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浅析LED三要素：IQE、LEE与EQE

一.IQE、LEE与EQE定义首先给出内量子效率(IQE：Internal Quantum Efficiency )、光析出率(LEE：Light Extraction Efficiency)与外量子效率(EQE：External Quantum Efficiency)参数的定义与表达如下： IQE=单位时间内

显示光电
2013-11-14

LED NI 量子 GAN
刘志强：低维结构—GaN LED的潜在发展趋势

极值发光效率的解决方案在哪里?我们距离发光极限(400lm/W )还有多远? 11月10日下午，CHINASSL2013材料与装备技术分会首位发言人，中科院半导体研究所照明中心副研究员刘志强在介绍《低维结构—GaN LED的潜在发展趋势

显示光电
2013-11-13

量子点 INGAN LED GAN
揭秘IGBT市场成长的动力来源

据市场研究机构Yole的最新报告，IGBT市场在2011~2012年少许反常性的下跌后，今年市场已回归稳定成长脚步。具体而言，市场预估将从今年的36亿美元，在5年后达到60亿美元。IGBT将在电动车/动力混合汽车(EV/HEV)、再生能

消费电子
2013-11-11

IGBT SIC HEV GAN
派克研究所：2020年前美军将装备10万辆电动汽车

[摘要] 过度依赖石油资源已经成为美国军方不得不面临的问题，为缓解这一局面，美军将目光投向了电动汽车，而这些新能源汽车未来将被派往前线。　　【第一电动网】(编译李媛媛) 美国Navigant Research研究机

汽车电子
2013-11-09

电动汽车微电网 COM GAN
揭秘IGBT市场成长的动力来源

21ic讯据市场研究机构Yole的最新报告，IGBT市场在2011~2012年少许反常性的下跌后，今年市场已回归稳定成长脚步。具体而言，市场预估将从今年的36亿美元，在5年后达到60亿美

电源
2013-11-08

IGBT SIC HEV GAN
PEC电力电子西安站蓄势待发

由爱戴爱集团主办，《Bodo's功率系统》杂志协办的PEC-电力电子峰会苏州站于10月25-26号苏州会议中心落下帷幕。继PEC电力电子苏州站圆满结束后，PEC电力电子西安站蓄势待发。据PEC组委会工作人员表示：PEC电力电子苏州

半导体
2013-11-07

电力电子半导体制造 SIC GAN
SNL Kagan报告：OTT TV月租付费将达80亿美元

据SNL Kagan一份调查结果显示，2017年之前，OTT TV月租付费市场将显著增长，北美也将成为最大的OTT TV月租付费市场。SNL Kagan的报告指出，消费者对个性化的收视体验以及种类繁多的内容选择的需求在不断提升，由此就

通信技术
2013-11-06

互联网平板电脑 TV GAN
Soraa公司获得美国能源部拨款推进GaN基底研究

Soraa公司10月23日宣布已获得美国能源部先进能源研究计划署(ARPA-E)数额几百万美元的拨款，以推进与将大尺寸GaN基底用于电力电子技术的研究相关的两个项目。该公司目前已参与ARPA-E的SWITCHES项目，负责执行项目第一

半导体
2013-11-04

电力电子技术 MARK LED GAN
解读GaN on GaN LED破效率与成本“魔咒”

发光二极体(LED)的发光效率远高于传统光源，耗电量仅约同亮度传统光源的20%，并具有体积小、寿命长、效率高、不含汞等环保与健康特性，且现今LED商品效率已超出每瓦110流明，LED应用领域更是无限宽广。尤其在照明、笔

显示光电
2013-11-04

氮化镓基板 LED GAN
GT推HVPE系统加速磊晶生长，资本支出可望减少25%

LED价格下滑趋势不变，LED晶片厂不断在制程与技术方面进行改善以降低成本，半导体设备厂极特先进科技(GT ADVANCED TECHNOLOGIES)开发取代MOCVD中nGaN和uGaN生长制程的HVPE系统，未来LED晶片厂可以透过增加

