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感应加热用IGBT超音频电源
1引言 感应加热是将工件直接加热，它具有效率高，作业条件好，温度容易控制，金属烧损小，无需预热等优点。 传统的感应加热设备应用的电力电子器件是电子管和快速晶闸管。电子管电压高，稳定性差，幅射强，效率低，已
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基于矩阵变换器IGBT的集中式过流保护电路设计
摘要：分别针对矩阵变换器的整流级和逆变级IGBT的过流现象进行了讨论，提出了一种新的集中式过流保护电路的设计方式。该方式可确保IGBT在短路情况下及时被关断，从而安全稳定地运行。试验结果表明：新的集中式过流保
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马达设计原理及技巧
现今的可调速驱动电路都采用变频器来调整输出电流，以满足三相马达的要求。变频器的形状大小通常会受到应用的限制。在许多情况下，电路板与马达靠得很近，而马达构造的高度也会受限。另外，所用高功率半导体器件的物
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功率半导体行业的春天
功率半导体下游需求旺盛，发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强，iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为2833亿美元，增长率达到23.2%. MOSFET市场前景广阔。2007年全球MOSFET的销售额大约为52.89亿美元，
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新型IGBT软开关在应用中的损耗
本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200V RC-IGBT，并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步。IGBT技术进步主要体现在两个方面：通过采用和改进沟槽栅来优化垂直方向载流子浓度，以及利用“场终
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功率半导体行业的春天
功率半导体下游需求旺盛，发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强，iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为2833亿美元，增长率达到23.2%. MOSFET市场前景广阔。2007年全球MOSFET的销售额大约为52.89亿美元，
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新型IGBT软开关在应用中的损耗
本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200V RC-IGBT，并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步。IGBT技术进步主要体现在两个方面：通过采用和改进沟槽栅来优化垂直方向载流子浓度，以及利用“场终
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基于单片机和PSD设计的数制化电源
摘 要： 根据单片机80C196KC和现场可编程系统器件PSD302的特性，设计了一种数制化电源装置，提供了程序框图，并对其进行了谐波分析。它是一种高性能的通用装置，可替代传统的PWM逆变电源。 随着现代工业的发展和社会
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马达设计的技巧
现今的可调速驱动电路都采用变频器来调整输出电流，以满足三相马达的要求。变频器的形状大小通常会受到应用的限制。在许多情况下，电路板与马达靠得很近，而马达构造的高度也会受限。另外，所用高功率半导体器件的物理性质和所选封装的形状，也要求电路板上有足够的位置空间。功率半导体开关工作期间产生的电压、电流交叠会造成损耗，必须将其消除。虽然功率耗散问题可以通过加设散热片而得到改善，但这也会限制半导体器件在电路板上的布局安排。
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基于单片机和PSD设计的数制化电源
摘 要： 根据单片机80C196KC和现场可编程系统器件PSD302的特性，设计了一种数制化电源装置，提供了程序框图，并对其进行了谐波分析。它是一种高性能的通用装置，可替代传统的PWM逆变电源。 随着现代工业的发展和社会
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马达设计的技巧
现今的可调速驱动电路都采用变频器来调整输出电流，以满足三相马达的要求。变频器的形状大小通常会受到应用的限制。在许多情况下，电路板与马达靠得很近，而马达构造的高度也会受限。另外，所用高功率半导体器件的物理性质和所选封装的形状，也要求电路板上有足够的位置空间。功率半导体开关工作期间产生的电压、电流交叠会造成损耗，必须将其消除。虽然功率耗散问题可以通过加设散热片而得到改善，但这也会限制半导体器件在电路板上的布局安排。
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汽车级IGBT在混合动力车中的设计应用
针对汽车功率模块需求，英飞凌通过增强IGBT的功率循环和温度循环特性，并增加IGBT结构强度，大大提高了IGBT的寿命预期。 混合动力车辆中功率半导体模块的要求 工作环境恶劣(高温、振动) IGBT位于逆
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汽车级IGBT在混合动力车中的设计应用
针对汽车功率模块需求，英飞凌通过增强IGBT的功率循环和温度循环特性，并增加IGBT结构强度，大大提高了IGBT的寿命预期。 混合动力车辆中功率半导体模块的要求 工作环境恶劣(高温、振动) IGBT位于逆
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第三代高速600V和1200V IGBT（英飞凌）
英飞凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3（第三代）IGBT产品系列。该系列经过优化，适用于高频和硬开关应用，在降低开关损耗、实现出类拔萃的效率方面，树立了行业新标杆，并可满足开关频率高达100 kHz的应用需
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飞兆半导体技术专家阐释功率电子技术未来发展趋势
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的技术专家将与来自电子界和学术界的专家一起，于2010年6月1至3日在上海举办的PCIM China 2010展会上发表演说，阐述功率电子技术的最新发展状况和未来的发展趋势。 飞兆
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华润微电子IGBT工艺平台通过产品设计验证
由中国科学院微电子研究所（以下简称“中科院微电子所”）设计研发的绝缘栅控双极晶体管（“Insulated Gate Bipolar Transistor ，简称IGBT”）系列产品于日前在华润微电子有限公司（以下简称“华润微电子”）的工艺
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如何为电路设计选择适合的IGBT
什么是IGBT？其工作原理是什么？为什么大家要选择IGBT？它的优势是什么？一系列疑问的抛出，在3月5日第十五届国际集成电路研讨会暨展览会(IIC-China2010)上，国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)公司给出
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BUCK电路拓扑
BUCK电路拓扑T是全控元件(GTR,GTO,MOSFET,IGBT)，当时，T导通。 D：续流二极管。 L和C组成LPF。二、工作原理四、假设及参数计算 1.T，D均为理想器件 2.L较大，使得在一个周期内电流连续且无内阻 3.直流输出电压
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单象限降压型电路
单象限降压型电路T是全控元件(GTR,GTO,MOSFET,IGBT),当 时,T导通 D:续流二极管 L0和C0组成LPF 二.工作原理 当 时,控制信号使得T导通,D截止,向L0充磁,向C0充电 当
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基于提高太阳能逆变器的转换效率的解决方案
I. 引言/摘要 由于对可再生能源的需求，太阳能逆变器 (光电逆变器) 的市场正在不断增长。而这些逆变器需要极高的效率和可靠性。本文对这些逆变器中采用的功率电路进行了考察，并推荐了针对开关和整流器件的最佳
