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GaN基紫外LED封装技术：热管理优化与出光效率提升路径
在半导体照明与光电器件领域，GaN（氮化镓）基紫外LED凭借其独特的优势，如高发光效率、长寿命、小尺寸以及环保节能等，正逐渐成为紫外光源领域的研究热点。然而，在实际应用中，GaN基紫外LED的性能表现仍受到封装技术的制约，其中热管理和出光效率是两个关键问题。深入探究GaN基紫外LED封装技术中的热管理优化与出光效率提升路径，对于推动其产业化进程具有重要意义。
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英飞凌推出全球首款集成肖特基二极管的工业用GaN晶体管产品系列
【2025年4月22日, 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出CoolGaN™ G5中压晶体管，它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓（GaN）功率晶体管。该产品系列通过减少不必要的死区损耗提高功率系统的性能，进一步提升整体系统效率。此外，该集成解决方案还简化了功率级设计，降低了用料成本。
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亚马逊一年助力两百万人提升人工智能技能的关键洞察
亚马逊云科技全球拓展赋能副总裁Maureen Lonergan 北京2025年4月21日 /美通社/ -- 掌握人工智能技能的人才对企业而言不再是奢侈资源，而是必需资源。然而，巨大的技能缺口成为诸多企业应用人工智能技术的一大障碍。根据亚马逊云科技与全球领先的科技咨询公司Acce...
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DB HiTek将参展PCIM 2025，加强欧洲市场推广
…… 德国最大的功率半导体展会于纽伦堡举行（5月6日至8日）…… 分享模拟与电源、专用CIS、SiC和GaN技术的最新进展 韩国首尔2025年4月7日 /美通社/ -- 领先的8英寸晶圆代工企业DB HiTek将参加于当地时间5月6...
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Nexperia扩展GaN FET产品组合，现可支持更多低压和高压应用中的功率需求
新增产品确保了Nexperia持续拥有业内广泛的GaN FET产品类型
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CGD 官宣突破100kW以上技术，推动GaN挺进超100亿美元的电动汽车逆变器市场
2025年3月11日 英国剑桥 -无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices(CGD)开发了一系列高能效氮化镓(GaN)功率器件，使更加环保的电子产品非常易于设计和运行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN® 解决方案使 CGD 利用其 ICeGaN® 氮化镓(GaN)技术满足100kW 以上的电动汽车动力系统应用，该市场超过100亿美元。Combo ICeGaN®将智能 ICeGaN HEMT IC 和绝缘栅双极晶体管(IGBT)组合在同一个模块或集成功率管理器件(IPM)中，最大限度地提高了效率，为昂贵的碳化硅(SiC)解决方案提供了具有成本效益的替代方案。
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英飞凌发布《2025年GaN功率半导体预测报告》：GaN将在多个行业达到应用临界点，进一步提高能源效率
【2025年2月26日, 德国慕尼黑讯】在全球持续面临气候变化和环境可持续发展挑战之际，英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码： IFNNY)一直站在创新前沿，利用包括硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)在内的所有相关半导体材料大幅推动低碳化和数字化领域的发展。
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安全为本：亚马逊云科技进一步扩展多因素验证 强化统一安全管理
北京2025年2月11日 /美通社/ -- 亚马逊云科技从一开始就将安全为本的原则融入进其服务的构建中，包括为客户设置高标准的默认安全功能。在账户安全的众多要素中，强大的身份验证是账户安全的基础组成部分。多因素验证（MFA）是防止未经授权人员访问系统或数据的最简单且有效的方法之一...
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垂直GAN晶体管技术发展的进步
氮化镓(GAN)电源设备正在看到在一系列低至中型应用程序中的使用量增加，包括移动设备电源适配器，数据中心电源和电子示波器。通常使用侧向高电子迁移式晶体管(HEMT)。将GAN功率设备的应用范围扩展到更高的电压和功率可能需要使用受青睐的垂直几何形状。在本文中，我们将总结日本大阪大学的一组对GAN基板和垂直设备工艺流以及其物理和电气表征的工作。
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Changan Automobile使用Navitas Technology推出了首个基于GAN的OBC
Changan Automobile介绍了它声称是世界上第一个基于硝酸盐(GAN)的商业镀镀金(GAN)的机载充电器(OBC)技术平台，该平台集成到新推出的Qiyuan E07电动汽车中。该国最古老的汽车制造商之一已经实施了Navitas半导体的高功率GAN设备，以提高车辆充电系统的功率密度和效率。
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2025年企业领导者必知的生成式AI技能与教育趋势
亚马逊云科技培训与认证副总裁Maureen Lonergan 北京2025年1月20日 /美通社/ -- 2024年，生成式AI再度成为科技领域的焦点。各界人士纷纷热议，试图理清生成式AI对业务的影响。展望2025年，随着生成式AI逐渐从概念验证步入生产阶段，更多企业正试用生成...
