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TrendForce集邦咨询：供应商欲积极拉高合约价，然需求能见度仍不佳，预估第二季DRAM价格涨幅将收敛至3~8%
Mar. 26, 2024 ---- 目前观察DRAM供应商库存虽已降低，但尚未回到健康水位，且在亏损状况逐渐改善的情况下，进一步提高产能利用率。不过，由于今年整体需求展望不佳，加上去年第四季起供应商已大幅度涨价，预期库存回补动能将逐渐走弱。因此，TrendForce集邦咨询预估， 第二季DRAM合约价季涨幅将收敛至3~8%。
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TrendForce集邦咨询：2024全年HBM供给位元年增预估高达260%，产能将占DRAM产业14%
Mar. 18, 2024 ---- 由于HBM售价高昂、获利高，进而造就广大资本支出投资。据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷预估，截至2024年底，整体DRAM产业规划生产HBM TSV的产能约为250K/m，占总DRAM产能(约1,800K/m)约14%，供给位元年成长约260%。此外，2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%，至2024年底将扩大至20.1%。
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TrendForce集邦咨询：量价齐扬，2023年第四季DRAM产业营收季增近三成
Mar. 5, 2024 ---- 据TrendForce集邦咨询研究显示，受惠于备货动能回温，以及三大原厂控产效益显现，主流产品的合约价格走扬，带动2023年第四季全球DRAM产业营收达174.6亿美元，季增29.6%。目前观察2024年第一季DRAM市场趋势，原厂目标仍为改善获利，涨价意图强烈，促使DRAM合约价季涨幅近两成，然出货位元则面临传统淡季而略微衰退。
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TrendForce集邦咨询：涨势延续，预估2024年第一季DRAM合约价季涨幅13~18%
Jan. 8, 2024 ---- TrendForce集邦咨询表示，2024年第一季DRAM合约价季涨幅约13~18%，其中Mobile DRAM持续领涨。目前观察，由于2024全年需求展望仍不明朗，故原厂认为持续性减产仍有其必要，以维持存储器产业的供需平衡。
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TrendForce集邦咨询：预估明年第一季在手机品牌持续备料的带动下，Mobile DRAM、eMMC/UFS均价涨幅将扩大至18~23%
Dec. 19, 2023 ---- 据TrendForce集邦咨询预估，2024年第一季Mobile DRAM及NAND Flash(eMMC/UFS)均价季涨幅将扩大至18~23%。同时，不排除在寡占市场格局或是品牌客户恐慌追价的情况下，进一步垫高涨幅。
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TrendForce集邦咨询：第三季合约价格落底，促使买方重启备货动能，DRAM营收季增近两成
Dec. 4, 2023 ---- 根据TrendForce集邦咨询调查显示，2023年第三季DRAM产业合计营收达134.80亿美金，季成长率约18.0%。由于下半年需求缓步回温，买方重启备货动能，使得各原厂营收皆有所成长。展望第四季，供给方面，原厂涨价态度明确，预估第四季DRAM合约价上涨约13~18%;需求方面的回温程度则不如过往旺季。整体而言，买方虽有备货需求，但以目前来说，服务器领域因库存水位仍高，拉货态度仍显得被动，第四季DRAM产业的出货成长幅度有限。
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美光率先为业界伙伴提供基于 32Gb 单裸片 DRAM 的高速率、低延迟 128GB 大容量 RDIMM 内存
美光基于 1β 先进制程的 DRAM 速率高达 8,000 MT/s，为生成式 AI 等内存密集型应用提供更出色的解决方案
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助力数字化可持续未来！美光科技首次亮相上海进博会，展示创新内存和存储解决方案
海量数据的增长，来自各种创新应用的兴起，都为世界带来新的变化。从智能汽车、大语言模型、到AR/VR，数据从传感器中被收集，然后经过端侧计算单元的处理，最终通过无线传输到云端，在世界各地的大型超算集群中进行深度价值挖掘。在整个数据流转的过程中，离不开各种内存和存储系统的参与。数据的持续爆炸增长，导致数据存储的需求也指数上升。“存力”必须要与“算力”同步升级，才能真正实现人类社会数字化可持续的未来。
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TrendForce集邦咨询：预估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合约价均上涨，涨势或将延续至明年第一季
Oct. 25, 2023 ---- 据TrendForce集邦咨询最新研究显示，第四季Mobile DRAM合约价季涨幅预估将扩大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合约价涨幅约10~15%;由于Mobile DRAM一直以来获利表现均较其他DRAM产品低，因此成为本次的领涨项目。
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TrendForce集邦咨询：第四季DRAM合约价将转为上涨，季涨幅预估3~8%
Oct. 13, 2023 ---- 据TrendForce集邦咨询研究显示，自第四季起DRAM与NAND Flash均价开始全面上涨，以DRAM来看，预估第四季合约价季涨幅约3~8%，而此波涨势能否延续需观察供应商是否持续坚守减产策略，以及实际需求回温的程度，其中最关键的是通用型服务器领域。
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三季度三星利润降幅收窄，从低迷期复苏?
