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各种检测电路工作原理分析
1 电网电压检测、高压检测保护电路 电网电压检测、高压检测保护电路原理如图1 所示。该输入电压与电网电压成正比，单片机以此电压为依据，与内部设定值进行比较，判断工作电压是否在其允许值范围内。若超过允许值
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各种检测电路工作原理分析
1 电网电压检测、高压检测保护电路 电网电压检测、高压检测保护电路原理如图1 所示。该输入电压与电网电压成正比，单片机以此电压为依据，与内部设定值进行比较，判断工作电压是否在其允许值范围内。若超过允许值
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IGBT在不间断电源中的应用
1.引言在UPS中使用的功率器件有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT既有功率MOSFET易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大的优点、使用IGBT成为UPS功率设计的
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基于IGBT的固态高压脉冲电源的研究与设计
摘要：由于脉冲电源有断续供电的特性，在很多领域都获得了广泛的应用，其中高压脉冲电源是系统的核心组成部分。为了获取高重复频率、陡前沿高压脉冲电源，文中提出了一种基于IGBT的高压脉冲电源，系统主要由高压直流
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基于IGBT的固态高压脉冲电源的研究与设计
摘要：由于脉冲电源有断续供电的特性，在很多领域都获得了广泛的应用，其中高压脉冲电源是系统的核心组成部分。为了获取高重复频率、陡前沿高压脉冲电源，文中提出了一种基于IGBT的高压脉冲电源，系统主要由高压直流
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中低压变频器市场争夺，IGBT等核心器件研发能力成筹码
变频器市场中，高压变频器一直占据重要位置，而低压变频器则增长缓慢，但从2011年起，低压变频器一改低迷态势，以30%加速发展的高姿态呈现出供不应求的局面。我国变频调速技术发展与发达国家相比还不够成熟，中高端变
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富士与英飞凌就IGBT功率模块达成一项协议
5月31日消息，据媒体报道，富士电子有限公司和芯片厂商英飞凌科技股份公司于近日宣布，双方达成一项协议，利用英飞凌的HybridPACK 2功率模块合作开发汽车IGBT功率模块。据悉，此协议是为满足混合动力汽车的功率模块的
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新型IGBT软开关在应用中的损耗分析
本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200V RC-IGBT，并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步。IGBT技术进步主要体现在两个方面：通过采用和改进沟槽栅来优化垂直方向载流子浓度，以及利用&ldquo
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10MW级高压变频器在600MW机组给水系统中的应用
摘 要：本文针对600MW机组锅炉给水系统，应用国产10MW级高压超大功率变频器代替液力耦合器机械调速，提高给水泵系统机械效率、节能降耗的经验进行了积极探讨。通过实践证明：在既有液力耦合器调速的基础上，通过高压
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华润上华成功开发600V和1700V IGBT工艺平台
华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司（后简称“华润上华”）宣布已开发完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型绝缘栅双极晶体管）以及600V Trench PT IGBT（沟槽穿通型绝缘栅双极晶体管
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新型IGBT软开关在应用中的损耗分析
本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200V RC-IGBT，并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步。IGBT技术进步主要体现在两个方面：通过采用和改进沟槽栅来优化垂直方向载流子浓度，以及利用&ldquo
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10MW级高压变频器在600MW机组给水系统中的应用
摘 要：本文针对600MW机组锅炉给水系统，应用国产10MW级高压超大功率变频器代替液力耦合器机械调速，提高给水泵系统机械效率、节能降耗的经验进行了积极探讨。通过实践证明：在既有液力耦合器调速的基础上，通过高压
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华润上华成功开发600V和1700V IGBT工艺平台
华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司（后简称“华润上华”）宣布已开发完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型绝缘栅双极晶体管）以及600V Trench PT IGBT（沟槽穿通型绝缘栅双极晶体管
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电源管理市场未来五年前景良好
据IHS iSuppli公司的电源管理市场追踪报告，继2011年第四季度惨跌之后，电源管理半导体在2012年初有所回升，并在第二季度终于走上明显增长之路，主要是受消费与工业领域的扩张推动。第二季度电源管理半导体营业收入将
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IGBT系统的介绍
IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功 率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点（功
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电源管理市场未来五年前景良好
据IHSiSuppli公司的电源管理市场追踪报告，继2011年第四季度惨跌之后，电源管理半导体在2012年初有所回升，并在第二季度终于走上明显增长之路，主要是受消费与工业领域的扩张推动。第二季度电源管理半导体营业收入将
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IGBT系统的介绍
IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功 率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点（功
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继2011年底惨跌之后，电源管理半导体第二季度开始复苏
据IHS iSuppli公司的电源管理市场追踪报告，继2011年第四季度惨跌之后，电源管理半导体在2012年初有所回升，并在第二季度终于走上明显增长之路，主要是受消费与工业领域的扩张推动。 第二季度电源管理半导体营业收入
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继2011年底惨跌之后 电源管理半导体第二季度开始复苏
据IHS iSuppli公司的电源管理市场追踪报告，继2011年第四季度惨跌之后，电源管理半导体在2012年初有所回升，并在第二季度终于走上明显增长之路，主要是受消费与工业领域的扩张推动。第二季度电源管理半导体营业收入将
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Microsemi发布新一代超高效NPT IGBT
21ic讯 美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款产品。新的IGBT系列采用美高森美的尖端Power MOS 8™技术，与竞争解决方案相比，总体开关和导通
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