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存储技术变局为中国制造带来了什么机遇？
纵观半导体发展历史，一种新兴技术的出现，影响的不只是个别公司的兴衰，更是推动了某个产业的转型，新技术是变革者赶超传统技术列强的利器，也是产业升级的动力源，当年的
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DRAM近期拉货强劲 本月价格可望强弹
主攻个人计算机市场的标准型动态随机存取存储器(DRAM)近期呈现强劲的拉货力道，本月价格可望强弹;应用行动装置的储存型快闪存储器(NAND Flash)因补货需求落空，价格看跌。
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DDR4、NAND Flash存储器芯片发展趋势
转自台湾digitimes的消息，DDR4以前瞻性的高传输速率、低功耗与更大记忆容量，在2014年下半将导入英特尔工作站/伺服器以及高端桌上型电脑平台，并与LP-DDR3存储器将同时存在一段时间;至于NAND Flash快闪存储器也跨
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SSD前景因延迟和错误率蒙上阴影
加州大学和微软的研究发现，随着芯片尺寸缩小，NAND Flash记忆体会出现显著的性能退化。当电路尺寸从今天的25nm缩小到6.5nm，SSD的延迟会增加一倍。加州大学的研究生Laura
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苹果3.9亿美元收购闪盘组建供应商Anobit
1月12日消息 据彭博社报道，有消息人士表示，苹果以3.9亿美元的价格完成收购以色列闪存盘部件制造商Anobit。据称，该收购价格较此前Anobit方面的报价要低。收购传闻最早于
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感谢苹果iphon6！NAND芯片进入最强使用潮
在移动互联网时代，业界皆以苹果为首。在iphone6没出之前就流传着“iphone6不出，业界无以为手机”。苹果的影响力由此可见一斑。现在苹果iphone6终于来了，在其引领手机发展的同时，无意中也大大影响了NAN
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苹果掀NAND芯片最大使用潮
苹果发布iPhone 6 与iPhone 6 Plus两款新机，因应4G时代对超大影音档案储存需求，最高储存容量增至128GB，主打64GB机种，比原本大增三倍，是历来储存容量最高的iPhone。苹果以储存型快闪存储器(NAND Flash)为储存空间
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中芯国际推出自主研发的38纳米NAND闪存工艺制程
21ic讯 中芯国际集成电路制造有限公司今日宣布38纳米 NAND 闪存工艺制程已准备就绪，中芯国际凭此成为唯一一家可为客户生产 NAND 产品的代工厂。该工艺平台完全由中芯国际自
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武汉新芯“3D NAND”项目获业内权威专家一致认可
21ic讯 武汉东湖新技术开发区管委会在武汉组织召开了武汉新芯“三维数据型闪存(3D NAND Flash)技术开发及产业化”项目可行性专家评审会，业内专家对该项目的技术
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三星展示新款外接式SSD 采TLC VNand颗粒
虽然用SSD当做随身储存装置并非创新，不过三星在此次IFA 2014期间首度推出以随身储存为诉求的外接式SSD「T1」，并且以micro USB 3.0作为连接接口。三星针对随身储存诉求推出外接式SSD「T1」，并且采用轻巧、迷你机身
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NAND Flash存储器管理算法的设计及实现
O 引言Flash是一种非易失存储器，它在掉电条件下仍然能够长期保持数据。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等优点，近几年在U盘、SD卡、SSD硬盘等各种移动存储设
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应用材料公司推出CMP和CVD新产品
OFweek显示网讯 2014年7月7日，加利福尼亚州圣克拉拉——应用材料公司今日宣布推出两款帮助客户解决在制造高性能、低功耗3D器件关键性挑战的全新半导体制造系统，展示了其在高尖端半导体材料工程上的专业领
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Intel-镁光公布25nm NAND细节 采用Airgap技术
在本月6日至8日举办的IEDM2010旧金山大会上，Intel与镁光两家公司合作展示了其25nm NAND制程的细节，有趣的是，这种制程竟然会是首款将曾被IBM热捧的AirGap(空气隙型介电层
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NAND Flash进入10纳米时代
不同于系统半导体、NAND Flash已展开10纳米时代，DRAM无法轻易突破10纳米的高墙。虽然四重曝光(Quadruple patterning;QPT)技术，有利DRAM的先进制程转换，但电容器制程问题是一大难题，由于采用新材料将直接影响生产
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三星蝉联SSD市场老大 营收超过第二、第三总和
相比处理器、主板和显卡市场的不愠不火，SSD固态硬盘这几年倒是很猛，而且在NAND供应短缺的影响下，下半年的SSD价格据说还要涨。根据盖特纳的统计，在2013年的全球SSD固态硬盘市场上，三星毫无意外地继续蝉联第一名，
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NAND Flash进入10纳米时代
不同于系统半导体、NAND Flash已展开10纳米时代，DRAM无法轻易突破10纳米的高墙。虽然四重曝光(Quadruple patterning;QPT)技术，有利DRAM的先进制程转换，但电容器制程问题是一大难题，由于采用新材料将直接影响生产
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系统OEM备货需求稳健 6月下旬NAND Flash合约价续扬2-5%
市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新调查显示，NAND Flash供货商为了追求利润极大化，开始重新配置产能，透过缩减通路供给量来满足系统OEM客户订单需求，带动6月下旬NAND Flash颗粒合约价上涨
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NAND Flash颗粒涨声待续
全球市场研究机构TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange最新调查显示，NAND Flash供应商为了追求利润极大化，开始重新配置产能，透过缩减通路供给量来满足系统EM客户订单需求，带动6月下旬NAND Flash颗粒合约价
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分析师预言英特尔、美光将在NAND市场分道扬镳
英特尔(Intel)与美光(Micron)将在 NAND 快闪存储器业务上分道扬镳吗?一位市场分析师断言，美光将撇下英特尔自己走自己的NAND之路。但英特尔拒绝对此发表评论，表示该分析师
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旺宏发展3D NAND 掌握专利蓄势待发
转自台湾digitimes的消息，台系记忆体厂旺宏积极累积快闪记忆体专利，独立研发3D NAND技术，目前公司80~90%研发费用都投注在3D NAND技术上，长期发展是要与国际大厂一较高下。快闪记忆体市场下一阶段进入3D NAND
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