芯原和MoSys合作 拓展1T-SRAM技术的采用

    芯原股份有限公司（简称芯原）和MoSys, Inc今天宣布，双方正在合作通过向芯原的客户提供无缝式的专利技术利用以进一步拓展 MoSys 的受到欢迎的 1T-SRAM 技术的采用。 

    根据双方达成的合作协议，芯原将把 1T-SRAM 能力纳入其知识产权 (IP) 产品组合当中，用于客户在多个代工厂的系统芯片设计。 

    芯原是一家无晶圆 ASIC 设计代工厂，致力于提供同类最优垂直平台解决方案、系统知识和服务，以帮助系统芯片客户从芯片规格走向生产。在这种合作关系下，客户目前有权选择与芯原直接合作来把 MoSys 的创新型内存技术整合进他们的设计当中，这些设计涉及众多代工厂的选择以及高级加工工艺（如90纳米）。通过利用 MoSys 的已经获得专利的 1T-SRAM 超高密度内存产品，客户能够大大降低他们的硅成本，同时维持高性能和低功耗。 

    MoSys 首席执行官 Chet Silvestri 表示：“我们很高兴能够与芯原合作把我们的技术推广给更多的客户。过去几年里，芯原凭借在其全球惊人的客户群中的成功历史已经荣获了无数行业大奖。我们预计，我们领先的内存技术与芯原领先的 ASIC 能力的结合，将为无数种应用产品带来独一无二的最佳硅解决方案。” 

    芯原 WW sales & marketing 部门公司副总裁 Federico Arcelli 指出：“我们与 MoSys 进行合作代表了芯原为客户提供一站式解决方案，以满足他们的 IP 和全包需求。通过与像 MoSys 这样的技术领导厂商进行合作，我们的客户还能够利用我们的其他 IP 产品和设计服务来开发硅领域最具竞争性的解决方案，并为满足他们最严苛的产品需求提供支持。”