-
800V AI算力时代，从“备选”变“刚需”?
AI算力正以每3.4个月翻一番的速度狂飙，全球数据中心用电量持续攀升，预计到2030年将占全球耗电量的7%，电力已成为制约AI产业发展的核心瓶颈。单机柜功率从传统的5-8kW跃升至数百kW，GPU功耗不断突破上限，供电链路的损耗、散热压力与空间占用，成为算力扩张路上绕不开的难题。
-
Vishay推出适用于GaN和SiC开关应用EMI滤波的新型航天级共模扼流圈
表面贴装器件采用坚固的纳米晶磁芯和过模塑成型加固结构，在恶劣的环境中具有可靠性能
-
绿色能源：基于GaN与SiC的高效电源转换系统设计
高效电源转换系统成为推动能源利用效率提升的核心技术，以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体材料，凭借其独特的物理特性，正在重塑电源转换系统的设计范式，为数据中心、电动汽车、可再生能源等领域提供突破性解决方案。
-
瑞萨电子推出全新GaN充电方案，为广泛的工业及物联网电子设备带来500W强劲功率
基于GaN的HWLLC转换器拓扑结构，为下一代计算设备、电动工具及电动自行车树立功率密度与峰值效率新标杆
-
意法半导体新MasterGaN功率芯片整合设计灵活性和先进GaN技术
面向消费电子充电器和电源适配器、工业照明电源、太阳能微逆变器
-
基于GaN器件的工业电源OVP设计，高频化与低损耗的突破
在工业电源领域，过电压保护(OVP)是保障设备安全运行的核心功能。传统硅基器件受限于材料特性，在高频化、低损耗设计上面临物理瓶颈，而氮化镓(GaN)凭借其高电子迁移率、高击穿场强等优势，正推动工业电源OVP技术向高频化、低损耗方向突破。本文将从方案架构、应用场景及技术先进性三方面展开分析。
-
罗姆加强GaN功率器件供应能力
融合台积公司工艺技术，在集团内部建立一体化生产体系
-
智能GaN降压控制器设计——第2部分：配置和优化
为了提供正确的死区时间延迟，传统上是在控制器中内置固定的预设延迟，或通过外部元件进行一定程度的调整。这种调整需要充分考虑特定FET器件的特性，防止因过驱而造成损坏。这一调整过程可能非常耗时，而且难以准确衡量。为了优化导通和关断摆率与延迟，必须高度重视测量技术。精确的测量能够确保系统在实现最大功率输出的同时，将损耗降至最低，并有效避免损坏开关元件。
-
智能GaN降压控制器设计——第1部分：考虑因素和测量方法
同步转换器的工作原理是交替切换控制开关和同步开关器件（通常是FET）的通断状态。这种操作的时序非常重要。如果关断一个开关与接通另一个开关之间的延迟时间过长，效率就会受到影响。如果延迟时间不够长，当大量电流流过这对开关时，就可能发生所谓的“直通”现象。这会显著降低效率，并可能损坏元器件。本文是关于智能GaN降压控制器设计的两篇文章中的第一篇，讨论了所涉及的动态特性及其正确测量方法。
-
VisIC完成超亿元B轮融资，现代汽车等最新参投
VisIC Technologies宣布完成由全球半导体领导者领投的2,600万美元B轮融资，Hyundai Motor Company和Kia（统称"HKMC"）作为战略投资者参投 以色列内斯齐奥纳2026年1月7日 /美通社/ -- 电动汽车氮化镓（Ga...
-
VisIC完成超亿元B轮融资，现代汽车等最新参投
VisIC Technologies宣布完成由全球半导体领导者领投的2,600万美元B轮融资，Hyundai Motor Company和Kia(统称“HKMC”)作为战略投资者参投
-
VisIC宣布完成2,600万美元B轮融资
VisIC Technologies宣布完成由全球半导体领导者领投的2,600万美元B轮融资，Hyundai Motor Company和Kia（统称“HKMC”）作为战略投资者参投 以色列内斯齐奥纳2025年12月11日 /美通社...
