DRAM

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半导体业2011年预测

2010年半导体市况呈现「先高后低」的走势，然2011年将会回到上低下高趋势。主要DRAM记忆体产品DDR3平均固定交易价格2010年上半至年中为止维持上升走势，并于5月达到顶点2.72美元。然由于电脑等成品销售情况不甚理想，

电子设计自动化
2011-01-05

DRAM 尔必达海力士
海力士导入30纳米级DRAM制程

海力士紧跟三星电子之后，将把DRAM的生产制程转换为30纳米级制程。海力士29日宣布，已开发出2款计算机用DRAM产品，将首度采用30纳米级制程量产。据海力士表示，计划采用38纳米制程生产4Gb和2Gb 2种产品，2011年第1季

消费电子
2011-01-04

纳米级 GB DRAM 海力士
2010年DRAM厂成绩

2010年DRAM产业虎头蛇尾，年初报价大涨至1颗DDR3报价达3美元，但年底却跌到1美元；但以获利来看，2010年只有力晶和瑞晶有赚钱，南亚科、华亚科和茂德都是持续赔钱，南亚科和华亚科是因为制程转换之故，没有掌握到年初

模拟
2011-01-04

PID DDR3 DRAM 尔必达
台DRAM厂拼制程抢救获利无效　转进40奈米嫌太晚　1Q恐续亏

台北DDR3报价从2010年初1颗3美元跌到年底只剩下0.8美元，跌幅高达70％，力晶更在2010年底因欠款导致子公司瑞晶停止出货，透露台DRAM厂财务已处于极度吃紧状态，记忆体业者表示，由于1月DRAM合约价和现货价还有下跌空

模拟
2011-01-04

微米 PID DDR3 DRAM
台湾DRAM厂：产业最大问题不在汇率而在售价

台湾央行总裁彭淮南面对这一波新台币强势升值，采取汇市收盘价力守30元的作法，外界开始出现汇价失真的争议，但彭淮南这次直接挑明表示，台湾和韩国在科技产业的产品雷同度高，汇率过度升值会影响出口商的竞争力；与

模拟
2011-01-04

三星电子 SAMSUNG ELECTRONICS DRAM
逾期货款未付瑞晶宣布暂停出货给力晶

瑞晶31日公告，由于主要大客户兼母公司力晶的帐款逾期未付，因此即日起暂停出货给力晶；力晶表示，由于DRAM价格不佳，在财务上规画保守，目前正与尔必达(Elpida)和瑞晶3方协商当中；瑞晶则表示，将与力晶协议针对保障

模拟
2011-01-04

PID DRAM 尔必达
瑞晶宣布暂停出货给力晶

瑞晶31日公告，由于主要大客户兼母公司力晶的帐款逾期未付，因此即日起暂停出货给力晶;力晶表示，由于DRAM价格不佳，在财务上规画保守，目前正与尔必达(Elpida)和瑞晶3方协商当中;瑞晶则表示，将与力晶协议针对保障瑞

电子设计自动化
2011-01-04

PID DRAM 尔必达
台湾DRAM厂：产业最大问题不在汇率而在售价

台湾央行总裁彭淮南面对这一波新台币强势升值，采取汇市收盘价力守30元的作法，外界开始出现汇价失真的争议，但彭淮南这次直接挑明表示，台湾和韩国在科技产业的产品雷同度高，汇率过度升值会影响出口商的竞争力；与

智能硬件
2011-01-04

三星电子 SAMSUNG ELECTRONICS DRAM
新应用带动、节制扩产　半导体产能无供过于求疑虑

郑茜文／台北全球半导体业2011年设备投资持续在高档水位，引发市场忧虑未来恐出现供过于求的现象，半导体设备大厂应用材料(Applied Materials)企业副总裁暨台湾区总裁余定陆指出，由于新应用包括平板电脑、智慧型手

模拟
2011-01-04

半导体晶圆厂半导体设备 DRAM
DRAM封测制程沿革

李洵颖 DRAM的世代交替带动了先进封装技术的发展，以往DDR DRAM及利基型SDRAM产品，其封装型态均为超薄小型晶粒承载封装(TSOP)，自DDR2产品封装型态已改变为闸球阵列封装(BGA)，延续至2010年主流自DDR2逐步由DDR3取代

模拟
2011-01-04

封装技术 SDRAM DDR3 DRAM
记忆体封测厂12月营收持稳或小增　本季将下滑

李洵颖／台北随著DRAM厂转换制程，产出增加，记忆体封测厂如力成科技、华东科技和福懋科技等2010年12月营收仍可望持稳或小幅增加，处于高档水准。惟2011年第1季受到客户如尔必达(Elpida)减产效应冲击，下单力道减弱

