根据长江存储发布的公告,他们研发的Xtacking结构3D NAND闪存,将具有前所未有的I/O速度,从而能够将UFS、SSD硬盘及企业级SSD等产品的性能提升到前所未有的程度。
美光科技和英特尔今日发布关于两家公司 3D Xpoint™ 联合开发合作关系的最新动态。双方联合开发了一种全新的非易失性内存,与 NAND 存储相比,其延迟大幅降低,耐久性显著提高。
据报道,IHS Markit针对HDD和SSD市场的前景作出了详细的分析,由2017年开始HDD的市场占有率呈递增长,而SSD市场占有率的显示为 50%的增长,随着SSD单价下降,预期由HDD到SSD的过渡进展将非常顺利。
根据国外科技网站《The Register》的报导,在斥资 190 亿美元收购 SanDisk 之后,西数电子 (Western Digital Corporation) 已经全力执行 NAND Flash 的业务,HDD 机械式硬盘市场在市场需求快速衰退的情况下,包括西数与希捷 (Seagate) 两家大厂都已经无法挽回颓势之际,西数电子开始决心进行改变。
如果用一个词来描述2016年的固态硬盘市场的话,那么闪存颗粒绝对是会被提及的一个关键热词。在过去的2016年里,围绕着闪存颗粒发生了一系列大事,包括闪存颗粒的量产引发固态涨价,闪存颗粒的制程问题引发的厂商竞争,以及“日经贴”般的MLC/TLC颗粒的优劣问题。
由于处于传统的淡季和产能拉升期,所以在上半年,闪存市场已经观察到了连续两个季度的价格走弱。在这样的态势下,一些供应商甚至暂缓了面向更高密度存储芯片的扩张,以避免价格走到崩盘的局面。
三星在击败英特尔成为半导体市场老大之后就一直维持现在的地位,当季收入186.07亿美元,同比大涨45.4%,市场份额达到了16.1%。
如果说几家国际闪存大厂,如三星、美光、东芝、西数、SK海力士当前推向市场的主流产品是64层(或72层)3D NAND,那么明年就将跨入96层。在近日举行的国际存储研讨会2018(IMW 2018)上,应用材料公司预测,到2020年3D存储堆叠可以做到120层甚至更高,2021年可以达到140层以上。
用ok6410进行烧写时,每次都需要敲一大堆命令,又费时又费力. 记得以前用TQ2440时,u-boot启动时会有一个菜单,只按一个数字键就把内核烧好了,非常方便.现在这张SD卡功能就很全面了,不仅能够直接从SD卡启动
受益于eMMC、eMCP市场,美光高价值移动NAND闪存营收环比几乎翻倍,其中85%都是TLC闪存类型,去年同期比例不足1%。此外,来自数据中心市场的内存、闪存营收同比增长了87%。
Nand Flash作为一种安全、快速的存储体,因其具有体积小、容量大、成本低、掉电数 据不丢失等一系列优点,已逐步取代其它半导体存储元件,成为嵌入式系统中数据存储的主 要载体。
引言 CCM3118是苏州国芯公司一款32位高性能、低功耗SoC芯片,以32位C*CORE C310处理器为核心,并有3个串口,2个智能卡接口,1个PS/2接口,1个LCDC控制器,多达72个通用输入输出引脚(GPIO)等丰富资源,在税控收款机
1 引 言 随着消费类电子产品包括PDA,MP3、智能手机等手持设备的市场需求逐步扩大,产品间的竞争也愈发激烈,降低产品的设计成本,提升产品的市场竞争力成为嵌入式系统开发者所面临的重大挑战。NAND FLASH和NORFLASH
开场白: 希望通过这篇文章记录一下自己在调试NAND flash的经验。希望对大家有用。 上个月搞了一块开发板QT210。说实话没有找到很多的datasheet就开始搞了。最早还是从boot说起,说到这这里不得不提到b
为了实现一种嵌入式设备存储系统的解决方案,对嵌入式设备广泛采用的大容量存储设备NAND Flash 进行了深入的研究。设计了一种嵌入式设备中NAND Flash 存储系统的解决方案,介绍了其功能用途和系统结构,分层介绍了系统的具体设计,重点介绍了比较独特的块设备驱动层和FTL 层的设计方法以及对驱动初始化的优化。通过实际设计NAND
通过使用JTAG烧写Flash的实验,了解嵌入式硬件环境,熟悉JTAG的使用,为今后的进一步学习打下良好的基础。本书以优龙的FS2410及Flash烧写工具为例进行讲解,不同厂商的开发板都会提供相应的Flash烧写工具,并有相应的说明文档,请读者在了解基本原理之后查阅相关手册。
3D NAND是闪存领域的一个重大进步,可望释放巨大的储存容量成长潜力。其布置在硅基板上的内存单元能够被移动到第三维空间,也就是在各个分层上以垂直方式堆栈,并且透过传播电荷的导线进行连接。