-
美国国际贸易委员会裁定英飞凌在针对英诺赛科的一项专利侵权案中胜诉
【2025年12月3日, 德国慕尼黑讯】美国国际贸易委员会(ITC)裁定英诺赛科侵犯了英飞凌科技股份公司(FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY)拥有的一项氮化镓(GaN)技术专利。此外，在初步裁定中，美国国际贸易委员会确认，英飞凌在向该委员会提起的诉讼中所主张的两项专利皆具有法律效力。本案的核心在于英诺赛科未经授权使用英飞凌受专利保护的GaN技术。委员会最终裁决预计将于2026年4月2日发布，若这项初步裁决最终获得确认，将导致英诺赛科涉嫌侵权的产品被禁止进口至美国。
-
Allegro与英诺赛科联合推出全GaN参考设计，赋能AI数据中心电源
Allegro 创新栅极驱动器助力工程师实现钛金级效率和极佳功率密度，满足严苛的 AI 和边缘计算应用需求
-
意法半导体集成化GaN反激式转换器，简化应用设计，消除可听噪声
2025年11月17日，瑞士日内瓦——意法半导体推出一系列GaN反激式转换器，帮助开发者轻松研发和生产体积紧凑的高能效USB-PD充电器、快充和辅助电源。新系列转换器在低负载条件下采用意法半导体专有技术，确保电源和充电器无声运行，为用户带来出色的使用体验。
-
GAN技术在电机控制中的优势
较新的宽禁带化合物半导体材料氮化镓 (GaN) 的引入代表功率电子行业在朝着这个方向发展，并且，随着这项技术的商用程度不断提高，其应用市场正在迅猛增长。
-
GaNSiC功率器件应用，高频高效电路设计与热管理挑战
在新能源汽车、5G通信、数据中心等高算力场景，功率电子器件正经历一场由传统硅基向宽禁带材料(GaN氮化镓、SiC碳化硅)的革命性转型。GaN与SiC凭借其独特的物理特性，不仅重塑了功率器件的性能边界，更对高频电路设计与热管理系统提出了全新挑战。
-
功率半导体的极致演绎，英飞凌从晶圆、封装、模块、方案进行全面技术创新
从工业数字化、到电动出行、再到现在的AI革命，离不开创新的能源技术驱动，尤其是以SiC/GaN为代表的第三代功率半导体技术的发展。而英飞凌凭借在该领域的持续创新，牢牢把握这一趋势。
-
GaN功率放大器测试全流程：负载牵引系统与热阻抗的协同表征方法
在5G基站、卫星通信及毫米波雷达等高频应用场景中，氮化镓(GaN)功率放大器凭借其高功率密度、高效率及宽频带特性成为核心器件。然而，其测试流程面临双重挑战：一方面需通过负载牵引系统优化大信号参数，另一方面需精准表征热阻抗以避免器件失效。本文结合行业实践案例，系统阐述负载牵引与热阻抗协同测试的全流程方法。
-
GaN器件驱动芯片的选型指南：门极电荷匹配、传输延迟与抗干扰性测试
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表，凭借其高电子迁移率、低导通电阻和超快开关速度，在高频、高功率密度电源领域展现出显著优势。然而，GaN器件的驱动电路设计面临独特挑战：其门极电荷特性、传输延迟要求及抗干扰能力直接影响系统效率与可靠性。本文从门极电荷匹配、传输延迟优化及抗干扰性测试三个维度，结合典型应用案例，系统阐述GaN驱动芯片的选型方法。
叶春勇
xiaoxiao521
安泰测试Agitek
JYLBW
JWT20202
jack821119
wolfskin
206022219002
zhujun615
huang8089
nbiot
dkb
hzy41y
pengyoujianxiao
ankee
wgajf0519
andy-hui
anhuiuniversity
TQFX
callhgd
