[导读]『中国家电网讯』记者获悉，三菱电机半导体制作所与捷敏电子(合肥)有限公司达成合作，在肥建立生产基地。据了解，新建的合肥生产基地将成为三菱电机半导体制作所继上海之后的中国第二个生产基地，主要为变频空调、
『中国家电网讯』记者获悉，三菱电机半导体制作所与捷敏电子(合肥)有限公司达成合作，在肥建立生产基地。据了解，新建的合肥生产基地将成为三菱电机半导体制作所继上海之后的中国第二个生产基地，主要为变频空调、冰箱、洗衣机等家电产品提供主要零件，预计今年12月将进行设备安装，明年1月份试生产。
三菱电机是一家以重型电机系统、工业自动化系统、信息与通信系统、生活家电、电子器件等领域为中心，进行制造与生产的企业。其位于福冈的半导体制作所主要产品——功率半导体是组成节能产品的主要零件，其中，IGBT功率半导体居世界市场占有率的首位。
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近年来，日本制造业企业数据造假屡见不鲜。日本引以为傲的工匠精神也在不断的造假风波中走下神坛。
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三菱电机
机械制造
汽车
日本三菱电机公司(Mitsubishi Electric)20日就一系列检查违规问题，公布了外部专家组成的调查委员会的最终报告，透露称自今年5月公布第3份报告以后，在11个生产据点新发现了总计70起违规。累计违规数达到1...
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三菱电机
MITSUBISHI
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在最新的功率半导体技术中，开关速度是最显眼的属性，但是在实际电路中，高边缘速率会造成独有的问题。本博客将讲解这个问题和简单的解决方法。
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功率半导体
半导体开关
在上一集中观察到的双极晶体管的缺点是开关时间太长，尤其是在高功率时。这样，它们不能保证良好的饱和度，因此开关损耗是不可接受的。由于采用了“场效应”技术，使用称为 Power-mos 或场效应功率晶体管的开关器件，这个问题...
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电力电子
MOSFET
IGBT
8月22日，A股收盘后，士兰微发布了2022年半年度报告，公司上半年实现营业收入41.85亿元，同比增长26.49%;归属于上市公司股东的净利润5.99亿元，同比增长39.12%;归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净...
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IGBT
士兰微
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2022中国国际智能产业博览会(以下简称“智博会”)于2022年8月22日至24日召开。三菱电机(中国)有限公司(以下简称“三菱电机”)以“云发布”的形式亮相本届智博会，这也是三菱电机第四次出展智博会。三菱电机株式会社执...
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三菱电机
2022中国智博会
大数据
我们中的许多人都熟悉低功率直流电机，因为我们在日常生活中随处可见它们。我们可能看不到所有更大的交流工业电机在幕后工作，以自动化我们的汽车组装或提升我们每天乘坐的电梯。这些大功率电机由具有不同要求和更高电流的电子设备驱动。...
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IGBT
低功率直流电机
在本系列的第 1 部分中，我们讨论了如何正确选择 IGBT 的控制电压。这一次，您将了解有关隔离要求以及如何计算正确的IGBT 驱动功率的更多信息。
IGBT驱动电路的设计包括上下桥绝缘水平的选择、驱动电压水平的确定、驱...
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IGBT
IGBT驱动
IGBT全称叫绝缘栅双极型晶体管，是一种复合型结构器件，它结合了MOS晶体管和BJT双极型晶体管的优点，在电压电流转换，电能输出领域用的非常多，特别是在高压大电流领域，IGBT占主导地位，是人类控制电能，利用电能的核心半...
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IGBT
IGBT基础知识
N 沟道 IGBT 基本上是构建在 p 型衬底上的 N 沟道功率 MOSFET，的通用 IGBT 横截面所示。（PT IGBT 有一个额外的 n+ 层，将在后面说明。）因此，IGBT 的操作与功率 MOSFET 非常相似...
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IGBT
IGBT基础知识
所谓PT(PunchThrough，穿通型)，是指电场穿透了N-漂移区，电子与空穴的主要汇合点在N一区。NPT在实验室实现的时间(1982年)要早于PT(1985)，但技术上的原因使得PT规模商用化的时间比NPT早，所以...
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IGBT
IGBT基础知识
从APT 提供的数据表旨在包含对电源电路设计人员有用且方便的相关信息，用于选择合适的器件以及预测其在应用中的性能。提供图表以使设计人员能够从一组操作条件外推到另一组操作条件。应该注意的是，测试结果非常依赖于电路，尤其是寄...
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IGBT
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从APT 提供的数据表旨在包含对电源电路设计人员有用且方便的相关信息，用于选择合适的器件以及预测其在应用中的性能。提供图表以使设计人员能够从一组操作条件外推到另一组操作条件。应该注意的是，测试结果非常依赖于电路，尤其是寄...
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IGBT
IGBT基础知识
IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压 的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它与GTR的输出特性相似.也 可分为饱和区 1 、放大区2和击穿特性3部分。在...
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一个等效的 IBGT 模型，其中包括端子之间的电容。输入、输出和反向传输电容是这些电容的组合。数据表中规定了测量电容的测试条件。
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IGBT
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这是从芯片结到器件外壳外部的热阻。热量是设备本身功率损失的结果，热阻与基于这种功率损失的芯片的热度有关。之所以称为热阻，是因为使用电气模型根据稳态功率损耗预测温升。
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IGBT
IGBT基础知识
与低功率同类产品不同，MOSFET、IGBT、功率二极管和晶闸管等功率器件会产生大量热量。因此，有效的热管理对于确保电力电子设备的可靠性和优化的寿命性能至关重要，包括由更高工作温度、宽带隙 (WBG) 半导体材料制成的设...
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冷却系统
e络盟与东芝加强全球合作，以方便全球用户获取市场领先的功率半导体和其他分立器件，推动新技术加速上市
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东芝
功率半导体
分立器件
是德科技公司(NYSE：KEYS)近日宣布，发布具有增强功能的下一代双脉冲测试仪(DPT)——功率动态参数分析仪PD1550A，使客户能够比以往更快、更简单地测试功率模块。是德科技提供先进的设计和验证解决方案，旨在加速创...
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气候变化和社会对环境问题日益敏感，需要为化石燃料动力车辆开发技术解决方案。逐步减少排放的监管要求要求内燃机的设计具有较小的容积、较高的发动机转速，并且能够以较不浓的燃料混合物运行。
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