提起GaN技术,就不得不说起MACOM。近日北京召开的EDI CON上,MACOM展示了业界最顶尖的GaN技术。
TI正在设计基于GaN原理的综合质量保证计划和相关的应用测试来提供可靠的GaN解决方案。氮化镓(GaN)的材料属性可使电源开关具有令人兴奋且具有突破性的全新特性—功率GaN。高电子迁移晶体管(HEMT)。HEMT是一种场效应晶体管(FET),会使导通电阻会低很多。它的开关频率要比同等大小的硅功率晶体管要快。这些优势使得功率转换的能效更高,并且能够更加有效地使用空间。GaN可以安装在硅基板上,这样可充分利用硅制造能力,并实现更低的成本。然而,在使用新技术时,需要验证这项技术的可靠性。这份白皮书的主题恰恰是G
作为电源工程师,我们能够回忆起第一次接触到理想化的降压和升压功率级的场景。还记得电压和电流波形是多么的漂亮和简单(图1),以及平均电流的计算是多么地轻松,并且确定
市场研究机构IHS最新统计报告指出,随着愈来愈多供应商推出产品,2015年碳化矽(SiC)功率半导体平均销售价格已明显下滑,有望刺激市场加速采用;与此同时,氮化镓(GaN)功率半
汽车电子专家海拉,联合领先的氮化镓功率晶体管制造商氮化镓系统公司(GaN Systems),以及凯特琳大学先进电力电子实验室充电技术领域学者成功研制了一台两电平电动汽车充电
我国正投入数十亿美元,大力推动研发自己的微芯片。这项行动可能会增强该国的军事实力及其本土科技产业。在华盛顿,这些行动已经开始引起注意。据美国《纽约时报》网站2月5日报道,一名专家和另一名参与了交易讨论的
功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花时间执行数个供货商所使用的成本缩减策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板,以及更低成本的塑料封装。对于电源设计人员来说,理解
尽管我们现在看似生活在一个非常文明的时代,但是无奈依然还是有一些“不文明”的人存在,很不幸,我们经常会看到女性朋友遭受攻击,酿成悲剧,这一情况在印度特别的明显。那么我们的女性朋友能怎么办?出门随身带一个狼牙棒,一个哨子,还是说防狼喷雾,或者电击器?
《无线电源手册》第二版是全新增订本,旨在帮助工程师如何发挥氮化镓功率晶体管的卓越性能以设计出面向无线电源传送系统的高效放大器。宜普电源转换公司宣布推出《无线电源
Ampleon公司宣布,北京建广资产有限公司成功收购恩智浦半导体的RF电源业务后,建立Ampleon公司的全球业务运作。Ampleon公司负责整体射频(RF)电源业务活动,包括LDMOS和GaN RF电源产品的销售和支持,立即生效。Ample
Ampleon公司宣布,北京建广资产有限公司成功收购恩智浦半导体的RF电源业务后,建立Ampleon公司的全球业务运作。Ampleon公司负责整体射频(RF)电源业务活动,包括LDMOS和GaN RF电源产品的销售和支持,立即生效。Ampleon公司在世界各地的16个工程技术、销售和制造设施拥有1,250名员工,公司总部位于荷兰奈梅亨,凭借50多年的产品创新和卓越工程实力而建立。
据DIGITIMES网站报道,丰田首款量产型燃料电池汽车Mirai 的上市,使得燃料电池汽车受到广泛关注。尽管燃料电池汽车的性能已经适于商业化生产,汽车产业仍然致力于解决大规
21ic讯,TDK 集团最近推出了一款新型爱普科斯 (EPCOS) N59 铁氧体磁材,其具有高频低损耗的特性。该磁材专门为电源及变频器(配备基于 GaN 的快速切换功率半导体)应用而开发,优化后的频率范围为 700 kHz 至 2 MHz。
1997年,日亚化学成功研发世界首个发光波长为371 nm的GaN基紫外发光LED。2003年,美国SETi公司开发出波长为280 nm的A1GaN基深紫外LED。2014年10月24日,诺贝尔物理学奖获得者之一天野浩在记者见面会上介绍了自己正在
美国公司Soraa计划在纽约锡拉丘兹开设一家半导体制造工厂。该公司将与纽约州达成合作,共同新建一家先进的氮化镓基板(GaN on GaN)LED制造工厂。据悉,新工厂将雇用数百名工人。 在与纽约州立大学纳米科学与工程学院的
随着LED技术不断发展,其发光波长已经由可见光波段拓展到深紫外波段,其技术逐渐成熟和成本下降将使得紫外LED应用更加广泛,甚至可能超越目前的蓝光LED。从深紫外LED的发光
2015中国LED供应链大会在马鞍山召开。本次大会以“推动联合、促进创新”为主题,来自行业主管部门领导、协学会专家、企业高层的百余人围绕一系列产业热点问题进行
根据IDC最新研究结果显示,截至2020年,全球将有295亿个装置被连结,进而创造高达1.7兆美金的物联网市场规模。其中,透过串接人、流程、事(装置)与资料就能创造6,780亿美金的市场商机。 IDC亚太区行动化与物联网研究
功率氮化镓 (GaN) 器件是电源设计人员工具箱内令人激动的新成员。特别是对于那些想要深入研究GaN的较高开关频率如何能够导致更高频率和更高功率密度的开发人员更是如此。 RF GaN是一项已大批量生产的经验证技术,由于其相对于硅材料所具有的优势,这项技术用于蜂窝基站和数款军用/航空航天系统中的功率放大器。在这篇文章中,我们将比较GaN FET与硅FET二者的退化机制,并讨论波形监视的必要性。
移动设备、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo,Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布推出一系列创新产品,旨在加速高速有线电视 (CATV) DOCSIS 3.