业内消息，全球最大的存储芯片和智能手机制造商三星电子本周表示，今年第三季度初步利润下降了78%，降幅低于之前的预期，或将表明过去遭受重创的存储芯片市场显示出从严重低迷中复苏的早期迹象。
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突发！美国宣布彻底放开这个限制
业内最新消息，昨天韩国总统府办公室正式宣布，允许三星电子和 SK 海力士无期限向其位于中国的工厂供应来自美国的芯片设备，无需美国单独批准。
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TrendForce集邦咨询： NAND Flash第四季价格有望止跌回升，预估将持平或上涨0~5%
Sep. 11, 2023 ---- 近日，三星(Samsung)为应对需求持续减弱，宣布9月起扩大减产幅度至50%，减产仍集中在128层以下制程为主，据TrendForce集邦咨询调查，其他供应商预计也将跟进扩大第四季减产幅度，目的加速库存去化速度，预估第四季NAND Flash均价有望因此持平或小幅上涨，涨幅预估约0~5%。
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三星发布采用12纳米级工艺的32Gb DDR5 DRAM
（全球TMT2023年9月1日讯）2023年9月1日，三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代双倍数据率同步动态随机存储器）。这是继2023年5月三星开始量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM之后取得的...
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三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品
在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍，功耗降低10%，且无需硅通孔(TSV)工艺即可生产128GB内存模组 此次新品为实现高达1TB容量的内存模组奠定了基础 随着12纳米级内存产品阵容的扩展，三星将持续为AI，下一代计算等多行业的各种应用提供支持 深圳2023年...
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TrendForce集邦咨询：历经2023年低基期，预估明年DRAM、NAND Flash需求位元将同比增长13%及16%
Aug. 30, 2023 ---- TrendForce集邦咨询表示，预期2024年存储器原厂对于DRAM与NAND Flash的减产策略仍将延续，尤其以亏损严重的NAND Flash更为明确。预估在2024上半年消费性电子市场需求能见度仍不明朗，通用型服务器的资本支出仍受到AI服务器排挤而显得相对需求疲弱，有鉴于2023年基期已低，加上部分存储器产品价格已来到相对低点，预估DRAM及NAND Flash需求位元年成长率分别有13.0%及16.0%。不过，尽管需求位元有回升，明年若要有效去化库存，并回到供需平衡状态，重点还是仰赖供应商对于产能有所节制，若供应商产能控制得宜，存储器均价则有机会反弹。
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TrendForce集邦咨询：第二季DRAM产业营收止跌回升，环比增长20.4%，第三季营业利润率有望转亏为盈
Aug. 24, 2023 ---- 根据TrendForce集邦咨询研究显示，受惠于AI服务器需求攀升，带动HBM出货成长，加上客户端DDR5的备货潮，使得三大原厂出货量均有成长，第二季DRAM产业营收约114.3亿美元，环比增长20.4%，终结连续三个季度的跌势。其中，SK海力士(SK hynix)出货量环比增长超过35%，且平均销售单价(ASP)较高的DDR5、HBM出货占比显著增长，带动SK海力士ASP逆势成长7~9%，推升SK海力士第二季营收环比增长近5成，成长幅度居冠，达34.4亿美元，回归第二名。
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DRAM市场的发展状况如何？
DRAM(动态随机存储器)市场是一个具有规模经济效应的行业，其在数据中心、智能手机、物联网、车联网等各行业的发展也受到关注。
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三星在DRAM芯片产能方面有哪些消息传出？
三星在去年12月发布了全球首款传输速率高达7.2Gbps的12nm级DDR5 DRAM内存芯片，今天，三星正式宣布已大规模量产12nmDDR5DRAM芯片。
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如何实现DRAM控制器的电路设计？
即动态随机存取存储器，它和 SRAM(静态随机存取存储器)一样都是常见的系统内存，也就是说我们个人电脑里的内存条通常都是DRAM。
