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士兰微拟1.35亿元组建功率模块生产线项目
时间：2010-07-30 11:15:06
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[导读]士兰微拟同意在子公司士兰集成内组建多芯片高压功率模块制造生产线，计划从2010年起在未来的2--3年内安排投资13,500万元，其中2010年投资2,500万元。士兰微7月29日发布公告称，公司第四届董事会第九次会议审议通过《
士兰微拟同意在子公司士兰集成内组建多芯片高压功率模块制造生产线，计划从2010年起在未来的2--3年内安排投资13,500万元，其中2010年投资2,500万元。
士兰微7月29日发布公告称，公司第四届董事会第九次会议审议通过《关于控股子公司组建功率模块生产线项目的议案》。
多芯片高压功率模块组件因其具有较高的功率密度和可靠性、较高的集成度、安装使用便捷等优点，而越来越受到市场的关注，应用的领域也越来越广。目前采用芯片设计与制造一体化运行的士兰微电子，通过芯片设计、器件结构开发、工艺开发等多个技术平台的互动，已经在公司的控股子公司杭州士兰集成电路有限公司的芯片生产线上完成了高压集成电路、IGBT、快恢复二极管等高压功率器件芯片的开发和生产，具备了完全依靠自主开发的电路和器件芯片完成高压功率模块制造、封装的基础。
公司拟同意在士兰集成内组建多芯片高压功率模块制造生产线，计划从2010年起在未来的2-3年内安排投资13,500万元，其中2010年投资2,500万元。
士兰集成目前注册资本为40,000万元，公司持有其97.5%的股权。
士兰微7月29日发布公告称，公司第四届董事会第九次会议审议通过《关于控股子公司组建功率模块生产线项目的议案》。
多芯片高压功率模块组件因其具有较高的功率密度和可靠性、较高的集成度、安装使用便捷等优点，而越来越受到市场的关注，应用的领域也越来越广。目前采用芯片设计与制造一体化运行的士兰微电子，通过芯片设计、器件结构开发、工艺开发等多个技术平台的互动，已经在公司的控股子公司杭州士兰集成电路有限公司的芯片生产线上完成了高压集成电路、IGBT、快恢复二极管等高压功率器件芯片的开发和生产，具备了完全依靠自主开发的电路和器件芯片完成高压功率模块制造、封装的基础。
公司拟同意在士兰集成内组建多芯片高压功率模块制造生产线，计划从2010年起在未来的2-3年内安排投资13,500万元，其中2010年投资2,500万元。
士兰集成目前注册资本为40,000万元，公司持有其97.5%的股权。
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