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三菱电机将在合肥建基地 生产主要零件
『中国家电网讯』记者获悉，三菱电机半导体制作所与捷敏电子(合肥)有限公司达成合作，在肥建立生产基地。据了解，新建的合肥生产基地将成为三菱电机半导体制作所继上海之后的中国第二个生产基地，主要为变频空调、
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IGBT产品及应用方案集中亮相PCIM-Asia2011
IGBT（场控器件绝缘栅双极晶体管）作为核心技术广泛应用于交通运输，工厂自动化，风能、太阳能等可再生资源领域。由于其技术含量高，研发难度大且需大量资金，目前大部分IGBT都是从国外进口，在国内封装。这也和中
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CY8C22545的触摸按键电磁炉设计
1.引言 电容感应方式的触摸按键有很多优点，由于不需要机械结构，相比传统的机械按键和薄膜按键，触摸式按键有着不可比拟的优势，并由此带来了时尚美观的外观设计。目前已经广泛应用于各种消费类电子产品。越
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栅极电阻RG对IGBT开关特性的性能影响分析
1 前言 用于控制、调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流。功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制。而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制。通过使用典型的+15V控制电压(VG(
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CY8C22545的触摸按键电磁炉设计
1.引言 电容感应方式的触摸按键有很多优点，由于不需要机械结构，相比传统的机械按键和薄膜按键，触摸式按键有着不可比拟的优势，并由此带来了时尚美观的外观设计。目前已经广泛应用于各种消费类电子产品。越
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CY8C22545的触摸按键电磁炉设计
1.引言 电容感应方式的触摸按键有很多优点，由于不需要机械结构，相比传统的机械按键和薄膜按键，触摸式按键有着不可比拟的优势，并由此带来了时尚美观的外观设计。目前已经广泛应用于各种消费类电子产品。越
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栅极电阻RG对IGBT开关特性的性能影响分析
1 前言 用于控制、调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流。功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制。而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制。通过使用典型的+15V控制电压(VG(
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功率半导体充当节能先锋 中国企业加快步伐
过去，人们常把集成电路比作电子系统的大脑，而把功率半导体器件比作四肢，因为集成电路的作用是接受和处理信息，而功率器件则根据这些信息指令产生控制功率，去驱动相关电机进行所需的工作。如今，新型功率半导体器
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智能IGBT在汽车点火系统中的应用
要产生火花，所需的器件包括电源、电池、变压器（即点火线圈），以及用于控制变压器初级电流的开关。电子学教科书告诉我们V=Ldi/dt。因此，如果线圈初级绕组中的电流发生瞬间变化（即di/dt值很大），初级绕组上将产生
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扶持政策出台 高压变频上游利好
据悉，在高压变频器中，约有一半的成本来自绝缘栅双极晶体管（IGBT）等电力电子元器件。相比中低压变频器，这类产品的价格与质量对高压变频器而言要重要得多。因此高压变频器厂商对电力电子元器件行业的关注从来没
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半导体的供应不足将持续到何时？
半导体厂商的订单额在2010年1～3月激增后，4～6月一直为横盘走势（图1）。也就是说，订单额从“雷曼事件”后的2009年4月开始一直处于持续增加的趋势，但近来已转为不升不降。由此，认为半导体市场的供需正趋于平衡就
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士兰微拟1.35亿元组建功率模块生产线项目
士兰微拟同意在子公司士兰集成内组建多芯片高压功率模块制造生产线，计划从2010年起在未来的2--3年内安排投资13,500万元，其中2010年投资2,500万元。士兰微7月29日发布公告称，公司第四届董事会第九次会议审议通过《
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光隔离IGBT栅驱动（Avago）
Avago Technologies宣布推出2.5A最大输出驱动ACPL-H342和ACPL-K342光隔离IGBT栅驱动，该产品带有嵌入式米勒箝位、轨至轨输出电压、欠压锁存(UVLO)电路和保护免受IGBT跨导和电流“直通”的影响，以便保证电源逆变器和
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家电智能功率模块单驱动电源方案
由于双列直插式(DIP)智能功率模块(IPM)内置高压集成电路(HVIC)，使采用单一控制电源供电成为可能。对控制电源的性能指标要求为：+15V(+-10%)，dv/dt≤(1V/us，V纹波>≤2Vp-p。HVIC器件通常会忽略掉脉宽<50ns、
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感应加热用IGBT超音频电源
1引言 感应加热是将工件直接加热，它具有效率高，作业条件好，温度容易控制，金属烧损小，无需预热等优点。 传统的感应加热设备应用的电力电子器件是电子管和快速晶闸管。电子管电压高，稳定性差，幅射强，效率低，已
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基于矩阵变换器IGBT的集中式过流保护电路设计
摘要：分别针对矩阵变换器的整流级和逆变级IGBT的过流现象进行了讨论，提出了一种新的集中式过流保护电路的设计方式。该方式可确保IGBT在短路情况下及时被关断，从而安全稳定地运行。试验结果表明：新的集中式过流保
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马达设计原理及技巧
现今的可调速驱动电路都采用变频器来调整输出电流，以满足三相马达的要求。变频器的形状大小通常会受到应用的限制。在许多情况下，电路板与马达靠得很近，而马达构造的高度也会受限。另外，所用高功率半导体器件的物
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功率半导体行业的春天
功率半导体下游需求旺盛，发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强，iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为2833亿美元，增长率达到23.2%. MOSFET市场前景广阔。2007年全球MOSFET的销售额大约为52.89亿美元，
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新型IGBT软开关在应用中的损耗
本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200V RC-IGBT，并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步。IGBT技术进步主要体现在两个方面：通过采用和改进沟槽栅来优化垂直方向载流子浓度，以及利用“场终
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功率半导体行业的春天
功率半导体下游需求旺盛，发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强，iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为2833亿美元，增长率达到23.2%. MOSFET市场前景广阔。2007年全球MOSFET的销售额大约为52.89亿美元，
