从SiP系统级封装的传统意义上来讲,凡是有芯片堆叠的都可以称之为3D,因为在Z轴上有了功能和信号的延伸,无论此堆叠是位于IC内部还是IC外部。
慧荣科技(Silicon Motion Technology Corporation)于台北国际电脑展(Computex Taipei)推出一系列最新款PCIe SSD控制芯片, 全系列符合PCIe Gen3 x4 通路NVMe 1.3规范,并以现场实测展现验证其优越效能,为PCIe SSD定义新标准。
随着NAND Flash产能开出,市场价格持续松动,刺激市场搭载SSD的需求大增,业者认为,2018年下半NAND Flash价格将一路走跌,将促使SSD与HDD价差进一步收敛,目前SSD价差逐步缩小至3~3.5倍,两者价差替换的黄金交叉点即将到来,推动SSD取代效益显现,而PCIe SSD价格跌幅也将扩大,未来跃升为市场主流将指日可待。
引言嵌入式系统在各个领域有着广泛的应用,嵌入式系统的维护与升级也变得日益重要。由于新技术的不断涌现和对系统功能、性能等要求的不断提高,开发者必须能够针对系统进行升级和维护,以延长系统的使用
作者:孙晓明,华清远见嵌入式学院讲师。 烧写前提:已经把FS2410开发板的S3C2410_BIOS.bin通过JTAG烧到了NOR里面了,这样我们从NOR启动才可以使用USB下载功能,从NOR启动界面如下: 我们首先选择0,把我们自己的u
本文介绍了嵌入式Linux操作系统下基于三星微处理器S3C6410的NAND FLASH模拟U盘的原理与实现方法。操作系统采用Linux 2.6.28版本,平台为飞凌OK6410-A开发板。采用的方案是通过添加一个512 MB的NAND
NAND闪存价格已经在下跌了,Q1季度价格环比下降3%,Q2季度eMMC/UFS及SSD硬盘价格还会继续下跌,不过供应商在对大容量硬盘、eMMC/UFS闪存降价的同时也会刺激市场需求,所以Q2季度各大供应商的营收应该会保持稳定。
4月11日,国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装,这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段。长江日报记者了解到,设备搬入、调试将耗费3个月左右的时间,然后开始小规模试产,如顺利,今年四季
身为国家存储器项目首发基地的长江存储,4月11日武汉厂正式举行装机典礼,由紫光集团暨长江存储董事长赵伟国亲自主持,国家集成电路产业投资基金股份有限公司(大基金)总裁董事长丁文武也到场支持,紫光集团全球执行
4月11日,长江存储以“芯存长江,智储未来”为主题,庆贺存储器基地正式移入生产设备。2017年9月长江存储新建的国家存储器基地项目(一期)一号生产及动力厂房实现提前封顶,2018年2月份进行厂内洁净室装修
我们常说的闪存其实只是一个笼统的称呼,准确地说它是非易失随机访问存储器(NVRAM)的俗称,特点是断电后数据不消失,因此可以作为外部存储器使用。而所谓的内存是挥发性存储器,分为DRAM和SRAM两大类,其中常说的内存主要指DRAM,也就是我们熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。闪存也有不同类型,其中主要分为NOR型和NAND型两大类。
根据英国分析公司IHS Markit的新统计数据得出:全球半导体行业在2017年创下了10年以来的最好成绩,年收入比2016年增长了22%,达到4291亿美元。HIS认为市场对内存芯片处理能力需求的大幅增加归因于新兴应用如大数据、物联网和机器学习。
美光科技有限公司今日宣布推出三种全新 64 层第二代 3D NAND 存储产品,这三种产品均支持高速通用闪存存储 (UFS) 2.1 标准。全新美光移动 3D NAND 产品提供 256GB、128GB 和 64GB 三种容量选择。
以往仅搭载16GB、32GB容量的智能手机已无法满足当前由数据驱动的新兴移动应用需求,从而为3D NAND快闪存储器的进展铺路…
2017 年,整体记忆体产业不论DRAM 或NAND Flash,都度过了一个黄金好年,那么2018 年可否持续荣景呢?
据悉,在经过为期一年半的价格暴涨之后,部分存储芯片的价格突然急速下滑,之后三星电子发布了一份并不乐观的2017年业绩预期,这两件事情让那些押注芯片行业的投资人陷入了深深的不安,一些投资人曾经认为芯片行业的红火至少还将持续一年半的时间。
美光与英特尔在1月8日宣布其NAND Flash合作伙伴关系将于完成第三代3D-NAND Flash(96层)开发之后终止,各自研发未来的NAND Flash技术,以符合双方品牌产品所需,并维持Lehi厂3D-XPoint的合作关系。
国际半导体产业协会(SEMI)3日提出,继移动装置后,物联网、车用、第五代移动通讯(5G )扩增实境(AR)/虚拟实境(VR)及人工智慧(AI)将为半导体产业中长期发展五大驱动力。为迎相关应用,存储器厂积极扩增产能,并以储存型(NAND Flash)为主要争战焦点。
受到部份零组件缺货影响,ODM/OEM厂2017年第四季PC出货不如预期,导致固态硬碟(SSD)需求急降,价格也一路走跌,2018年上半年NAND Flash市场供过于求已难避免。市调机构集邦预期,三星、东芝等存储器大厂已拟定3D NAND扩产计画,新产能将在2019年后开出,届时NAND Flash市场将供过于求。
2017 年是 NAND Flash 闪存厂商丰收的一年,零售价格的暴涨带动了厂商的营收,同时还对获利有了巨大贡献。 所以,当前全球的 4 大 NAND Flash 厂商,包括三星、Intel/美光、东芝、SK 海力士也有了充足的资金来进行新一波的投资。 而根据外电的报导,东芝就最新宣布,将拿出 70 亿日圆的金额,准备兴建第 7 座闪存工厂(Fab7),地点就在日本的四日市(Yokkaichi)。