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迈向更绿色的未来：GaN技术的变革性影响
过去几十年间，人口和经济活动的快速增长推动了全球能源消耗的稳步增长，并且预计这一趋势还将持续。这种增长是线下与线上活动共同作用的结果。因此，数据中心的快速扩张显著增加了全球电力需求。据估计，2022年全球数据中心耗电量约为240-340太瓦时（TWh）。近年来，全球数据中心的能源消耗以每年20-40%的速度持续增长[1]。
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使用双向 GaN 开关实现单级功率转换
英飞凌的单片双向 GaN HEMT 基于其 CoolGaN 技术，代表了电力电子领域的一项非凡创新，特别是在实现单级功率转换方面。这些 BDS 有助于开发具有更少组件、更低成本和简化设计的转换器，与传统两级方法相比具有显着优势。
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SiC和GaN的可靠性
近年来，电力电子应用中越来越多地从硅转向碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)。在过去的十年中，后者已被委托给SiC和GaN半导体，这无疑为电气化和强劲的未来铺平了道路。由于其固有特性，宽带隙半导体在许多电力应用中正在逐步取代传统的硅基器件。硅现在已经风光无限，其应用的可靠性一直非常高。现在，有必要验证这两种新型半导体从长远来看是否可以提供相同的安全前景，以及它们在未来是否对设计人员来说是可靠的。
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贸泽电子与Analog Devices和Bourns联手发布全新电子书 探讨基于GaN的电力电子器件的优势
2024年12月3日 – 专注于推动行业创新的知名新品引入 (NPI) 代理商™贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新电子书，探讨氮化镓 (GaN) 在效率、性能和可持续性方面的优势，以及发挥这些优势所面临的挑战。
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德州仪器扩大氮化镓半导体自有制造规模，产能提升至原来的四倍
德州仪器采用当前先进的 GaN 制造技术，现启用两家工厂生产 GaN 功率半导体全系列产品 新闻亮点： 德州仪器增加了 GaN 制造投入，将两个工厂的 GaN 半导体自有制造产能提升至原来的四倍。 德州仪器基于 GaN 的半导体现已投产上市。 凭借德州仪器品类齐...
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双向GaN功率IC有何用途？
双向 GaN 电源 IC 适用于各种应用，从电机驱动器和可再生能源逆变器到 USB 充电器、便携式电子设备、电动自行车等。本文介绍了双向 GaN 开关的应用可能性示例。
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SiC 和 GaN 器件如何老化？
碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 宽带隙 (WBG) 技术因其在许多高功率领域优于硅 (Si) 的性能而闻名，包括其高效率和高开关频率。然而，与单晶硅不同，SiC 和 GaN 具有独特的设计和应用问题，工程师在将这些技术用于设计时需要解决这些问题。
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常见 ACDC 电源拓扑中低功率 GaN 的优势
消费者需要为其日常携带的各种电子设备提供便携式、快速且高效的充电器。随着越来越多的电子产品转向USB Type-C®充电器，对可用于为任何设备充电的紧凑型电源适配器的需求正在迅速增加。
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提高 GaN HEMT 功率器件的短路耐受时间
在工业电机驱动功率转换中采用宽带隙 (WBG) 功率器件可以显著提高系统效率和功率密度，并提供其他优势，例如更少的可听噪声和更快的切换带来的更精确的控制。在这些应用中，降低转换损耗是实现净零碳足迹以应对气候变化的关键部分，因为电机驱动器占总用电量的 60%。在本文中，我们将讨论氮化镓 (GaN) HEMT 功率器件中的一个关键参数，即短路耐受时间 (SCWT)。
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