SSD前景因延迟和错误率蒙上阴影

加州大学和微软的研究发现，随着芯片尺寸缩小，NAND Flash记忆体会出现显著的性能退化。当电路尺寸从今天的25nm缩小到6.5nm，SSD的延迟会增加一倍。

加州大学的研究生Laura Grupp说，他们测试了7家SSD供应商的45种不同类型NAND Flash芯片，这些芯片采用了72nm到25nm的光刻工艺，发现芯片尺寸缩小伴随着性能退化和错误率增加。TLC (三层存储单元)NAND的性能最差，之后是MLC(双层存储单元)NAND和SLC(单层存储单元)NAND。研究人员说，由于性能退化，基于MLC NAND的固态硬盘难以超过4TB，基于TLC NAND的固态硬盘难以突破16TB，因此固态硬盘的未来之路可能在2024年到头。