模拟
2011-01-03

Flash MOBILE DRAM 尔必达
施振荣称台湾面板业联日抗韩是上上策

宏碁集团创办人施振荣12月29日早间消息，据台湾媒体报道，宏碁集团创办人施振荣昨天表示，“联日抗韩”是上上策，无论面板业或DRAM业都是如此；台湾不需要一昧地跟韩国学，应以创新取胜。第四届“潘文

智能硬件
2011-01-03

台湾面板 PID HITACHI DRAM
DRAM厂产能转战，类比IC厂成本可望下降

MIC产业顾问兼副主任洪春晖指出，类比IC厂商面临IDM厂委外代工增加，压缩投片空间，再加上晶圆代工厂未来6寸及8寸扩产机会不大，产能长期恐面临不足的窘境，估计记忆体厂因DRAM价格持续滑落，未来将可能提供部分产能

模拟
2010-12-31

晶圆厂 IC DM DRAM
DRAM的五大趋势

2011年全球DRAM会发生什么？下面是由BarclaysCapital的CJMuse在汇总了各种资料之后给出的DRAM五大趋势;1.DownonDRAM下行2011可能是NAND年，而不是DRAM。当平板电脑开始蚕食它的同伴，笔记本与上网本时未来市场会发生

模拟
2010-12-31

三星 MICRON DRAM 尔必达
海力士导入30纳米级DRAM制程

海力士(Hynix)紧跟三星电子(SamsungElectronics)之后，将把DRAM的生产制程转换为30纳米级制程。海力士29日宣布，已开发出2款计算机用DRAM产品，将首度采用30纳米级制程量产。据海力士表示，计划采用38纳米制程生产4G

模拟
2010-12-31

纳米级 GB DRAM 海力士
日台芯片产业巨头强强联手打造联盟

据日本读卖新闻报道：世界第三大DRAM(动态随机存取存储器)半导体芯片制造产商——日本尔必达(Elpida)25日宣布，将与台湾制造商力晶科技、茂德科技就双方的资金技术合作事宜进行谈判。力晶与茂德的DRAM半导

半导体
2010-12-29

芯片产业 BSP DRAM 尔必达
日台半导体芯片产业巨头强强联手打造"日台联盟"

据日本读卖新闻12月25日报道：世界第三大DRAM(动态随机存取存储器)半导体芯片制造产商——日本尔必达(Elpida)25日宣布，将与台湾制造商力晶科技、茂德科技就双方的资金技术合作事宜进行谈判。力晶与茂德的DRAM半导体

模拟
2010-12-29

芯片产业半导体芯片 DRAM 尔必达
传尔必达欲组控股公司　目标台日DRAM厂4合1整并

DRAM报价面临二次崩盘危机，过去曾被提及但最后铩羽的台日DRAM产业4合1大整并议题，再度被端上台面！日本外电指出，尔必达(Elpida)社长坂本幸雄将于2011年初访台，洽谈在台湾成立控股公司，将力晶、瑞晶和茂德3家台厂

智能硬件
2010-12-28

集成 DRAM 尔必达海力士
12寸产能吃紧台积电买力晶厂地扩产

设备业者透露，台积电(2330)将以超过30亿元价格，买下力晶位于新竹科学园区内园区三、五路的12寸厂P4建物及P5建地，以因应逐渐吃紧的先进产能需求，而目前台积电竹科12寸第4、5期工程已于今年完工量产，开始进行40及

模拟
2010-12-27

博通台积电 FAB DRAM
大陆IC设计享受政策扶植

正在崛起当中的中国大陆IC设计公司已逐渐成为不能忽视的族群，资策会产业情报研究所（MIC）产业顾问洪春晖表示，国际芯片大厂如高通等在大陆降价抢市，大陆十二五计划也宣示将以政策扶植本地IC设计产业，未来台系业者

消费电子
2010-12-27

三星半导体产业 IC设计 DRAM

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DRAM

半导体业2011年预测

海力士导入30纳米级DRAM制程

2010年DRAM厂成绩

台DRAM厂拼制程抢救获利无效　转进40奈米嫌太晚　1Q恐续亏

台湾DRAM厂：产业最大问题不在汇率而在售价

逾期货款未付瑞晶宣布暂停出货给力晶

瑞晶宣布暂停出货给力晶

台湾DRAM厂：产业最大问题不在汇率而在售价

新应用带动、节制扩产　半导体产能无供过于求疑虑

DRAM封测制程沿革

记忆体封测厂12月营收持稳或小增　本季将下滑

施振荣称台湾面板业联日抗韩是上上策

DRAM厂产能转战，类比IC厂成本可望下降

DRAM的五大趋势

海力士导入30纳米级DRAM制程

日台芯片产业巨头强强联手打造联盟

日台半导体芯片产业巨头强强联手打造"日台联盟"

传尔必达欲组控股公司　目标台日DRAM厂4合1整并

12寸产能吃紧台积电买力晶厂地扩产

大陆IC设计享受政策扶植

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