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力成受汇损拖累　上季毛利率降至25.1%

胡皓婷／台北记忆体封测大厂力成科技25日召开法说会，该公司董事长蔡笃恭表示，受惠于智慧型手机(Smartphone)和平板电脑(Tablet)的带动，Mobile DRAM需求十分强劲，第2季起将增温。针对2011年的规画，蔡笃恭表示，2

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2011-01-26

DRAM MOBILE GB Flash
力成资本支出下修16%

记忆体封测龙头力成（6239）昨（25）日公布，去年第四季受汇损影响，每股税后纯益2.5元，毛利率下滑至25.1%，不如预期强劲，全年每股税后纯益10.53元；力成董事长蔡笃恭预估首季营收将比上季减少约3%，比预期好些。蔡

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2011-01-26

NAND DRAM MOBILE Flash
瑞萨及TSMC高层在“世界半导体峰会”发表战略演讲

“世界半导体峰会＠东京2011～半导体产业，成长宣言～”（2011年1月24日于日经大厅召开，《日经电子》主办）隆重举行，各大半导体厂商高层分别就各自的发展战略等发表了演讲。瑞萨电子代表董事社长赤尾泰以“面

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2011-01-26

半导体 EUV TSMC DRAM
力成去年营收、EPS均创新高，Q4有汇损侵蚀

全球最大记忆体封测厂力成(6239)今日举行第四季法人说明会，董事长蔡笃恭表示，2010年，力成不论是营收以及获利表现均创下历年来新高，EPS达10.53元，而单就第四季来看，受到汇率因素影响，毛利率下滑至25.1%，税后净

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2011-01-25

EPS MCP DRAM Flash
DRAM内存价格接近谷底二季度回涨

来自存储芯片调研公司集邦科技的消息称，1月上半个月DRAM期货价已经接近谷底，下半个月价格可能持平或继续小幅下滑，然后在二季度开始回涨。本月初，2GBDDR3内存价格下降5-6%，平均价格在17美元，最低16美元。虽然价

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2011-01-25

内存 PC OEM DRAM
DRAM内存价格接近谷底二季度回涨

来自存储芯片调研公司集邦科技的消息称，1月上半个月DRAM期货价已经接近谷底，下半个月价格可能持平或继续小幅下滑，然后在二季度开始回涨。本月初，2GB DDR3内存价格下降5-6%，平均价格在17美元，最低16美元。虽然价

智能硬件
2011-01-25

内存 PC OEM DRAM
超级法说周行动装置需求强劲封测厂今年营运看俏

本周是电子股超级法说周，除了DRAM大厂南科、华亚科今(24)日召开，封测大厂力成(6239-TW)、矽品(2311-TW)与日月光(2311-TW)将接续召开，虽然半导体景气多空看法皆有，但封测厂中DRAM与逻辑各有好消息助阵，今年营运持

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2011-01-25

晶圆平板电脑台积电 DRAM
去年获利创新高+DRAM景气Q1落底，华东涨停庆祝

记忆体封测厂华东科技(8110)昨天召开法说会，为封测厂头一场，格外引人关注，华东总经理于鸿祺公布去年每股赚1.9元，创下历史新高纪录，并透露DRAM景气将于首季落底反弹，今天华东股价一扫阴霾，盘中攻上涨停板。

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2011-01-22

平板电脑 DRAM MOBILE
晶圆代工厂强势扩产

国际半导体设备材料产业协会（SEMI）昨（21）日公布，去年12月北美半导体设备订单出货比（B/B值）0.9，连续第五个月滑落，为近17个月新低，但出现出货与订单金额双双反弹，显示半导体厂持续买进设备，尤以晶圆代工厂

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2011-01-22

晶圆代工台积电半导体设备 DRAM
瑞萨通过标准CMOS实现28nm工艺DRAM混载技术

瑞萨电子开发出了利用与标准CMOS工艺相近的方法在逻辑LSI中混载DRAM的技术（图1）。该项技术面向28nm工艺以后的产品，瑞萨电子将把该工艺的SoC（SystemonaChip）生产全面委托给代工企业。瑞萨电子计划通过该项技术，

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2011-01-21

电容器 CMOS LSI DRAM
瑞萨开发出在逻辑LSI中混载DRAM的技术

瑞萨电子开发出了利用与标准CMOS工艺相近的方法在逻辑LSI中混载DRAM的技术。该项技术面向28nm工艺以后的产品，瑞萨电子将把该工艺的SoC(System on a Chip)生产全面委托给代工企业。瑞萨电子计划通过该项技术，把由外

