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安森美扩充针对电机控制、太阳能及不断间电源应用的高性能沟槽型场截止IGBT阵容
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充NGBTxx系列1,200伏(V)沟槽型场截止(FS) 绝缘门双极晶体管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案。这些新器件提升系统总体开关能效，降低功
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面向汽车应用的IGBT功率模块浅谈
中心论题：由于汽车环境的复杂多变，EV和HEV中的IGBT模块要经受严峻的热和机械条件(振动和冲击)的考验在功率循环、热循环、机械振动或机械冲击试验中IGBT模块会出现的一些典型的故障模式厂商推出用于HEV的高可靠性IG
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浅谈新能源及新能源汽车的四大设计热点
在科技部发布的《十二五科技发展规划》中，新能源系统和新能源汽车是十二五规划的产业重点之一。同时，积极利用新能源，发展新能源汽车也符合国际社会对节能减排的环保诉求。为了帮助新能源系统和新能源汽车厂商提高
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变频器行业呈高速增长趋势
2010年变频器行业增长速度达到27.27%，主要是中低压变频器去年供不应求，增速达到30%，第一次出现比高压变频器增速高的状况；高压变频器竞争加剧，价格继续呈下降趋势。经过测算，未来变频器行业将继续维持20%左右的
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Microsemi推出三款新一代1200V非穿通型IGBT
美高森美公司(Microsemi)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT)系列的三款IGBT新产品面世：APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J。该产品系列的所有器件均
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开关电源技术发展的十大关注点
开关电源一直是电子行业里非常热门的技术，而它的发展趋势又是大家必须时刻关注的问题，不然一不留神就会跟不上技术发展的步伐。电子元件技术做了项开关电源技术发展关注焦点调查，得出来以下十个热门关注点。关注点
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车联网这块蛋糕，安华高要吃下哪一块
车联网产业被业界普遍认为极具发展潜力，是一块炙手可热的大蛋糕，每家企业也会选择自己最看重和擅长的一块入口。安华高科技（AvagoTechnologies）又喜欢吃哪一块呢？安华高的关注点车“联网”自然就少不了汽车通信网
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车联网这块蛋糕，安华高要吃下哪一块
车联网产业被业界普遍认为极具发展潜力，是一块炙手可热的大蛋糕，每家企业也会选择自己最看重和擅长的一块入口。安华高科技（AvagoTechnologies）又喜欢吃哪一块呢？安华高的关注点车“联网”自然就少不了汽车通信网
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几种高压变频器原理分析及实际应用
1.引言电机是工业生产中主要的耗电设备，高压大功率电动机的应用更为突出，而这些设备大部分都存在很大的节能潜力。所以大力发展高压大功率变频调速技术具有时代的必要性和迫切性。目前，随着现代电力电子技术和微电
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研析某型变频器的控制模式
1步进运动理论分析同步电动机采用变频器供电后，三相定子绕组输入的不是正弦连续电流，而是输入下列的对称离散电流。2步进工作模式分析2.1IGBT-PWM变频器主电路主电路采用交-直-交电压型逆变电路，6个不可控的二极管
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电磁炉检测电路工作原理分析
1 电网电压检测、高压检测保护电路 电网电压检测、高压检测保护电路原理如图1 所示。该输入电压与电网电压成正比，单片机以此电压为依据，与内部设定值进行比较，判断工作电压是否在其允许值范围内。若超过允许值
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中国南车首家海外功率半导体研发中心落成
7月25日，中国南车株洲所首家海外功率半导体研发中心在英国顺利落成，这也是我国轨道交通装备制造企业首个海外高端器件研发中心。以IGBT为代表的功率半导体器件技术是轨道交通装备关键技术之一，被业界认为是现代机车
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中国南车首家海外功率半导体研发中心落成
7月25日，中国南车株洲所首家海外功率半导体研发中心在英国顺利落成，这也是我国轨道交通装备制造企业首个海外高端器件研发中心。以IGBT为代表的功率半导体器件技术是轨道交通装备关键技术之一，被业界认为是现代机车
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如何保护马达驱动器与可再生能源系统中的IGBT
电源转换电路经常被应用在马达驱动器或可再生能源的功率转换上，设计中包括可以将直流电压转换为交流电压的电源转换器，以便用来推动马达或连接到可再生能源系统的电网(图1)。 图1，交流-直流-交流转换器功能框图。
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二极管+IGBT：新架构能带来什么新应用？
技术特点：逆向导通型IGBT将二极管和IGBT集成在同一个晶片里节省空间，价格低175度的结温，EMI效果良好应用领域：洗衣机、洗碗器、吸尘器、空调、冰箱的压缩机、伺服驱动、风扇由于现在经济的快速发展，能源的消耗也
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隔离驱动IGBT等功率器件设计所需要的一些技巧
标签：功率器件 IGBT功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保护，以避免如欠压，缺失饱和，米勒效应，过载，短路等条件所造成的损害。本在线研讨会介绍了为何光耦栅极驱动
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浅析栅极电阻RG对IGBT开关特性的性能影响
1 前言 用于控制、调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流。功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制。而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制。通过使用典型的+15V控制电压(VG(on
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瑞萨推出13款绝缘栅双极晶体管新品
21ic讯 瑞萨电子公司，日前宣布为其第七代具有业界领先性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT）阵列增加13款新产品。新的IGBT包括采用650V电压的RJH/RJP65S系列和采用1250V电压的RJP1CS系列。新的IGBT作为功率半导体器件，用
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国产功率半导体芯片亟待突破
尽管我国拥有国际上最大的功率半导体市场，但是目前国内功率半导体产品的研发与国际大公司相比还存在很大差距，特别是高端器件差距更加明显。功率半导体在产品节能中发挥着巨大的作用。在可预见的将来，无论是水电、
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高能效设计研讨会：聚焦新能源和电力电子应用
2012中国(成都)电子展携手CNT Networks,我爱方案网与China Outlook Consulting将在西部重镇成都和西安两地召开高能效设计技术研讨会（8月16日，成都；8月14日，西安），特别针对新能源和电力电子应用设计，特别是逆变
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