关注点一:功率半导体器件性能1998年,Infineon公司推出冷mos管,它采用“超级结”(Super-Junction)结构,故又称超结功率MOSFET。工作电压600V~800V,通态电阻几
新的IGBT器件扩充了额定电流范围,为UPS、电火锅、电饭煲及微波炉等电源应用提供高能效、高速开关能力21ic讯 安森美半导体(ON Semiconductor)持续扩充高性能绝缘门双极晶体
21ic讯 Power Integrations 旗下子公司 IGBT 驱动器制造商 CT-Concept Technologie AG宣布推出全新双信道 IGBT 驱动器核心,能处理高达 4.5 kV 的电压。采用基于变压器的信
高压IGBT的性能显著提高。现今最常用的IGBT技术是场截止IGBT(FS IGBT)技术,它结合了PT(穿通)和NPT(非穿通)IGBT结构的优点,同时克服了两者的缺点。FS IGBT在导通状态时提供
近年来,现代逆变电源越来越趋向于高频化,高性能,模块化,数字化和智能化。 文中研制的逆变电源控制系统以TMS320F2812 作为控制核心,它是一种支持实时仿真的32 位微控制
近日,中国南车旗下株洲南车时代电气股份有限公司自主研制的轨道交通用3300伏电压等级IGBT芯片通过鉴定。这也是我国首款具有完全自主知识产权的IGBT芯片,将能够成功批量装车应用,填补了我国在该领域的空白。IGBT即
随着电力电子技术的发展, 逆变器的应用已深入到各个领域, 一般均要求逆变器具有高质量的输出波形。逆变器输出波形质量主要包括两个方面, 即稳态精度和动态性能。因此, 研究既具有结构和控制简单, 又具有优良动、静态性能的逆变器控制方案, 一直是电力电子领域研究的热点问题。
IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种典型的双极MOS复合型功率器件。它结合功率MOSFET的工艺技术,将功率MOSFET和功率管GTR集成在同一个芯片中。该器件具有开关频率高、输入阻抗较
摘要:为了优化水冷散热器散热能力,保障其可靠工作,引用了传热学中的基本原理与公式,以散热器外形的机械尺寸、水的强制对流换热系数和水的导热系数作为参数及变量推导了散热器水冷热阻的计算公式。同时为了满足实
引言对电能转换而言,可再生能源电子细分市场是一个复杂且多样化的竞技场。在一些负载点应用中,开关型功率转换器通常为非隔离式,功率水平相当低(<200 W),并且常常会把电
有关IGBT你了解多少,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体
器件的目标定位是功率转换器、频率转换器,以及风力机、太阳能逆变器和汽车动力总成中的电机驱动21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款高性能镀金属聚丙
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器---Vishay Roederstein MKP386M,该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块上,容量从0.047µF到10µF,
全新25A、50A和 70A IGBT器件设计用于大功率、高性能的工业应用21ic讯 美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through, NPT) IGBT系列增
我国集成电路产业正致力于形成设计业、制造业、封装测试业相对均衡发展的结构,IC制造企业在其中发挥重要作用。记者采访了中国大陆IC制造企业有关人士,对今年市场热点、技术走向做了详尽分析。 智能手机平板电
下面还有电源方面的说明,主要还应用到电源控制方面1. 电力电子技术的发展现代电力电子技术的发展方向,是从以低频技术处理问题为主的传统电力电子学,向以高频技术处理问题为
IGBT控制电路原理图如下图所示,本电路可用于 中频加热系统。 其中,LM565是集成锁相环电路,其功能是提供频率稳定的方波信号,通过调节电位器VR1即可改变LM565的输出频率
IGBT过流保护电路如下图所示,本电路可用于中频加热系统。 其中运放C814组成电压跟随器,其输入是来自电流互感器的输出,两个电压比较器C271组成窗口电压比较器,比较器的输
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日提升绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 选型工具的性能,以优化多种应用的设计过
有关IGBT你了解多少,今天就随小编一起来系统的了解一下IGBT吧!IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效