电子设计自动化
2011-01-21

电容器 LSI DRAM
华东于鸿祺：记忆体封测全年先蹲后跳

李洵颖／台北记忆体封测厂华东科技20日率先召开法人说明会，总经理于鸿祺表示，第1季因季节性效应，加上价格下滑，因而面临乱流，将比上季衰退个位数幅度。但自第2季起转趋乐观，他认为2011年营运表现将呈现先蹲后跳

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2011-01-21

平板电脑 PC DRAM MOBILE
晶圆厂扩产+DRAM涨声高，崇越今年营运旺

崇越(5434)今年第一季因工作天数少，再加上工程入帐少，营收估小幅季减5%。而晶圆厂扩产动作积极，外资看好台积电(2330)今年资本支出上看80亿美元，再加上DRAM价格涨势声浪高，崇越半导体事业营收可望有优于先前预期

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2011-01-20

联电台积电晶圆厂 DRAM
尔必达拟涨DRAM价格涨幅约10%

日本经济新闻报导指出，日厂尔必达(Elpida)有意于2011年1月中旬调涨DRAM价，据国内外PC业者的说法，其要求的涨幅约10%。先前PC用DRAM因需求趋缓，每颗跌破1美元，价格降至仅1年前的3分之1左右。为不让获利状况持续恶

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2011-01-19

尔必达 PID ELECTRONICS DRAM
2011年DRAM市场销售额恐缩减11.8%

2010年DRAM市场销售额冲到4.3亿美元，然而自2011年开始出现下跌，预估至2013年为止，都会维持下跌趋势。据韩国电子新闻引述市调机构报告指出，2011年DRAM市场销售额与2010年相比，将缩减11.8%，约为355亿美元。接著，

智能硬件
2011-01-19

计算机 BSP PHONE DRAM
尔必达拟涨DRAM价格　涨幅约10%

日本经济新闻报导指出，日厂尔必达(Elpida)有意于2011年1月中旬调涨DRAM价，据国内外PC业者的说法，其要求的涨幅约10%。先前PC用DRAM因需求趋缓，每颗跌破1美元，价格降至仅1年前的3分之1左右。为不让获利状况持续恶

智能硬件
2011-01-19

尔必达 BSP ELECTRONICS DRAM
2011年DRAM市场销售额恐缩减11.8%

外电2010年DRAM市场销售额冲到4.3亿美元，然而自2011年开始出现下跌，预估至2013年为止，都会维持下跌趋势。据南韩电子新闻引述市调机构报告指出，2011年DRAM市场销售额与2010年相比，将缩减11.8%，约为355亿美元。接

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2011-01-18

SMART PHONE TABLE DRAM
DRAM内存芯片今年将现供大于求售价下滑?

2010年全球电脑和手机市场显示了明显增长，内存芯片市场也因电脑和手机的增长而受益，全球芯片市场2010年预计增长率将达到31.5%。据1月14日国外消息报道，iSuppli市场研究公司分析师警告称，经过几年繁荣的发展之后，

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2011-01-18

电脑内存芯片 ISUPPLI DRAM
iSuppli：2011年智能手机与平板电脑将拯救DRAM

据市调公司iSuppli研究，预计2011年DRAM平均销售价格(ASP)大幅下滑，全球DRAM销售额也将随之急剧萎缩，尽管智能手机和平板电脑领域存在强劲的增长机会。2011年全球DRAM销售额预计下降至355亿美元，比2010年的403亿美

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2011-01-18

智能手机平板电脑 ISUPPLI DRAM
iSuppli：2011年智能手机与平板电脑将拯救DRAM

据市调公司iSuppli研究，预计2011年DRAM平均销售价格(ASP)大幅下滑，全球DRAM销售额也将随之急剧萎缩，尽管智能手机和平板电脑领域存在强劲的增长机会。2011年全球DRAM销售额预计下降至355亿美元，比2010年的403亿美

智能硬件
2011-01-18

智能手机平板电脑 ISUPPLI DRAM

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力成受汇损拖累　上季毛利率降至25.1%

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瑞萨及TSMC高层在“世界半导体峰会”发表战略演讲

力成去年营收、EPS均创新高，Q4有汇损侵蚀

DRAM内存价格接近谷底二季度回涨

DRAM内存价格接近谷底二季度回涨

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去年获利创新高+DRAM景气Q1落底，华东涨停庆祝

晶圆代工厂强势扩产

瑞萨通过标准CMOS实现28nm工艺DRAM混载技术

瑞萨开发出在逻辑LSI中混载DRAM的技术

华东于鸿祺：记忆体封测全年先蹲后跳

晶圆厂扩产+DRAM涨声高，崇越今年营运旺

尔必达拟涨DRAM价格涨幅约10%

2011年DRAM市场销售额恐缩减11.8%

尔必达拟涨DRAM价格　涨幅约10%

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iSuppli：2011年智能手机与平板电脑将拯救DRAM

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