显示光电
2013-10-30

UG ABS LED晶片 GAN
首尔半导体投入GaN

LED半导体照明网讯韩国LED封装大厂首尔半导体积极投入GaN-on-GaN制程，以GaN-on-GaN制程为核心的nPola产品比传统蓝宝石基板LED在同样面积上的效率是5-10倍，首尔半导体指出，nPola产品即将推出，其中，首

显示光电
2013-10-30

首尔半导体 RGB LED产品 GAN
美DOE增投资金助Soraa研究低成本块状GaN衬底

美国公司Soraa23日宣布，它已获得美国能源部高级研究项目署ARPA-E的几百万美元增投资金，继续开展与块状氮化镓（GaN）衬底相关的两个项目的研究。早在2011年，Soraa就被ARPA-E的能源转换机构选定进行GaN衬底项目研究

半导体
2013-10-29

IDE MARK LED GAN
首尔半导体投入GaN-on-GaN制程， nPola产品即将面市

韩国LED封装大厂首尔半导体积极投入GaN-on-GaN制程，以GaN-on-GaN制程为核心的nPola产品比传统蓝宝石基板LED在同样面积上的效率是5-10倍，首尔半导体指出，nPola产品即将推出，其中，首尔半导体的nPola UV产品目前已

半导体
2013-10-28

首尔半导体 RGB LED产品 GAN
Soraa公司获得美国能源部拨款推进GaN基底研究

Soraa公司10月23日宣布已获得美国能源部先进能源研究计划署(ARPA-E)数额几百万美元的拨款，以推进与将大尺寸GaN基底用于电力电子技术的研究相关的两个项目。该公司目前已参与ARPA-E的SWITCHES项

半导体
2013-10-28

电力电子技术 MARK LED GAN
LED产业新趋势：宽禁带半导体,军事和节能产业的核心

宽禁带半导体是尖端军事和节能产业的核心:相比于Si和GaAs材料,以GaN、SiC为代表的宽禁带半导体凭借击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等特点,能够大幅提升电子器件的高压、高频、

消费电子
2013-10-28

半导体晶圆 LED产业 GAN
首尔半导体投入GaN-on-GaN制程， nPola产品即将面市

韩国LED封装大厂首尔半导体积极投入GaN-on-GaN制程，以GaN-on-GaN制程为核心的nPola产品比传统蓝宝石基板LED在同样面积上的效率是5-10倍，首尔半导体指出，nPola产品即将推出，其中，首尔半导体的nPola UV产品目前已

半导体
2013-10-28

首尔半导体 RGB LED产品 GAN
美DOE增投资金助Soraa研究低成本块状GaN衬底[译]

LEDinside译美国公司Soraa23日宣布，它已获得美国能源部高级研究项目署ARPA-E的几百万美元增投资金，继续开展与块状氮化镓（GaN）衬底相关的两个项目的研究。早在2011年，Soraa就被ARPA-E的能源转换机

显示光电
2013-10-28

IDE MARK LED GAN
LayTec原位测量系统Pyro 400“加盟”晶电GaN LED生产[译]

LEDinside译 LayTec宣布，晶元光电股份有限公司批准LayTec的原位测量系统Pyro 400“加盟”其GaN LED生产。总部设在台湾的LED制造商现在将使用LayTec的的GaN表面温度传感与Pyro 400。据LayTec，Pyro 400测

显示光电
2013-10-26

测量系统晶电 LED GAN
首尔半导体投入GaN-on-GaN制程 nPola产品将面市

韩国LED封装大厂首尔半导体积极投入GaN-on-GaN制程，以GaN-on-GaN制程为核心的nPola产品比传统蓝宝石基板LED在同样面积上的效率是5-10倍，首尔半导体指出，nPola产品即将推出，其中，首尔半导体的nPola UV产品目前已

显示光电
2013-10-25

首尔半导体 RGB LED产品 GAN
美用3D打印机制造“微型肝脏”，可以生成白蛋白

如果说3D打印机将变革制造业，会让你感喟科技的发展，那么说3D打印机将变革医学界，或许就会让你大跌眼镜了。近日，美国加州Organovo公司利用3D打印，成功制造出了深度仅0.5毫米，宽度4毫米的微型肝脏器官。微型肝脏

测试测量
2013-10-24

微型蛋白质 3D打印机 GAN

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