photopost/showphoto.php?photo=258 宾夕法尼亚、MALVERN—2006年5月19日—日前，VishayIntert
整流器在30A、125℃时具有0.70V的业界低正向压降（每脚）
可从以下网址下载JPEG图像(<500K)：
http://www.vishaypr.com/photopost/showphoto.php?photo=258
宾夕法尼亚、MALVERN—2006年5月19日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代码：VSH）推出一款新型TrenchMOS肖特基势垒(TMBS™)整流器，其正向电压是迄今为止此类器件中最低的。
新型V60100C采用共阴极30AX2配置，其额定电流及额定电压分别为60A及100V，该器件在30A及125
可从以下网址下载JPEG图像(<500K)：
http://www.vishaypr.com/photopost/showphoto.php?photo=258
宾夕法尼亚、MALVERN—2006年5月19日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代码：VSH）推出一款新型TrenchMOS肖特基势垒(TMBS™)整流器，其正向电压是迄今为止此类器件中最低的。
新型V60100C采用共阴极30AX2配置，其额定电流及额定电压分别为60A及100V，该器件在30A及125
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