美DOE增投资金 助Soraa研究低成本块状GaN衬底

美国公司Soraa23日宣布，它已获得美国能源部高级研究项目署ARPA-E的几百万美元增投资金，继续开展与块状氮化镓（GaN）衬底相关的两个项目的研究。

早在2011年，Soraa就被ARPA-E的能源转换机构选定进行GaN衬底项目研究，该项目为期4年，启动资金为320万美元，用于开发大尺寸、低成本、高质量的块状GaN衬底。同时，Soraa进行的另一个项目也是由ARPA-E资助的，耗资475万美元，开发氨热法GaN衬底生产技术，用于LED应用及新一代电力电子。

“我们非常感谢ARPA-E的支持，也非常高兴能够将我们的块状GaN衬底生产技术扩散到这个极其重要的技术领域，”这两个项目的首席研究员MarkD'Evelyn说道。

“研发低成本、高品质、大尺寸的块状GaN是电力电子技术进步的重要障碍之一，”Soraa首席技术官MikeKrames说。“ARPA-E资助的第二个项目是对我们前期研究工作的肯定，我们希望这些项目能够帮助我们奠定绿色科技和可持续制造的领导地位。”

“Soraa已经展示了他们在研发高品质LED衬底上的出色进展，我们希望这项工作可以用于突破电力电子应用。”ARPA-E项目总监TimHeidel说道。