美光DRAM/NAND路线图：下半年推96层3D闪存，GDDR6已完成验证

美光公司昨天发布了2018财年Q3季度财报，营收、净利润分别大涨40%、132%，创造了美光季度营收新高，可以说数钱数到手抽筋了。美光强劲营收的背后是存储芯片价格、产能大涨，64层3D NAND闪存已经大量出货，下半年还将推出96层堆栈的3D闪存，内存方面1Xnm工艺将在下半年成为主力，1Ynm年内出货，GDDR6显存也完成了验证。

2018年虽然NAND闪存价格在下跌，不过出货量在增加，而且NAND只占美光营收的25%，大头的还是DRAM内存，占据71%的营收，更重要的是内存价格还在稳定上涨，之前的业界消息称直到2020年内存行业的价格都会比较健康，不会像NAND闪存那样大跌的。

根据美光的财报信息，受益于eMMC、eMCP市场，美光高价值移动NAND闪存营收环比几乎翻倍，其中85%都是TLC闪存类型，去年同期比例不足1%。此外，来自数据中心市场的内存、闪存营收同比增长了87%。

嵌入式市场上，美光已经完成了基于64层3D NAND闪存的microSD卡验证，设计完成了低功耗汽车电子DRAM内存，完成了1Xnm以及GDDR6显存的验证。

SSD方面，美光已经开始出货64层堆栈的企业级SATA硬盘，并出货了世界首款QLC闪存的SSD硬盘，核心容量1Tb，堆栈层数64层。

在技术研发方面，美光的96层3D NAND闪存预计在今年下半年出样，UAA架构的第四代NAND闪存也在开发中。

内存方面，1Xnm工艺的内存颗粒在上半年跨越了产能交叉点，也就是说成为主力，而1Ynm工艺的DRAM内存颗粒预计会在下半年出样，再下一代的1Znm内存芯片已经在开发中。