0 引言半导体功率器件按材料划分大体经历了三个阶段。第一代半导体功率器件以Si双极型功率晶体管为主要代表,主要应用在S波段及以下波段中。Si双极型功率晶体管在L波段脉冲
1.GaN功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS管向以碳化硅(SiC)、氮镓(GaN)为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、G
目前,功率转换器市场快速演进,将来也会快速发展,从简单的高性价比设计模式走向更为广泛、更具持续性的创新模式。新的挑战不断涌现,比如,生产能供小型伺服驱动使用或者能集成到分布式存能单元功率转换器中的更小、更高效的功率转换器。
第三代半导体材料主要包括氮化镓(Gallium Nitride, GaN)、碳化硅(Silicon Carbide, SiC)、氧化锌(Zinc Oxide, ZnO)、氮化铝(Aluminum Nitride, AlN)和金刚石等
任何电源管理系统的核心是开关,可以打开和关闭电源。它就像墙上的照明开关一样,但是速度会数百万倍地快,尺寸会数百万倍地小。效率(低损耗)、可靠性、集成度和可负担性是半导体电源开关的关键属性。
此次合作将充分发挥GaN Systems公司GaN功率晶体管的业界顶级性能与罗姆的GaN功率器件技术优势及丰富的电子元器件设计/制造综合实力。双方将利用GaN Systems公司的GaNPXTM封装技术和罗姆的功率元器件传统封装技术,联合开发最适合GaN器件的产品。这将能够最大限度地挖掘并发挥GaN器件的潜力。另外,双方通过提供兼容产品,将能够为双方的客户稳定地供应GaN器件。
固态射频能量应用正在逐渐兴起,可预见这将成为功率晶体管的又一巨大市场。很多LDMOS晶体管厂商譬如NXP、英飞凌等等都已经开始发力。而MACOM一直以硅基GaN见长, GaN的性能优势也使得其能在固态射频能量应用上获得更
专注于新产品引入 (NPI) 并提供极丰富产品类型的业界顶级半导体和电子元件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始供货GaN Systems的GSP65RxxHB-EVB绝缘金属基板 (IMS) 评估平台。
材料、信息、能源构筑的当代文明社会,缺一不可。半导体不仅具有极其丰富的物理内涵,而且其性能可以置于不断发展的精密工艺控制之下,可谓是“最有料”的材料。在不久的将来,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料的应用,无论是在军用领域还是在民用市场,都是世界各国争夺的战略阵地。
未来五年,通信产业向5G时代的革命性转变正在深刻重塑RF(射频)技术产业现状。这不仅是针对智能手机市场,还包括3W应用RF通信基础设施应用,并且,5G将为RF功率市场的化合物半导体技术带来重大市场机遇。
2022年,GaN RF器件的市场营收预计将达到11亿美元,约占整个RF 功率市场的45%...
Qorvo, Inc.推出新的50V GaN-on-SiC 晶体管系列---QPD1004、QPD1014和QPD1011,该晶体管系列可以提高性能、增强功能,并加快任务关键型战术和公共安全电台的开发速度。这些晶体管针对宽带应用进行过输入匹配处理,并且尺寸小巧,可以实现尺寸更小的新一代通信设备。
电力电子世界在1959年取得突破,当时Dawon Kahng和Martin Atalla在贝尔实验室发明了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。首款商业MOSFET在五年后发布生产,从那时起,几代MOSFET晶体管使电源设计人员实现了双极性早期产品不可能实现的性能和密度级别。
北京2017年6月6日电 /美通社/ -- Analog Devices, Inc. (ADI),全球领先的高性能信号处理解决方案供应商,近日推出一款宽带氮化镓(GaN)功率放大器HMC8205,其设计紧凑,在同类产品中性能最佳。
继第一代元素半导体材料(si)和第二代化合物半导体材料后,第三代禁带宽度半导体材料(SiC、GaN、C-BN、ZnSe等)已经在获得了众多半导体厂商的认可。第三代半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速
这是一个数据的时代,每个人都身处在庞大的数据中,并且随着物联网和5G等技术的逐步实现,数据的吞吐量正在极速增长中。据Cisco预测,2016年数据中心的流量已达5.8ZB;据爱立信报告指明,到2022年全球超过90%数据流量
今年的GaN(氮化镓)器件市场异常活跃,GaN逐渐成为主流,开始渗透一些批量需求的商业市场。
实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo, Inc.日前宣布,推出两款全新的功率放大器(PA),包括可以在内部匹配50Ω的行业首款500W L频段PA和一款450W S频段PA。
移动应用、基础设施与航空航天、国防等应用中领先的RF解决方案供应商Qorvo, Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布,推出六款全新50V氮化镓(GaN)晶体管---QPD1009和QPD1010,以及QPD1008(L)和QPD1015(L),专门设计用于优
氮化镓 (GaN) 技术由于其出色的开关特性和不断提升的品质,近期逐渐得到了电力转换应用的青睐。具有低寄生电容和零反向恢复的安全GaN可实现更高的开关频率和效率,从而为全新应用和拓扑选项打开了大门。连续传导模式 (CCM)图腾柱PFC就是一个得益于GaN优点的拓扑。与通常使用的双升压无桥PFC拓扑相比,CCM图腾柱无桥PFC能够使半导体开关和升压电感器的数量减半,同时又能将峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉区域内出现电流尖峰的根本原因,并给出了相应的解决方案。一个750W图腾柱PFC原型机被构造